ダイヤモンドMOSFETの少数キャリア輸送特性改善と積算線量計への応用
金刚石MOSFET少数载流子输运特性的改进及其在集成剂量计中的应用
基本信息
- 批准号:18J01909
- 负责人:
- 金额:$ 2.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-25 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究はダイヤモンドFETを放射線の積算線量計として応用することを目指すものである。本年度はFET構造の試作とn型ダイヤモンド中の少数キャリア輸送特性評価を開始した。FETの母体となるn型ダイヤモンド上にMESFETを形成した。{111}上の低濃度(~1e16 cm-3)リンドープダイヤモンドと高濃度(~1e20 cm-3)リンドープダイヤモンド成長技術を組み合わせソース・ドレイン用のオーミックコンタクト、ゲート用のショットキーコンタクトを形成した。作製したFETのIds-Vds特性評価からFETとして動作することを確認した。n型ダイヤモンド少数キャリア輸送特性評価としてはEBICを用いて疑似縦型pn接合ダイオードに対し、電荷キャリアの収集効率からn型ダイヤモンドの少数キャリア拡散長を求めた。拡散長は加速電圧5kVから20kVの間で、約1μmから20μmであった。加速電圧の低下に伴い拡散長が低下したことから、オーミックコンタクトを形成するための高濃度n型層でのキャリアの再結合、捕獲の影響を受けており、より正確な評価には十分に厚い膜厚のダイオード、あるいは横型構造のダイオードが必要であることが分かった。学会発表については、昨年度得られた{111}ダイヤモンドのドーパント取り込みに関する成果を2件報告した。本年度得られた研究成果についてもn型ダイヤモンドのFET特性に関する論文1件の誌上発表を予定している。
这项研究旨在将钻石FET作为辐射的综合剂量计。今年,我们开始了N型钻石中少数载体运输特性的原型FET结构和评估。 MESFET是在N型钻石上形成的,该钻石是FET的母体。低浓度(〜1E16 cm-3)磷掺杂钻石和高浓度(〜1E20 cm-3)磷掺杂钻石生长技术的组合用于形成欧姆的接触,以供源头和排水管和雪橇式接触。已经证实,FET可以通过评估IDS-VDS特征来充当FET。对于N型钻石少数载体运输特性,EBIC用于确定N型钻石的少数载体扩散长度,用于伪垂直PN连接二极管的电荷载体收集效率。扩散长度在5kV和20kV之间,约为1μm至20μm。随着扩散长度随加速度电压的降低而降低,它受到高浓度N型层中载体的重组和捕获的影响,形成欧姆接触,并且发现需要足够厚的二极管或横向结构才能进行更准确的评估。关于会议演讲,我们报告了有关去年获得的{111}钻石的掺杂剂吸收的两个结果。我们还计划在期刊中发表有关N型钻石的Fet性质的一篇论文。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Detection of Defects in Diamond by Etch‐Pit Formation
通过蚀坑形成检测金刚石中的缺陷
- DOI:10.1002/pssa.201900247
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shimaoka Takehiro;Ichikawa Kimiyoshi;Koizumi Satoshi;Watanabe Kenji;Teraji Tokuyuki
- 通讯作者:Teraji Tokuyuki
Diamond photovoltaic radiation sensor using pn junction
使用pn结的金刚石光伏辐射传感器
- DOI:10.1063/1.5034413
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Shimaoka Takehiro;Koizumi Satoshi;Tanaka Manobu M.
- 通讯作者:Tanaka Manobu M.
{111}ホウ素ドープダイヤモンド薄膜成長の基板オフ角依存性評価
{111}硼掺杂金刚石薄膜生长的基底偏角依赖性评估
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:嶋岡毅紘;市川公善;小泉聡
- 通讯作者:小泉聡
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市川公善,寺地徳之,嶋岡毅紘,小泉 聡
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Reiko Mazuka
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