Dielectric rod type photonic crystal laser using dilute nitride semiconductor light source

使用稀氮化物半导体光源的介质棒型光子晶体激光器

基本信息

批准号：
23686004
负责人：
ISHIKAWA Fumitaro
金额：
$ 17.06万
依托单位：
Ehime University (2013)Osaka University (2011-2012)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

We investigated the fabrication of dielectric rod type photonic crystal laser using dilute nitride semiconductor nanostructures. The study was focused on to the growth of the dilute nitride nano-material using molecular bean epitaxy, and its application to photonic crystal device. We could obtain core-shell type GaAs/GaAsN nanowire. Further, the emission wavelength at the near infrared 950 nm was observed by controlling the amount of introduced nitrogen into the GaAsN layer. Introducing the GaInNAs quantum wells into a cavity structure on which rod-type photonic crystal is patterned, we observe close to tenfold enhancement of extracted luminescence efficiency from the surface depending on the correlated variation photonic bandgap.

我们研究了使用稀氮化物半导体纳米结构制造介电棒型光子晶体激光器。研究重点是利用分子束外延生长稀氮化物纳米材料及其在光子晶体器件中的应用。我们可以得到核壳型GaAs/GaAsN纳米线。此外，通过控制引入到GaAsN层中的氮的量来观察近红外950nm处的发射波长。将 GaInNAs 量子阱引入其上图案化了棒型光子晶体的腔结构中，我们观察到从表面提取的发光效率根据相关的光子带隙变化提高了近十倍。

项目成果

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专利数量（0）

Unintentional Source Incorporation During Molecular Beam Epitaxy Induced by Gas Phase Scattering

气相散射诱导分子束外延过程中的无意源掺入

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
F. Ishikawa;and M. Kondow
通讯作者：
and M. Kondow

Epitaxial Growth of Dilute Nitride Semiconductor Nanostructures: δ-doping Quantum

稀氮化物半导体纳米结构的外延生长：δ 掺杂量子

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
Maeda;H.;臼井信悟,幸村健介,芦原聡;Fumitaro　Ishikawa
通讯作者：
Fumitaro　Ishikawa

AlGaAs/GaAs量子井戸への窒素δ-ドープに関する研究

AlGaAs/GaAs量子阱氮δ掺杂研究

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ryuji Katayama;Yujiro Fukuhara;Masahiro Kakuda;Shigeyuki Kuboya;Kentaro Onabe;Syusai Kurokawa;Naoto Fujii;Takashi Matsuoka;古瀬慎一朗，角谷健吾，石川史太郎
通讯作者：
古瀬慎一朗，角谷健吾，石川史太郎

Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAsN Nanowire on Si(111) Substrate

Si(111) 衬底上 GaAsN 纳米线的分子束外延生长