Surface and interface control in the epitaxial growth of boride thin films

硼化物薄膜外延生长中的表面和界面控制

• 批准号: 19686043
• 负责人: TAKAMURA Yukiko
• 金额: $ 16.31万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19686043/
• 关键词: MBE; エピタキシャル; 走査プローブ顕微鏡; 超薄膜; エピタキシー; 走杳プローブ顕微鏡; 薄膜; 化学気相成長; 表面; 界面; MBE, エピタキシャル; MBE,エピタキシャル

A unique ultrahigh vacuum chemical vapor epitaxy system, which prevents oxygen incorporation into boride films and also has capability of in-situ growth monitoring, was successfully built. The epitaxial growth of zirconium diboride thin films was carried out on silicon, sapphire, and gallium nitride. Surface segregating elements originating from the substrates, which were observed as different surface reconstructions during the growth, were found to be responsible for the reaction at the surface. Single-crystallinity was confirmed for the films grown on sapphire substrates under optimized conditions, driven by a stable interface structure, while the films grown on silicon contained some misoriented crystallites due to competing interfaces.

独特的超高真空化学蒸气外延系统，可通过成功地建立了氧气掺入硼化物膜中，并且具有现场生长监测的能力。在硅，蓝宝石和硝酸盐上进行了二吡啶二吡啶薄膜的外延生长。发现源自底物的表面隔离元件被认为是在生长过程中被视为不同表面重建的，这是对表面反应的原因。在优化条件下在蓝宝石底物上生长的薄膜（由稳定的界面结构驱动）确认了单晶，而在硅上生长的薄膜却包含了由于竞争界面而导致的一些不良的结晶石。

项目成果

Scanning tunneling microscope investigations of ZrB_2 thin films grown on Si(111)

Si(111)上生长的ZrB_2薄膜的扫描隧道显微镜研究

• 发表时间: 2010
• 作者: A.Fleurence;Y.Yamada-Takamura
• 通讯作者: Y.Yamada-Takamura

サファイアを基板としたニホウ化ジルコニウム薄膜のエピタキシャル成長

蓝宝石衬底上外延生长二硼化锆薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 高村(山田)由起子;サンブナスベラ
• 通讯作者: サンブナスベラ

窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価

使用扫描探针显微镜对氮化物半导体薄膜进行显微评估

• 发表时间: 2007
• 期刊: 応用物理 76
• 作者: 高村(山田)由起子;王治涛;藤川安仁;櫻井利夫
• 通讯作者: 櫻井利夫

単結晶配向ニホウ化ジルコニウム薄膜表面の構造・電子状態解析

单晶取向二硼化锆薄膜表面的结构和电子态分析

• 发表时间: 2010
• 作者: 高村(山田)由起子;他
• 通讯作者: 他

Surface electronic structure of single-crystalline zirconium diboride thin films

单晶二硼化锆薄膜的表面电子结构

• 发表时间: 2010
• 作者: Y. Yamada-Takamura;F. Bussolotti;A. Fleurence;S. Bera;R. Friedlein
• 通讯作者: R. Friedlein