Formation and magnetic properties of ferromagnetic Fe3Si nanodots

铁磁性Fe3Si纳米点的形成及其磁性能

• 批准号: 19710088
• 负责人: NAKAMURA Yoshiaki
• 金额: $ 2.24万
• 依托单位: Osaka University (2008)The University of Tokyo (2007)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19710088/
• 关键词: ナノ構造形成・制御; ナノ磁性; ナノ材料; 自己組織化; MBE、エピタキシャル; シリサイド材料; Si系材料; Siデバイス; ナノドット; Si系デバイス

極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe3Si ナノドットを超高密度(>10^>12cm-2)に形成する技術を開発した。鉄とSiの組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nm サイズの半球状Fe3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe_3Siナノドットを超高密度(>10^<12>cm^<-2>)に形成する技術を開発した。鉄とSi の組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nmサイズの半球状Fe_3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。

使用超薄的Si氧化物膜，我们开发了一项技术，以极高的密度（> 10^> 12cm-2）形成大约几nm的外延Fe3SI纳米射线。发现可以通过改变铁和Si的组成比来控制纳米形状。在室温下，几个NM尺寸的半球Fe3SI纳米型是超帕磁性的，但是我们发现，纳米模块变平会使铁磁性磁通磁磁性脱位的温度提高到室温。通过详细检查纳米形状和磁性之间的这种强相关性，我们发现了设备应用所需的“室温操作”的纳米形成条件。使用超薄的Si氧化物膜，我们开发了一项技术，以极高的密度（> 10^<12> cm^<-2>）形成几nm的外延Fe_3Si纳米。发现可以通过改变铁和Si的组成比来控制纳米形状。几个NM尺寸的半球FE_3SI纳米射线在室温下是超帕磁性的，但是我们发现，当纳米模块变平时，铁磁性磁通磁磁性脱位温度会升高到室温。通过详细检查纳米形状和磁性之间的这种强相关性，我们发现了设备应用所需的“室温操作”的纳米形成条件。

项目成果

Si 基板上β-FeSi_2、Fe_3Si ナノドットの自己形成とその光学及び磁気特性

Si基底上β-FeSi_2、Fe_3Si纳米点的自形成及其光磁性能

• 发表时间: 2008
• 作者: 中村芳明;市川昌和
• 通讯作者: 市川昌和

STMカソードルミネッセンス分光法の空間分解能評価

STM 阴极发光光谱的空间分辨率评估

• 发表时间: 2007
• 作者: 渡辺健太郎;中村芳明. 市川昌和
• 通讯作者: 中村芳明. 市川昌和

AlGaAs/GaAs多層構造断面のSTM-CLイメージング

AlGaAs/GaAs 多层结构横截面的 STM-CL 成像

• 发表时间: 2008
• 作者: 渡辺健太郎;中村芳明;窪谷茂幸;片山竜二;尾鍋研太郎;市川昌和
• 通讯作者: 市川昌和

超高密度に形成したGe_<1-x>Sn_x量子ドットの電子状態と発光特性

超致密Ge_<1-x>Sn_x量子点的电子态及发光特性

• 发表时间: 2007
• 作者: 中村芳明;正田明子;趙星彪. 田中信夫. 市川昌和
• 通讯作者: 趙星彪. 田中信夫. 市川昌和

極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャルGaSb薄膜のSi基板上への形成

利用超薄硅氧化膜在硅衬底上形成外延GaSb薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: 金井龍一;杉本智洋;中村芳明;市川昌和
• 通讯作者: 市川昌和