Preparation of polymer/nanoparticle hybrid assemblies based on polymer nanosheets

基于聚合物纳米片的聚合物/纳米颗粒杂化组件的制备

基本信息

  • 批准号:
    14205130
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 34.11万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2002
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2002 至 2004
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This project aims at preparation of hybrd nanosssemblies consisting of metal nanoparticle and polymer nanosheets, The projects also involves fabrication of soft nanodevices based on polymer nanosheet building blocks. Polymer nanosheets were fabricated by Polymer nano-assemblies consisting of Langmuir-Blodgett films was used and coupled with various optical techniques, such as integrated optical waveguide and surface plasmon resonance technique. Two topics of the findings were summarized as follows ;1.Gold Nanoparticle Immobilization with Polymer NanosheetsGold nanoparticles are adsorbed effectively onto a polymer nanosheet containing 4-vinylpyridine, yielding an adsorbed gold nanoparticle monolayer. The polymer nanosheet showed efficient adhesion forces to immobilize gold nanoparticles. Moreover, the patterned polymer sheet by UV irradiation worked as a template to direct gold nanoparticles. This technique has great potential for applications for controlling nanoparticle monolayer ordering.2.Molecular Logic Gates with Polymer Nonosheeets AssembliesWe configure two nanosheets diodes that operate at different wavelengths to produce the logic gates (AND and EXOR). In the polymer nanosheet logic gates, input signals are excitation wavelength of each chromophore and the output is photocurrent, which is attributed to the interlayer charge-transfer between the chromophore layer and the donor or the acceptor layer. In the case of selective photoexcitation of the phenanthrene layer at 300 nm, almost 70 pA was generated by the interlayer charge-transfer between phenanthrene and dinitrobenzene unit and also the selective photoexcitation of the anthracene layer at 380 nm produced approximately 70 pA by a similar manner. On the other hand, the excitation of both chromophore layers produced approximately 190 pA photocurrent. In this polymer nanosheet AND logic gate, the high and low levels were separated by a factor of 2.7.
该项目旨在制备由金属纳米粒子和聚合物纳米片组成的混合纳米组件,该项目还涉及基于聚合物纳米片构建块的软纳米器件的制造。聚合物纳米片是通过使用由 Langmuir-Blodgett 薄膜组成的聚合物纳米组件制造的,并与各种光学技术相结合,例如集成光波导和表面等离子体共振技术。两个研究主题概括如下: 1.用聚合物纳米片固定金纳米粒子金纳米粒子被有效地吸附到含有4-乙烯基吡啶的聚合物纳米片上,产生吸附的金纳米粒子单层。聚合物纳米片表现出有效的粘附力来固定金纳米粒子。此外,通过紫外线照射形成的图案化聚合物片可作为引导金纳米粒子的模板。该技术在控制纳米粒子单层排序的应用中具有巨大的潜力。2.具有聚合物非片材组件的分子逻辑门我们配置了两个在不同波长下工作的纳米片​​二极管来产生逻辑门(AND和EXOR)。在聚合物纳米片逻辑门中,输入信号是每个发色团的激发波长,输出是光电流,这归因于发色团层与供体或受体层之间的层间电荷转移。在300 nm处菲层的选择性光激发的情况下,菲和二硝基苯单元之间的层间电荷转移产生了近70 pA的电流,并且通过类似的方式在380 nm处选择性光激发蒽层也产生了大约70 pA的电流。 。另一方面,两个发色团层的激发产生大约 190 pA 的光电流。在这个聚合物纳米片 AND 逻辑门中,高电平和低电平的间隔为 2.7。

项目成果

期刊论文数量(35)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Photolithographic properties of ultrathin polymer Langmuir–Blodgett films containing anthracene moieties
含有蒽部分的超薄聚合物 Langmuir-Blodgett 薄膜的光刻特性
  • DOI:
    10.1039/b300686g
  • 发表时间:
    2003-06-19
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tiesheng Li;Jinfeng Chen;M. Mitsuishi;T. Miyashita
  • 通讯作者:
    T. Miyashita
Molecular Optical Gating Devices Based on Polymer Nanosheets Assemblies
基于聚合物纳米片组件的分子光学选通器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J.Matsui et al.
  • 通讯作者:
    J.Matsui et al.
Langmuir-Blodgett法による有機-無機ナノハイブリッド集積体の構築
Langmuir-Blodgett 法构建有机-无机纳米杂化组件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮下徳治 等
  • 通讯作者:
    宮下徳治 等
J.Matsui et al.: "Optical Logic Operation Based on Polymer Langmuir-Blodgett Film Assembly"Angew. Chem. Inter. Ed.. (in press). (2003)
J.Matsui 等人:“基于聚合物 Langmuir-Blodgett 薄膜组件的光学逻辑运算”Angew。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
The Synthesis and Photo-induced Deprotection Reaction of Calix[4]resorcinare Containing t-Butyl Ester Moieties
含叔丁基酯部分的Calix[4]间苯二酚的合成及光诱导脱保护反应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroto Kudo et al.
  • 通讯作者:
    Hiroto Kudo et al.
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