Clarification of surface reactions by interaction between ions and radicals in reactive plasma processes

通过反应等离子体过程中离子和自由基之间的相互作用澄清表面反应

• 批准号: 23760694
• 负责人: TAKEDA Keigo
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760694/
• 关键词: 原子状ラジカル; 表面損失確率; 反応性プラズマ; 吸収分光法

In this study, the spatial density distribution and surface loss probability of hydrogen atoms have been investigated by using vacuum ultraviolet absorption spectroscopy. From the results, we clarified the spatial distribution of hydrogen atom between upper and bottom electrodes in capacitively coupled plasmas with pure H_2 gas or H_2 and N_2 mixture gas. Moreover, the surface loss probability of hydrogen atom on silicon thin films during plasma chemical vapor deposition with inductively coupled SiH_4/H_2 plasma was quantitatively clarified.

本研究利用真空紫外吸收光谱研究了氢原子的空间密度分布和表面损失概率。根据结果​​，我们阐明了纯H_2气体或H_2和N_2混合气体电容耦合等离子体中上下电极之间氢原子的空间分布。此外，定量阐明了电感耦合SiH_4/H_2等离子体化学气相沉积过程中硅薄膜上氢原子的表面损失概率。

项目成果

Relation between gaseous radicals and μc-Si film property in SiH4/H2 plasma CVD

SiH4/H2等离子体CVD中气态自由基与μc-Si薄膜性能的关系

• 发表时间: 2013
• 作者: A. Fukushima;Y. Lu;Y. Abe;K. Takeda;H. Kondo;K. Ishikawa;M. Sekine;M. Hori
• 通讯作者: M. Hori

Measurement of the flux ratio of hydrogen atom to film precursor for microcrystalline silicon solar cell

微晶硅太阳能电池氢原子与薄膜前驱体通量比的测量

• 发表时间: 2012
• 作者: Y. Abe;M. Hori;A. Fukushima;L. Ya;K. Takeda;H. Kondo;K. Ishikawa;M. Sekine
• 通讯作者: M. Sekine

Surface reaction of hydrogen radical on plasma enhanced chemical vapour deposition of silicon thins films

氢自由基对硅薄膜等离子体增强化学气相沉积的表面反应

• 发表时间: 2011
• 作者: Y. Abe;K. Takeda;M. Hori;K. Ishikawa;H. Kondo;M. Sekine
• 通讯作者: M. Sekine

名古屋大学大学院工学研究科 堀・関根研究室

名古屋大学工学研究科堀关根实验室

Evaluation of Relationship between μC-Si Film Property and Flux Ratio of H Radicals to Film Precursors

μC-Si薄膜性能与H自由基与薄膜前驱体通量比关系的评价

• 发表时间: 2012
• 作者: A. Fukushima;Y. Abe;Y. Lu;K. Takeda;H. Kondo;K. Ishikawa;M. Sekine;M. Hori
• 通讯作者: M. Hori