Luminescence properties of Erbium-silicon-oxide Crystalline Compound on Silicon

硅基铒硅氧化物晶体化合物的发光特性

基本信息

批准号：
23760016
负责人：
ISHIYAMA Takeshi
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Toyohashi University of Technology (2012-2013)Okayama University (2011)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2013
项目状态：
已结题

项目摘要

The photoluminescence (PL) properties of crystalline Er-Si-O compound on silicon substrate prepared using a simple method through evaporation and thermal annealing have been investigated. Diffraction peaks corresponding to crystalline Er-Si-O were clearly detected in X-ray diffraction measurements. Er-related infrared luminescence was observed at around 1520 nm at room temperature. This luminescence of the crystalline Er-Si-O compound on Si was due not to direct excitation of the 4f shell of Er3+, but to excitation of the host Si, i.e. indirect excitation. The Er-related PL spectra also showed several peaks at room temperature, which reflected the splitting patterns of ground manifolds (4I15/2) for the 4f11 shell of Er3+. Temperature quenching of Er-related infrared luminescence was greatly reduced in the crystalline Er-Si-O compound prepared using the simple method.

已经研究了通过蒸发和热退火制备的硅底物上晶体ER-SI-O化合物的光致发光（PL）性能。在X射线衍射测量中清楚地检测到了与结晶ER-SI-O相对应的衍射峰。在室温下，在1520 nm左右观察到与ER相关的红外发光。 Si上的Crystalline ER-SI-O化合物的这种发光是由于ER3+的4F壳的直接激发，而是由于宿主Si的激发，即间接激发。与ER相关的PL光谱在室温下还显示了几个峰，这反映了ER3+4F11壳的地面歧管（4I15/2）的分裂模式。使用简单方法制备的结晶ER-SI-O化合物中，与ER相关红外发光的温度淬火大大降低。

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

電子スピン共鳴法によるSi酸化膜中欠陥のアニール挙動

利用电子自旋共振法研究硅氧化膜缺陷的退火行为

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
R. E. Balderas-Navarro;N. A. Ulloa-Castillo;K. Arimoto;G. Ramierz-Melendez;L. F. Lastras-Martinez;H. Furukawa;J. Yamanaka;A. Lastras-Martinez;J. M. Flores-Camacho;N. Usami;D. Stifter;K. Hingerl;藤田直人，斉藤広伸，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯;安部信行，松井洋輔，石山武，上浦洋一，山下善文
通讯作者：
安部信行，松井洋輔，石山武，上浦洋一，山下善文

Infrared Luminescence of Erbium-silicon-oxide Crystalline Compound on Silicon

硅上铒硅氧化物晶体化合物的红外发光