Research on step-free heterostructures of nitride semiconductors

氮化物半导体无台阶异质结构研究

• 批准号: 22360013
• 负责人: AKASAKA Tetsuya
• 金额: $ 12.15万
• 依托单位: NTT Basic Research Laboratories
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360013/
• 关键词: エピタキシャル成長; 半導体物性; 量子井戸; 結晶成長; 窒化物半導体; ステップフリー; 無転位; 光物性; 表面・界面物性; 超格子

We have successfully fabricated step-free InN quantum wells (QWs) using our original growth technique in which completely flat surfaces without any monolayer steps of nitride semiconductors can be formed with the diameters larger than 16 micrometers. The step-free InN QWs are one monolayer thick and emit extremely sharp violet photoluminescence. High-efficiency green and red emissions will be theoretically obtained by controlling the thickness of step-free InN QWs.

我们利用独创的生长技术成功地制造了无台阶的InN量子阱（QW），可以形成直径大于16微米的完全平坦的表面，没有任何氮化物半导体的单层台阶。无台阶 InN 量子阱为单层厚度，可发出极其锐利的紫色光致发光。理论上，通过控制无台阶InN量子阱的厚度，可以获得高效的绿光和红光发射。

项目成果

Formation of a Step-Free Ultrathin InN Layer on a Step-Free GaN Surface

在无台阶 GaN 表面上形成无台阶超薄 InN 层

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Akasaka;A. Berry;Y. Kobayashi;H. Yamamoto
• 通讯作者: H. Yamamoto

MOVPE 選択成長によるGaN ステップフリー面上へのInN核生成

MOVPE选择性生长在GaN无台阶表面上InN成核

• 发表时间: 2011
• 作者: 赤坂哲也;小林康之
• 通讯作者: 小林康之

Step-free 界面を有するInN/GaN 単一量子井戸からの紫色狭線発光

具有无台阶界面的 InN/GaN 单量子阱的紫光窄线发射

• 发表时间: 2012
• 作者: 赤坂哲也;後藤秀樹;小林康之;山本秀樹
• 通讯作者: 山本秀樹

GaN のMOVPE成長における表面過飽和度に及ぼすキャリアガスの影響

载气对 GaN MOVPE 生长中表面过饱和度的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 赤坂哲也;小林康之;嘉数誠
• 通讯作者: 嘉数誠

MOVPE選択成長によるGaNステップフリー面上へのInN核生成

MOVPE选择性生长在GaN无台阶表面上InN成核

• 发表时间: 2011
• 作者: 赤坂哲也;小林康之
• 通讯作者: 小林康之