Spectroscopy of Organic Molecule/Ferromagnetic Metal Interface for Highly Efficient Room Temperature Spin injection into Graphene

有机分子/铁磁金属界面的光谱学，用于高效室温自旋注入石墨烯

• 批准号: 22740206
• 负责人: MATSUMOTO Yoshihiro
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Japan Atomic Energy Agency
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22740206/
• 关键词: 表面・界面; グラフェン; 強磁性金属; 界面; 垂直磁気異方性; X線磁気円二色性; 分子スピントロニクス; スピントロニクス; X線吸収分光

In this study, the spin structures across the interface between single-layer graphene and a Ni(111) thin film are explored by employing the depth-resolved x-ray absorption and magnetic circular dichroism spectroscopy with the atomic layer resolution. The depth-resolved Ni L2,3-edge analysis clarifies that the Ni atomic layers adjacent to the interface show a transition of the spin orientation to the perpendicular one in contrast with the in-plane one in the bulk region. The C K-edge analysis reveals the intensifying of the spin-orbital interactions induced by the p-d hybridization at the interface as well as out-of-plane spin polarization at the p band region of graphene. The present study indicates the importance of the interface design at the atomic layer level for graphene-based spintronics.

在这项研究中，通过采用深度分辨X射线吸收和磁性圆形二色症光谱，探索了单层石墨烯和Ni（111）薄膜之间界面之间的自旋结构，并具有原子层分辨率。深度分辨的Ni L2,3边缘分析阐明了与界面相邻的Ni原子层显示旋转方向向垂直方向的过渡与大体区域的平面内相反。 C k边缘分析揭示了界面上的P-D杂交引起的自旋轨道相互作用以及石墨烯P带区域的平面外旋转极化。本研究表明，原子层水平上的界面设计对基于石墨烯的旋转型的重要性。

项目成果

円偏光放射光による分子スピントロニクス材料の元素選択的電子・磁気状態分光

使用圆偏振同步加速器辐射的分子自旋电子材料的元素选择性电子和磁态光谱

• 发表时间: 2010
• 作者: 大山研司;岩佐和晃;伊藤晋一;横尾哲也;富安啓輔;松浦直人;平賀晴弘;藤田全基;木村宏之;佐藤豊人;佐藤卓;有馬孝尚;猪野隆;吉良弘;坂口佳史;奥隆之;有本靖;鈴木淳市;清水裕彦;武田全康;金子耕士;野尻浩之;K. Matsubayashi;中村和磨;Hiroto Adachi;松本吉弘
• 通讯作者: 松本吉弘

Effect of cotunneling and spin polarization on the large tunneling magnetoresistance effect in granular C_<60>-Co films

共隧道和自旋极化对粒状C_<60>-Co薄膜中大隧道磁阻效应的影响

• 发表时间: 2011
• 期刊: Phys.Rev.B 83
• 作者: S.Sakai;S.Mitani;I.Sugai;K.Takanashi;Y.Matsumoto;S.Entani;H.Naramoto;P.Avramov;Y.Maeda
• 通讯作者: Y.Maeda

Precise control of single- and bi-layer graphene growths on epitaxial Ni(111) thin film

• DOI: 10.1063/1.3694662
• 发表时间: 2012-03
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: S. Entani;Y. Matsumoto;M. Ohtomo;P. Avramov;H. Naramoto;S. Sakai

Spin-polarized states of the CVD-grown graphene on the Ni(111)

Ni(111) 上 CVD 生长石墨烯的自旋极化态

• 发表时间: 2012
• 作者: 小山俊一;綿引正倫;小野寺貢;富安啓輔;松本吉弘,
• 通讯作者: 松本吉弘,

Magnetic exchange interaction in the C_<60>-Co compound / Ni layer structure

C_<60>-Co化合物/Ni层状结构中的磁交换相互作用

• 发表时间: 2010
• 作者: 久保田祐貴;小山俊一;富安啓輔;岩佐和晃;Stuhr Uwe;金子耕士;池田伸一;梅山規男;H.Adachi;Y. Matsumoto
• 通讯作者: Y. Matsumoto