Development of the microscopic theory on anomalous electronic states in hollandite-type transition-metal oxides

菱铁矿型过渡金属氧化物反常电子态微观理论的发展

基本信息

  • 批准号:
    22540363
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

We study the mechanisms of anomalous electronic properties of transition-metal oxides with hollandite-type crystal structure. We use the first-principles electronic structure calculations based on the density functional theory as well as the model calculations based on the variational cluster approximation and density-matrix renormalization group method. We in particular clarify the origin of the quasi-one-dimensional electronic state of ruthenium oxide, mechanism of the perfect ferromagnetism and metal-insulator transition in chromium oxide, and mechanism of the formation of the superatomic crystal in molybdenum oxide.
我们研究了具有菱铁矿型晶体结构的过渡金属氧化物的反常电子性质的机制。我们采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构计算以及基于变分簇近似和密度矩阵重正化群方法的模型计算。我们特别阐明了氧化钌准一维电子态的起源、氧化铬中完美铁磁性和金属-绝缘体转变的机制以及氧化钼中超原子晶体的形成机制。

项目成果

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Anomalous Electronic States of Hollandite-Type Transition-Metal Oxides
镁锰矿型过渡金属氧化物的反常电子态
Double Exchange Ferromagnetism in the Peierls Insulator State
Peierls 绝缘体态的双交换铁磁性
  • DOI:
    10.1103/physrevlett.109.076401
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ota;M. Machida and T. Koyama;S. Nishimoto and Y. Ohta
  • 通讯作者:
    S. Nishimoto and Y. Ohta
Mechanism of the Metal-Insulator Transition of Hollandite Vanadate K2V8O16
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  • DOI:
    10.1088/1742-6596/400/3/032104
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Toriyama;T. Konishi;and Y. Ohta
  • 通讯作者:
    and Y. Ohta
強相関電子系における軌道混成秩序とその外場応答の現状と今後の展開
强相关电子系统轨道杂化级及其外场响应的现状和未来发展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田村駿;横山寿敏;太田幸則
  • 通讯作者:
    太田幸則
Spin Gap of the Three-Leg S=3/2Heisenberg Tube
三足管的自旋间隙S=3/2海森堡
  • DOI:
    10.1103/physrevb.83.224425
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Nishimoto;Y. Fuji;and Y. Ohta
  • 通讯作者:
    and Y. Ohta
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  • 通讯作者:
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