Formation of Ohmic hole injection in organic semiconductor films

有机半导体薄膜中欧姆空穴注入的形成

• 批准号: 21760005
• 负责人: MATSUSHIMA Toshinori
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760005/
• 关键词: 半導体; 有機分子; 新機能材料; 有機・分子エレクトロニクス; 有機EL素子; 電気物性; 電荷移動; デバイス設計; 酸化モリブデン; 空間電荷制限電流; 有機半導体; 電荷生成

Current density-voltage characteristics of organic hole-only devices were evaluated when thickness of molybdenum trioxide between an ITO anode and an organic layer was changed. We found that use of optimized molybdenum trioxide thickness induces formation of Ohmic hole injection resulting from reduced hole injection barrier. Hole mobilities of a variety of organic layers were able to be estimated by analyzing the current density-voltage characteristics with a space-charge-limited current theory.

当改变ITO阳极和有机层之间的三氧化钼的厚度时，评估有机纯空穴器件的电流密度-电压特性。我们发现，使用优化的三氧化钼厚度会导致由于空穴注入势垒降低而形成欧姆空穴注入。通过利用空间电荷限制电流理论分析电流密度-电压特性，能够估计各种有机层的空穴迁移率。

项目成果

Interfacial charge transfer and charge generation in organic electronic devices

• DOI: 10.1016/j.orgel.2011.01.001
• 发表时间: 2011-03-01
• 期刊: ORGANIC ELECTRONICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Matsushima, Toshinori;Jin, Guang-He;Murata, Hideyuki
• 通讯作者: Murata, Hideyuki

低分子有機EL材料の成膜速度が素子特性に及ぼす影響

低分子有机EL材料沉积速率对器件特性的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 塩村孝太郎;松島敏則;大川裕太;中茂樹;岡田裕之;村田英幸
• 通讯作者: 村田英幸

有機/有機界面に酸化モリブデンバッファ層を用いた有機EL素子

在有机/有机界面处使用氧化钼缓冲层的有机EL器件

• 发表时间: 2009
• 作者: 渡邊一弘;松島敏則;村田英幸
• 通讯作者: 村田英幸

有機デバイスのための界面評価と制御技術(Technological Application for Interfacial Control of High Performance Organic Devices)(第III編: 界面制御とデバイス特性 第7章: ヘテロ接合界面制御による有機EL素子の特性向上)

高性能有机器件界面控制技术应用（第三部分：界面控制与器件特性第7章：通过异质结界面控制改善有机EL器件特性）

• 发表时间: 2009
• 作者: 松島敏則;村田英幸
• 通讯作者: 村田英幸

Enhanced performance of organic light-emitting diodes by improving injection and transport of charge carriersqq

通过改善载流子的注入和传输来增强有机发光二极管的性能qq

• 发表时间: 2009
• 作者: Toshinori Matsushima;Hideyuki Murata
• 通讯作者: Hideyuki Murata