Development of a spatio-time-resolved cathodoluminescence spectroscopy technique applicable for wide bandgap semiconductors through the generation and focusing of high-brightness femtosecond pulsed photoelectron beams

通过产生和聚焦高亮度飞秒脉冲光电子束，开发适用于宽带隙半导体的时空分辨阴极发光光谱技术

基本信息

批准号：
23656206
负责人：
CHICHIBU Shigefusa
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

To probe local carrier dynamics in wide bandgap semiconductors such as AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys, the use of spatio-time-resolved cathodoluminescence (STRCL) technique offering high spatial and temporal resolutions is preferred, becauseelectron beams can be focused and implanted into sub-micrometer to nanometer regions of interest. In this study, we succeeded in developing a novel front-excitation type high-brightness pulsed photoelectron (PE)- gun driven by femtosecond laser pulses, and the STRCL measurement system equipped with this PE-gun was used to measure the local emission dynamics in GaN, AlN, and high AlN mole fraction AlGaN alloys.

为了探测宽带隙半导体（例如 AlN 和高 AlN 摩尔分数 AlGaN 合金）中的局部载流子动力学，优选使用提供高空间和时间分辨率的时空分辨阴极发光 (STRCL) 技术，因为电子束可以聚焦并注入到亚微米到纳米的感兴趣区域。在本研究中，我们成功开发了一种由飞秒激光脉冲驱动的新型前激式高亮度脉冲光电子（PE）枪，并使用配备该PE枪的STRCL测量系统来测量光电子枪的局域发射动态。 GaN、AlN 和高 AlN 摩尔分数 AlGaN 合金。

项目成果

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Femtosecond-laser-driven photoelectron-gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN

用于 GaN 时间分辨阴极发光测量的飞秒激光驱动光电子枪

DOI：
10.1063/1.3701368
发表时间：
2012
期刊：
Review of Scientific Instruments
影响因子：
1.6
作者：
T.Onuma;Y.Kagamitani;K.Hazu;T.Ishiguro;T.Fukuda;S.F.Chichibu
通讯作者：
S.F.Chichibu

III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線

III-V族氮化物半导体缺陷评估最前沿

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
花房宏明; 広瀬信光;笠松章史;三村高志;松井敏明; 須田良幸;野崎眞次;秩父重英,上殿明良
通讯作者：
秩父重英,上殿明良

Advantages and remaining issues of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for m-plane InGaN epitaxial growth

用于m面InGaN外延生长的最先进的m面独立式GaN衬底的卤化物气相外延生长的优点和遗留问题

DOI：
10.1088/0268-1242/27/2/024008
发表时间：
2012
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
S. F. Chichibu;M. Kagaya;P. Corfdir;J. D. Ganiere;B. Deveaud-Pledran;N. Grandjean;S. Kubo;and K. Fujito
通讯作者：
and K. Fujito

Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique

使用时空分辨阴极发光技术研究氢化物气相外延生长的独立式 GaN 衬底中的局部载流子动力学