Research of dislocation-free silicon-carbide growth

无位错碳化硅生长研究

• 批准号: 20560301
• 负责人: HATAYAMA Tomoaki
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560301/
• 关键词: 炭化ケイ素; エッチング; 転位; シリコンカーバイド; 半導体; 炭化珪素

A surface modification and lateral growth were applied to reduce the dislocation in the SiC grown layers. When a SiC layer was grown on the surface modified substrate, the basal plane dislocations were converted to the threading dislocations. The dislocation density in SiC could be reduced at the lateral growth area.

采用表面改性和横向生长来减少 SiC 生长层中的位错。当SiC层在表面改性衬底上生长时，基面位错转变为穿透位错。 SiC中的位错密度可以在横向生长区域降低。

项目成果

Characterization of 4H-SiC Analyzed by Cathodeluminescenee and Electron-Beam Induced Current Methods

采用阴极发光和电子束感应电流方法分析 4H-SiC 的表征

• 发表时间: 2008
• 作者: 張晶;遠野充明;奥野誠亮;直井美貴;酒井士郎;深野敦之;田中覚;T. Hatayama
• 通讯作者: T. Hatayama

Characterization of 4H-SiC analyzed by cathodeluminescence and electron-beam induced current methods

通过阴极发光和电子束感应电流方法分析 4H-SiC 的表征

• 发表时间: 2008
• 作者: 畑山智亮;他3名
• 通讯作者: 他3名

SiCにおけるエッチピット形状オフ角度およびポリタイプ依存性

SiC 中的蚀刻坑形状偏角和多型依赖性

• 发表时间: 2010
• 作者: 畑山智亮;纐纈英典;矢野裕司;冬木隆
• 通讯作者: 冬木隆

Anisotropic Etching of SiC in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen

氯氧混合气体中SiC的各向异性刻蚀

• 发表时间: 2008
• 期刊: Materials Science Forum (in press)
• 作者: 何 継方;他3名;Tomoaki Hatayama
• 通讯作者: Tomoaki Hatayama

塩素ガス熱エッチングにおける結晶面異方性を活用したSiCトレンチ底部の形状制御

氯气热刻蚀中利用晶面各向异性控制 SiC 沟槽底部的形状

• 发表时间: 2011
• 作者: 纐纈英典;畑山智亮;他3名
• 通讯作者: 他3名