Chemical short-range order in radiation-induced amorphous SiC
辐射诱导非晶 SiC 中的化学短程有序
基本信息
- 批准号:19560664
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
照射誘起非晶質炭化ケイ素(SiC)の構造および構造緩和過程を先端的電子顕微鏡技術により調べた。非晶質SiCは第1隣接においてSi-C異種原子対に加え、結晶には存在しないC-C、Si-Si同種原子対を有することが明らかとなった。熱処理に伴い異種原子対は増加するのに対し同種原子対は減少し、構造緩和により化学的短範囲規則性が変化することが確認された。Si-Si原子対はC-C原子対よりも構造緩和により早く消失し、この同種原子対間の消滅速度の違いにより非晶質SiCの体積は大きく変化することが示唆された
通过高级电子显微镜检查了辐射诱导的非结晶碳化物(SIC)的结构和结构放松过程。在第一个相邻的情况下,有发现在第一个相邻,除了Si-C异质原子对外,C-C和Si-Si不存在于晶体中。已经证实,由于热处理而导致的异质原子对增加,而相同的-type对减少,结构放松改变了化学短距离规则。与C-C原子对相比,由于结构放松,Si-Si原子对的显示速度更快,并且建议由于间隙之间的闪烁速度差异,非晶体SIC的体积将大大变化。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
照射誘起構造変化の透過電子顕微鏡法による解析(受賞講演)」
使用透射电子显微镜分析辐照引起的结构变化(获奖演讲)”
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:石丸学;平田秋彦;内藤宗幸;弘津禎彦;石丸学
- 通讯作者:石丸学
照射誘起構造変化の透過電子顕微鏡法による解析(受賞講演)
使用透射电子显微镜分析辐照引起的结构变化(获奖讲座)
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:石丸 学;平田秋彦;内藤宗幸;弘津禎彦;石丸 学
- 通讯作者:石丸 学
Direct observations of thermally induced structural changes in amorphous silicon carbide
- DOI:10.1063/1.2960342
- 发表时间:2008-08-01
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Ishimaru, Manabu;Hirata, Akihiko;Weber, William J.
- 通讯作者:Weber, William J.
Structural relaxation in amorphous SiC studied by in situ transmission electron microscopy
原位透射电子显微镜研究非晶 SiC 的结构弛豫
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Ishimaru;A. Hirata;M. Naito;I.-T. Bae;Y. Zhang;and W. J. Weber
- 通讯作者:and W. J. Weber
Post-annealing recrystallization and damage recovery process in Fe ion implanted Si
Fe离子注入Si的退火后再结晶及损伤恢复过程
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Naito;A. Hirata;M. Ishimaru;and Y. Hirotsu
- 通讯作者:and Y. Hirotsu
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