Fabrication of thin-film-type terahertz-wave oscillators using intrinsic Josephson junctions

使用本征约瑟夫森结制造薄膜型太赫兹波振荡器

• 批准号: 23560381
• 负责人: TACHIKI Takashi
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560381/
• 关键词: 酸化物高温超伝導体; ジョセフソン接合; テラヘルツ波; 発振素子; 酸化物高温超伝導体; ジョセフソン接合; テラヘルツ波; 発振素子

To realize thin-film-type terahertz (THz)-wave oscillators using high-temperature superconducting Bi-2212 intrinsic Josephson junctions, key technologies were developed as follows: Cerium dioxide buffer layers with a smooth surface were deposited to increase grain sizes in Bi-2212 thin films fabricated by metal-organic decomposition. A junction impedance for designing antenna-coupled oscillators was calculated from an analytical solution of the coupled sine-Gordon equation. Moreover, resonant modes in a Bi-2212 mesa were estimated from bias dependencies of the radiation power and frequency measured using a THz Fourier-transform spectrometer. These results are useful for fabricating the thin-film THz-wave oscillators for high power generation.

要实现使用高温超导BI-2212固有的固有的Josephson连接的薄膜型Terahertz（THZ） - 波浪振荡器，如下所述：二氧化衣缓冲层具有平滑表面的硫化二氧化碳缓冲层以下开发，以使Bif-2212薄膜中的晶粒沉积在金属薄膜中增加晶粒的材料。根据耦合的正弦 - 戈登方程的分析溶液计算了设计天线耦合振荡器的连接阻抗。此外，从BI-2212 MESA中的谐振模式是根据使用THZ傅立叶变换光谱仪测得的辐射功率和频率的偏置依赖性估计的。这些结果可用于制造薄膜THZ波振荡器以实现高功率。