Exciton Polarization in Semiconductor Quantum Dots studied byTip-Enhancement and Coherent Control Methods

通过尖端增强和相干控制方法研究半导体量子点中的激子偏振

基本信息

  • 批准号:
    22340077
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.56万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

We studied the luminescence processes of various semiconductor super-structures by using tip-enhanced effects.Tip-enhanced Raman scattering measurements were performed on a single Ge nano-wire. We observed the phonon confinement effect and estimated the Ge amorphous shell thickness.We performed the coherent control experiments on GaAs quantum dots. It is shown that the power-broadening process of excitons is controlled by the delay time of phase-locked pulses.
我们通过使用尖端增强效果研究了各种半导体超结构的发光过程。TIP增强的拉曼散射测量测量是在单个GE纳米线上进行的。我们观察到了声子的限制效果,并估计了GE无定形壳的厚度。我们在GAAS量子点上进行了连贯的控制实验。结果表明,激子的功率过程由相锁脉冲的延迟时间控制。

项目成果

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科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
チップ増強ラマン分光法を用いた半導体ナノ構造の観察
使用芯片增强拉曼光谱观察半导体纳米结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    湯浅譲;小川佳宏;南不二雄
  • 通讯作者:
    南不二雄
四光波混合法によるZnSeの時間分解スぺクトルの測定
四波混频法测量硒化锌的时间分辨光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田原弘量;小川佳宏;南不二雄
  • 通讯作者:
    南不二雄
T.V.Shubina,and A.A.Toropov:Tip-Enhancement Effect on the PL of Localized Excitons in an InGaN Thin Film
T.V.Shubina 和 A.A.Toropov:尖端增强对 InGaN 薄膜中局域激子 PL 的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小川佳宏;高橋聡;中島大樹;南不二雄;Y.Ogawa and F.Minami;Y.Arashida,T.Hanazawa,Y.Ogawa,and F.Minami;K.Katayama,Y.Ogawa,F.Minami.
  • 通讯作者:
    K.Katayama,Y.Ogawa,F.Minami.
Enhancement of excitonic emission in semiconductor heterostructures due to resonant coupling to multipole plasmon modesin a gold particle
由于金颗粒中多极等离子体激元模式的共振耦合,半导体异质结构中激子发射的增强
  • DOI:
    10.1103/physrevb.84.085323
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Arashida;Y. Ogawa;and F. Minami;後藤雄二;A.A.Toropov,T.V.Shubina,K.G.Belyaev,S.V.Ivanov,and P.S.Kop'ev,Y.Ogawa,F.Minami
  • 通讯作者:
    A.A.Toropov,T.V.Shubina,K.G.Belyaev,S.V.Ivanov,and P.S.Kop'ev,Y.Ogawa,F.Minami
散乱型ANSOM法による金ナノ構造のヘテロダイン測定
使用散射 ANSOM 方法外差测量金纳米结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    青柳翔;小川佳宏;南不二雄
  • 通讯作者:
    南不二雄
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