Enhancement of critical current density by artificial pinning centers in high-T_c superconducting multilayered films with sandwich-structures

夹层结构高温超导多层薄膜中人工钉扎中心提高临界电流密度

• 批准号: 21760236
• 负责人: SUEYOSHI Tetsuro
• 金额: $ 1.58万
• 依托单位: Kumamoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760236/
• 关键词: 超伝導材料・素子; ナノ構造制御; 低消費電力; 高温超伝導体; 薄膜

In this work, an improvement of in-field critical current density J_c in high-T_c superconducting thin films were attempted by multilayering with sandwich structure which consisted of non-doped superconducting YBCO layers and BaZrO_3-doped YBCO layers. We clarified that by controlling the YBCO layer thickness and the growth temperature, the distribution of the BaZrO_3 nano-particles and the angular dependence of J_c in BaZrO_3/YBCO multilayered films varied in a controlled way.

本工作尝试通过由非掺杂超导YBCO层和BaZrO_3掺杂YBCO层组成的三明治结构多层化来提高高T_c超导薄膜的场内临界电流密度J_c。我们阐明，通过控制YBCO层厚度和生长温度，BaZrO_3/YBCO多层薄膜中BaZrO_3纳米粒子的分布和J_c的角度依赖性以受控的方式变化。

项目成果

A1基板上に作製したMgB2薄膜の輸送特性

A1 基板上 MgB2 薄膜的输运特性

• 发表时间: 2010
• 作者: Y. J. Wang;T. Sasaki;T. Wu;F. R. Hu and K. Hane;藤吉孝則
• 通讯作者: 藤吉孝則

交差した柱状欠陥を導入したYBCO薄膜の臨界電流密度の磁場角度依存性

具有交叉柱状缺陷的 YBCO 薄膜中临界电流密度的磁场角度依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: 末吉哲郎;十河雄大;米倉健志;藤吉孝則;光木文秋;池上知顯;石川法人;淡路智;渡辺和雄
• 通讯作者: 渡辺和雄

柱状欠陥を導入したYBa_2Cu_3O_y 超伝導薄膜における電界-電流密度特性の磁場角度依存性

引入柱状缺陷YBa_2Cu_3O_y超导薄膜中电场-电流密度特性的磁场角度依赖性

• 发表时间: 2010
• 期刊: 低温工学 44巻
• 作者: 藤吉孝則;末吉哲郎;春田正和;米倉健志;池上知顯;石川法人;淡路智;渡辺和雄
• 通讯作者: 渡辺和雄

3方向の柱状欠陥を有するYBCO薄膜のJ_cとn値の磁場特性

三个方向具有柱状缺陷的YBCO薄膜的J_c和n值的磁场特性

• 发表时间: 2011
• 作者: 福井雄貴;田中久仁彦;打木久雄;末吉哲郎
• 通讯作者: 末吉哲郎

第三高調波電圧誘導法によるYBa_2Cu_3O_y薄膜の磁場中臨界電流密度の測定

三次谐波电压感应法测量YBa_2Cu_3O_y薄膜磁场中的临界电流密度

• 发表时间: 2010
• 作者: 沖田健佑;足立明隆;末吉哲郎;藤吉孝則;土井俊哉
• 通讯作者: 土井俊哉