Molekularstrahlepitaxie von III-V Nitriden: P-Dotierung kubischer AlyGa1-yN Epitaxieschichten und AlyGa1-yN/GaN Übergitter zur Herstellung optoelektronischer Bauelementstrukturen

III-V 族氮化物的分子束外延：用于生产光电器件结构的立方 AlyGa1-yN 外延层和 AlyGa1-yN/GaN 超晶格的 P 掺杂

• 批准号: 5372058
• 负责人: Professor Dr. Donat Josef As
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe "Optoelektronische Halbleiter - Gruppe III-Nitride"
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372058?language=en
• 关键词: Molekularstrahlepitaxie; von; III; Nitriden; Dotierung

Die p- und n-Dotierung von kubischen Gruppe III-Nitriden, die epitaktisch mittels MBE herstellt werden, soll auf die ternären Verbindungen AlxGa1-xN und InyGa1-yN erweitert und deren physikalische und strukturelle Eigenschaften untersucht werden. Als Dotierstoffe sollen die Elemente Si, Mg und C verwendet werden. Ziel ist die Herstellung von p- und n-leitenden kubischen (Al,Ga,In)-N Schichten mit möglichst hoher Dotierkonzentration. Dazu soll mit massenspektrometrischen, optischen und elektrischen Methoden der Einbau und die Aktivierung dieser Dotierstoffe in der kubischen Phase studiert und die elektrischen und optischen Eigenschaften mit Hall-Effekt- und Photolumineszenzmessungen untersucht werden. Da Mg bei hohen Konzentrationen zu Kompensationseffekten neigt und in der ternären Verbindung AlxGa1-xN die Akzeptor- und Donatorbindungsenergie noch höher erwartet werden, soll als alternativer Akzeptor C eingesetzt werden. Der Einbau der Dotierstoffe Si, Mg, und C, der Legierelemente Al,Ga und In sowie der Einfluß von Restverunreinigungen von As, O, und H sollen in-situ mit massenspektrometrischen Methoden genau studiert werden. Aufgrund des hohen Hintergrunddrucks von 10-5 mbar bei der Herstellung - hervorgerufen durch die N-Quelle, konnten bisher Flußschwankungen der Dotier- oder Legierungselemente weder gemessen noch während des Wachstumsprozesses korrigiert werden. Durch eine rückseitige Beschichtung der Substrate mit Ti bzw. Mo soll eine Verbesserung der Temperaturstabilität die Herstellung dicker c-GaN-Schichten ermöglichen. Zum Schluß sollen aus den kubischen Gruppe IIINitriden p-n-Übergänge und Heteroübergänge gefertigt und deren Diodenverhalten untersucht werden. Die Optimierung der elektrischen Eigenschaften bildet eine wesentliche Voraussetzung für den Einsatz von kubischen III-Nitriden zur Herstellung von blau emittierenden Laserdioden.

艾尔斯·多蒂斯托夫Sollen die Elemente Si、Mg 和 C 都将被激活。在 der kubischen Phase 研究、电气和光学特性中的霍尔效应和光发光技术。硅、镁和碳的材料，铝、镓的合法元素和砷、氧和氢的溶解原位法韦尔登的质量测量方法。请参阅 Ti bzw 的说明。 Heteroübergänge gefertigt 和 deren Diodenverhalten untersucht werden。