Study on crystalline growth of phase transition oxides with various oxidation states and their electric transport characteristics

不同氧化态相变氧化物的晶体生长及其电输运特性研究

基本信息

批准号：
23560013
负责人：
OKIMURA Kunio
金额：
$ 3.41万
依托单位：
Tokai University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2013
项目状态：
已结题

项目摘要

In this project, we studied vanadium dioxide (VO2) with insulator-metal transition (IMT) and related oxide phases which possess different oxidation states such as VnO2n-1 and VnO2n+1. By using mass flow controller which enabled fine control of oxygen partial pressure, we successfully fabricated crystalline V2O3 films on sapphire and silicon substrates. Obtained V2O3 films transformed to VnO2n-1 and VnO2n+1 phases by post-annealing in oxygen atmosphere with adequate temperature and time. Through the study, electrical transport characteristics of VnO2n-1 and VnO2n+1 were partially clarified and the significance of phase coexistence in vanadium oxide thin films was shown.

在这个项目中，我们研究了具有绝缘体-金属转变（IMT）的二氧化钒（VO2）以及具有不同氧化态的相关氧化物相，例如VnO2n-1和VnO2n+1。通过使用能够精细控制氧分压的质量流量控制器，我们成功地在蓝宝石和硅衬底上制备了晶体V2O3薄膜。在氧气气氛中进行适当温度和时间的后退火，得到V2O3薄膜，转变为VnO2n-1和VnO2n+1相。通过研究，部分阐明了VnO2n-1和VnO2n+1的电输运特性，并揭示了钒氧化物薄膜中相共存的意义。

项目成果

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专利数量（0）

ICP支援スパッタ法による金属膜上へのVO_2薄膜の成長と積層方向スイッチング特性

ICP辅助溅射法在金属薄膜上生长VO_2薄膜及堆叠方向切换特性

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
A.Ikeda;M. Matsumoto;S. Ogura;K. Fukutani;and T. Okano;モハメッドシュルズミヤ,沖村邦雄
通讯作者：
モハメッドシュルズミヤ,沖村邦雄

Electrical Properties of Vanadium Dioxide Thin Films on Silicon Substrate with Metal-Insulator Transition

硅衬底上金属-绝缘体转变二氧化钒薄膜的电性能

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nurul Hanis Azhan and Kunio Okimura
通讯作者：
Nurul Hanis Azhan and Kunio Okimura

Growth of phase transition VO_2 films with M_2 phase in inductively coupled plasma assisted reactive sputtering

电感耦合等离子体辅助反应溅射中M_2相相变VO_2薄膜的生长

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Watanabe;Md. Suruz Mian;K.Okimura and J. Sakai
通讯作者：
K.Okimura and J. Sakai

Electrical Properties of VO_2 Thin Films and Post-annealing Effects on the Growth of Non-stoichiometric VOx

VO_2薄膜的电性能及后退火对非化学计量VOx生长的影响

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiromichi Hoshina;Shinya Ishii;Yusuke Morisawa;Harumi Sato;Isao Noda;Yukihiro Ozaki;Chiko Otani;TAKUMA TAKIMOTO,KOJI TAKESHITA,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA;Nurul Hanis Azhan and Kunio Okimura
通讯作者：
Nurul Hanis Azhan and Kunio Okimura

TiNバッファー層によるVO_2薄膜の結晶成長及び転移特性の改善

TiN缓冲层改善VO_2薄膜晶体生长和转变性能