Study on the formation of hydrogenated silicon films and silicon nano-structural materials obtained by electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature

超低温电子束诱导化学气相沉积氢化硅薄膜及硅纳米结构材料的研究

• 批准号: 18550014
• 负责人: SATO Tetsuya
• 金额: $ 2.51万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18550014/
• 关键词: トンネル反応; 電子線誘起反応; 極低温; アモルファスシリコン; 放射線化学; 水素原子; 低速電子; 飛行時間型質量分析計; 電子銃; 水素化アモルファスシリコン; アモルファスカーボン; シリコン窒化膜; 欠陥密度; 界面準位密度; ナノ材料; 太陽電池; 微結晶シリコン

低速電子線誘起反応と低温トンネル反応を利用して水素化アモルファスシリコン薄膜およびナノ構造材料を極低温で合成し、成長過程に関する基礎的知見を得た。モノシランやジシランを原料ガスに用いて40K~100Kの温度領域で製膜し、薄膜の水素含有量や光学定数(屈折率n, 消衰係数k)の温度依存性などを詳細に検討した。また、薄膜の表面分析および電気的特性評価を行った。

利用慢速电子束诱导反应和低温隧道反应在极低温下合成氢化非晶硅薄膜和纳米结构材料，并获得了有关生长过程的基本知识。使用甲硅烷或乙硅烷作为原料气体，在40K～100K的温度范围内成膜，详细研究了薄膜的氢含量和光学常数(折射率n、消光系数k)的温度依赖性。我们还对薄膜进行了表面分析和电性能评估。

项目成果

低速電子誘起反応とトンネル反応を利用したシリコン半導体薄膜の極低温合成

利用慢电子诱导反应和隧道反应低温合成硅半导体薄膜

• 发表时间: 2006
• 作者: 佐藤哲也

Formation of Microcrystalline Silicon and SiNx Films by Electron-Beam- Induced-Chemical Vapor Deposition at Ultra Low Temperature

超低温电子束诱导化学气相沉积微晶硅和 SiNx 薄膜的形成

• 发表时间: 2006
• 作者: T. Sato; M. Mitsui; J. Yamanaka; K. Nakagawa; et.al
• 通讯作者: et.al

低速電子誘起反応と極低温トンネル反応により合成したSiNxの電気特性評価

慢电子诱导反应和低温隧道反应合成SiNx电学性能评价

• 发表时间: 2008
• 作者: 小林 憲明

Formation of microcrystalline Silicon and SiNx filmisby electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature.

微晶硅和SiNx薄膜的形成是通过超低温电子束诱导化学气相沉积来实现的。

• 发表时间: 2006
• 作者: T.Sato; M.Mitsui; J.Yamanaka; K.Nakagawa; Y.Aoki; S.Sato; C.Miyata
• 通讯作者: C.Miyata

有機フィルム基板上へのSiNxおよびa-Si:Hの極低温形成

在有机薄膜基底上低温形成 SiNx 和 a-Si:H

• 发表时间: 2007
• 作者: 佐藤 哲也