Real-Time Scanning Tunneling Microscopy of Nano-Scale Surface Modification by Dopant Ion Irradiation

掺杂离子辐照纳米级表面改性的实时扫描隧道显微镜

• 批准号: 20360023
• 负责人: OHDOMARI Iwao
• 金额: $ 11.56万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360023/
• 关键词: ナノ構造物性; ナノ表面・界面; ナノ構造作製; ナノ計測; ナノ物性制御

A scanning tunneling microscope system has been developed to observe in real-time the surface modification induced by ion irradiation for the purpose of understanding atomistic behaviors of implanted dopant atoms in nano-scale semiconductor devices. We have succeeded in imaging the formation and annihilation processes of ion-induced structures on thermally treated and passivated silicon surfaces. Basic studies have also been performed experimentally and by using computer simulations on electronic conduction mechanisms in future nano-scale three-dimensional devices.

我们开发了扫描隧道显微镜系统来实时观察离子辐照引起的表面改性，以了解纳米级半导体器件中注入的掺杂剂原子的原子行为。我们成功地对经过热处理和钝化的硅表面上离子诱导结构的形成和湮灭过程进行了成像。还通过实验和计算机模拟对未来纳米级三维器件中的电子传导机制进行了基础研究。

项目成果

離散的ドーパント位置のデバイス特性に及ぼす影響調査

研究离散掺杂剂位置对器件特性的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: 藤井拓也;矢守恭子;田中良明;Mitsumasa Iwamoto;平圭吾
• 通讯作者: 平圭吾

X-ray diffraction profiles from organosilane monolayer/SiO_2 models

有机硅烷单层/SiO_2 模型的 X 射线衍射图

• 发表时间: 2008
• 作者: H. Yamamoto;T. Watanabe;T. Tanii;I. Ohdomari
• 通讯作者: I. Ohdomari

Interface Related Issues in the Next Generation Si CMOS Technology

下一代 Si CMOS 技术中的接口相关问题

• 发表时间: 2008
• 作者: T.Saito;Y.Toda;R.Morita;辻真俊;I. Ohdomari
• 通讯作者: I. Ohdomari

Atomistic Picture of Silicon Oxidation Process ; Beyond the Deal-Grove Model(Invited talk)

硅氧化过程的原子图；

• 发表时间: 2009
• 作者: 石川誠;佐々木成朗;三浦浩治;渡邉孝信
• 通讯作者: 渡邉孝信

ナノテクノロジーの未来⇔新しい産学協働のスタイル(基調講演)

纳米技术的未来⇔产学合作新模式（主题演讲）

• 发表时间: 2008
• 作者: M.Suemitsu;H.Fukidome;R.Takahashi;K.Imaizumi;H.Handa;A.Yoshigoe;Y.Teraoka;大泊 巌
• 通讯作者: 大泊 巌