Molekularstrahlepitaxie von III-V Nitriden: P-Dotierung kubischer AlyGa1-yN Epitaxieschichten und AlyGa1-yN/GaN Übergitter zur Herstellung optoelektronischer Bauelementstrukturen

III-V 族氮化物的分子束外延：用于生产光电器件结构的立方 AlyGa1-yN 外延层和 AlyGa1-yN/GaN 超晶格的 P 掺杂

• 批准号: 5372058
• 负责人: Professor Dr. Donat Josef As
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe "Optoelektronische Halbleiter - Gruppe III-Nitride"
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372058?language=en
• 关键词: Molekularstrahlepitaxie; von; III; Nitriden; Dotierung

Die p- und n-Dotierung von kubischen Gruppe III-Nitriden, die epitaktisch mittels MBE herstellt werden, soll auf die ternären Verbindungen AlxGa1-xN und InyGa1-yN erweitert und deren physikalische und strukturelle Eigenschaften untersucht werden. Als Dotierstoffe sollen die Elemente Si, Mg und C verwendet werden. Ziel ist die Herstellung von p- und n-leitenden kubischen (Al,Ga,In)-N Schichten mit möglichst hoher Dotierkonzentration. Dazu soll mit massenspektrometrischen, optischen und elektrischen Methoden der Einbau und die Aktivierung dieser Dotierstoffe in der kubischen Phase studiert und die elektrischen und optischen Eigenschaften mit Hall-Effekt- und Photolumineszenzmessungen untersucht werden. Da Mg bei hohen Konzentrationen zu Kompensationseffekten neigt und in der ternären Verbindung AlxGa1-xN die Akzeptor- und Donatorbindungsenergie noch höher erwartet werden, soll als alternativer Akzeptor C eingesetzt werden. Der Einbau der Dotierstoffe Si, Mg, und C, der Legierelemente Al,Ga und In sowie der Einfluß von Restverunreinigungen von As, O, und H sollen in-situ mit massenspektrometrischen Methoden genau studiert werden. Aufgrund des hohen Hintergrunddrucks von 10-5 mbar bei der Herstellung - hervorgerufen durch die N-Quelle, konnten bisher Flußschwankungen der Dotier- oder Legierungselemente weder gemessen noch während des Wachstumsprozesses korrigiert werden. Durch eine rückseitige Beschichtung der Substrate mit Ti bzw. Mo soll eine Verbesserung der Temperaturstabilität die Herstellung dicker c-GaN-Schichten ermöglichen. Zum Schluß sollen aus den kubischen Gruppe IIINitriden p-n-Übergänge und Heteroübergänge gefertigt und deren Diodenverhalten untersucht werden. Die Optimierung der elektrischen Eigenschaften bildet eine wesentliche Voraussetzung für den Einsatz von kubischen III-Nitriden zur Herstellung von blau emittierenden Laserdioden.

同一时间，同一时间与Gruppe III-硝化物，以及相同的时间，相同的时间，相同的时间，相同的时间，相同的时间，相同的时间，相同的时间，相同的时间，相同的时间，相同的时间，相同的时间，同一时间，以及相同的时间，相同的时间以及相同的时间，以及相同的时间，以及相同的时间，以及相同的时间，以及同一时间，以及同一时间，以及同一时间及时间，并且且时间及时间及时间及时间及时间及时间，并且时间及时间及时间及时间，并且时间及时间及时间及时间，并且时间及时间及时间及时间及时间及时间，并且时间及时间及时间及时间，并且时间及时间及时间及时间。同一时间和同一时间是不一样的。 Schichten MitMöglichstHoher Dotierkonzentration。 Dazu soll mit massenspektrometrischen, optischen und elektrischen Methoden der Einbau und die Aktivierung dieser Dotierstoffe in der kubischen Phase studiert und die elektrischen und optischen Eigenschaften mit Hall-Effekt- und Photolumineszenzmessungen untersucht werden. da mg bei hohen konzentrationen zu kompensationsefekten neigt und inderTernären是新的akzeptor- und donatorbindungsenergie nochhöhererwarte，solls solls selterativer akzeptor akzeptor c eingestzt werden。新的einbau der dotierstation si，mg，und c，der Legierelemente al，ga und of insterverunreinigunggen von as as o as o，o，o，und h sollen in n und h sollen in tiitu h sollen in Massenspek trometrischen方法Genau Studiert Werden。 10-5 Mbar bei der Herstellung-Herstellung-Herstellung Dicker C-Gan-SchichtenErmöglichen。 10-5 Mbar bei der Herstellung Dicker-Herstellung Dicker C-Gan-SchichtenErmöglichen。 10-5 mbar bei der herstellung dicker c-gan-schichtenErmöglichengruppe iiin的硝酸氮气P-n-übergänge，Gruppe IIIN的氮气P-n-übergänge，Gruppe IIIN的nitriden Zur Zurunung blauenern blaue nitriden iiin iiin的nitriden iiin。