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Fabrication of thin-film-type terahertz-wave oscillators using intrinsic Josephson junctions
使用本征约瑟夫森结制造薄膜型太赫兹波振荡器
基本信息
- 批准号：23560381
- 负责人：
- 金额：$ 3.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011 至 2013
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
To realize thin-film-type terahertz (THz)-wave oscillators using high-temperature superconducting Bi-2212 intrinsic Josephson junctions, key technologies were developed as follows: Cerium dioxide buffer layers with a smooth surface were deposited to increase grain sizes in Bi-2212 thin films fabricated by metal-organic decomposition. A junction impedance for designing antenna-coupled oscillators was calculated from an analytical solution of the coupled sine-Gordon equation. Moreover, resonant modes in a Bi-2212 mesa were estimated from bias dependencies of the radiation power and frequency measured using a THz Fourier-transform spectrometer. These results are useful for fabricating the thin-film THz-wave oscillators for high power generation.
要实现使用高温超导BI-2212固有的固有的Josephson连接的薄膜型Terahertz（THZ） - 波浪振荡器，如下所述：二氧化衣缓冲层具有平滑表面的硫化二氧化碳缓冲层以下开发，以使Bif-2212薄膜中的晶粒沉积在金属薄膜中增加晶粒的材料。根据耦合的正弦 - 戈登方程的分析溶液计算了设计天线耦合振荡器的连接阻抗。此外，从BI-2212 MESA中的谐振模式是根据使用THZ傅立叶变换光谱仪测得的辐射功率和频率的偏置依赖性估计的。这些结果可用于制造薄膜THZ波振荡器以实现高功率。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Evaluation of Bi-2212 Intrinsic Josephson Device for Antenna-Coupled Oscillator
用于天线耦合振荡器的 Bi-2212 本征约瑟夫森器件的评估
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Uchida;H. Katada;T. Tachiki
- 通讯作者：T. Tachiki
Bi-2212固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波放射の観測
Bi-2212 本征约瑟夫森结太赫兹辐射的观测
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：堅田寛;立木隆;内田貴司
- 通讯作者：内田貴司
100 GHz帯薄膜スパイラルアンテナの受信特性
100 GHz频段薄膜螺旋天线的接收特性
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：レー・ゴク・ソン;立木隆;内田貴司;安岡義純
- 通讯作者：安岡義純
Effects of Substrate Thickness on Receiving Properties of Thin-Film Spiral Antenna
基板厚度对薄膜螺旋天线接收性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：L. N. Son;T. Tachiki;T. Uchida;Y. Yasuoka
- 通讯作者：Y. Yasuoka
Fabrication of 20-nm-thick Niobium thin films for novel planer Josephson junctions
用于新型平面约瑟夫森结的 20 nm 厚铌薄膜的制造
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Horiguchi;T. Tachiki;T. Uchida
- 通讯作者：T. Uchida
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