Optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides
稀土掺杂半导体硅化物的光学性质
基本信息
- 批准号：20760199
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We have investigated optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides grown by ion implantation to develop silicon-based optoelectronics devices. Rare-earth ion of Er^<3+> was doped into β-FeSi_2 epitaxial films on Si substrate. The Er-doped β-FeSi_2 showed 1.5μm emission which is a wavelength for fiber optics communications.
我们研究了通过离子注入生长的稀土掺杂半导体硅化物的光学性质，以开发硅基光电子器件，将稀土离子Er^<3+>掺杂到Si衬底上的β-FeSi_2外延薄膜中。掺杂β-FeSi_2的发射波长为1.5μm，这是光纤通信的波长。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Band-gap modifications of β-FeSi_2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长β-FeSi_2外延薄膜的带隙修饰
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：清王義弘;藤沢浩訓;清水勝;米田圭佑;長副亮他;Keiichi Noda
- 通讯作者：Keiichi Noda
β-FeSi_2エピタキシャル膜における直接遷移端の温度依存性
β-FeSi_2外延薄膜直接过渡边缘的温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：長副亮;住井亮介;藤沢浩訓;清水勝;小高康稔;本田耕一郎;野田慶一
- 通讯作者：野田慶一
Si(111)基板上のβ-FeSi2エピタキシャル膜におけるフォトリフレクタンス評価
Si(111)衬底上β-FeSi2外延薄膜的光反射评价
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：野田慶一;米田圭佑;寺井慶和;藤原康文
- 通讯作者：藤原康文
Photoluminescence properties of Er-doped β-FeSi_2 grown by ion implantation
离子注入生长掺铒β-FeSi_2的光致发光特性
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Terai;K.Noda
- 通讯作者：K.Noda
RDE法により作製したAl添加β-FeSi2エピタキシャル膜の結晶構造解析
RDE法制备Al掺杂β-FeSi2外延薄膜的晶体结构分析
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：野田慶一;寺井慶和;橋本正太郎;藤原康文
- 通讯作者：藤原康文
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