Light induced room temperature magnetoresistance oscillation in ferromagnetic oxide semiconductor

铁磁氧化物半导体中的光致室温磁阻振荡

基本信息

  • 批准号:
    19686021
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 13.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

強磁性半導体CoドープTiO2の高品質アナターゼ型試料の作製により、常磁性-強磁性の相境界の電子濃度を決定し、キュリー温度が約600 Kときわめて高温であることを明らかにした。バンド間遷移を誘起する紫外光励起では電子濃度の増加は微小で顕著な磁気伝導の変化は見られなかったが、強電界効果による電子ドーピングの結果、室温での異常ホール効果が増加した。これは強磁性が電子キャリアの媒介であることの直接的な証拠であり、室温で電気的に強磁性を制御できた応用上も極めて重要な成果である。
By producing high-quality antase-type samples of ferromagnetic semiconductor CO dope TIO2, the electron concentration of the synthetic and ferromagnetism was determined, and the curly temperature was about 600 k k k k k k k k k k k k k k k k k k k k k k k k k, indicated that it was extremely hot.在诱导波段解释的紫外线发光激发中,电子浓度的增加增加了,但没有看到磁传导的显着变化,但是由于较强的功率场效应引起的电子掺杂,室温异常的孔效应引起的电子掺杂。增加。这是一个直接的证据表明,铁磁磁性是电子载体的中介,这也是一个非常重要的成就,可以在室温下电磁电阻。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Self-assembled octadecanoic acid monolayer on oxide surfaces
氧化物表面自组装十八烷酸单层
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. Y. Gunji;H. Hiraga;M. Nakano;A. Ohtomo;T. Makino;T. Fukumura;M. Kawasaki
  • 通讯作者:
    M. Kawasaki
強磁性半導体素子及び強磁性半導体の制御方法
铁磁半导体元件及铁磁半导体控制方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
光照射によるTi_<1-x>Co_xO_2の電子状態変化
光照射下Ti_<1-x>Co_xO_2电子态的变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山下直飛人;須田山貴亮;田久保耕;溝川貴司;豊崎秀海;福村知昭;川崎雅司
  • 通讯作者:
    川崎雅司
コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造
钴掺杂二氧化钛薄膜的制备方法、钴掺杂二氧化钛薄膜及多层薄膜结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
アナターゼTi_<1-x>Co_xO_<2-δ>薄膜における強磁性-常磁性相境界の磁性
锐钛矿 Ti_<1-x>Co_xO_<2-δ> 薄膜中铁磁-顺磁相界的磁性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山田良則;福村知昭;上野和紀;中野匡規;山崎高志;川崎雅司
  • 通讯作者:
    川崎雅司
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