Establishment of nanocell fabrication on semiconductor surface utilizing self-organizational movement of point defects
利用点缺陷的自组织运动在半导体表面建立纳米电池制造
基本信息
- 批准号：22360268
- 负责人：
- 金额：$ 11.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In several semiconductors, nano-scale cellular structure is formed on their surfaces by ion irradiation. We aimed to establish the novel nano-fabrication technique utilizing this astonishing phenomenon and investigated nanocell fabrication for GaSb, InSb and Ge. The cell lattice with 100 nm cell interval on InSb surface develops regularly without secondary void formation by irradiation at room temperature, however, the regularity is insufficient at lower temperature. GaSb reveal the inverse results, that is, the secondary voids are created at room temperature and the cell lattice development is better at lower temperature. Furthermore filling in the cells is tried.
在一些半导体中，通过离子辐照在其表面形成纳米级细胞结构。我们的目标是利用这一惊人现象建立新型纳米制造技术，并研究 GaSb、InSb 和 Ge 的纳米电池制造。 InSb表面晶胞间距为100 nm的晶胞晶格在室温下辐照时发育规则，没有形成二次空穴，但在较低温度下规则性不足。 GaSb揭示了相反的结果，即在室温下产生二次空穴，并且在较低温度下电池晶格发育更好。此外还尝试填充细胞。
项目成果
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专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Secondary defects induced by ion and electron irradiation of GaSb
- DOI：10.1080/09500839.2011.552445
- 发表时间：2011-01
- 期刊：
- 影响因子：1.2
- 作者：N. Nitta;E. Taguchi;H. Yasuda;H. Mori;Y. Hayashi;T. Yoshiie;M. Taniwaki
- 通讯作者：N. Nitta;E. Taguchi;H. Yasuda;H. Mori;Y. Hayashi;T. Yoshiie;M. Taniwaki
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- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Giang T. Dang;Hiroshi Kanbe and Masafumi Taniwaki
- 通讯作者：Hiroshi Kanbe and Masafumi Taniwaki
低エネルギー電子照射によるナノ結晶形成の照射温度依存性
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- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：福永智之;平田好洋;松永直樹;鮫島宗一郎;内藤公喜;新田 紀子 西内 大貴 谷脇 雅文 八田 章光 保田 英洋
- 通讯作者：新田 紀子 西内 大貴 谷脇 雅文 八田 章光 保田 英洋
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- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Giang T. Dang;T. Kawaharamura;N. Nitta;T. Hirao;T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 通讯作者：T. Yoshiie and M. Taniwaki
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