Flexible information devices using high-speed organic transistors

使用高速有机晶体管的柔性信息设备

基本信息

批准号：
19360155
负责人：
KUDO Kazuhiro
金额：
$ 10.98万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

A novel structure, step-edge vertical-channel organic field-effect transistor (SVC-OFET), have been developed for achieving the short channel length. SVC-OFETs showed excellent device performances having a high current and high cutoff frequency of approximately 1.5MHz. we propose new active antenna elements which have a loop antenna combined with SVC-OFETs. By choosing the structure and materials of the SVC-OFETs, the characteristics of the active antenna can be controlled. The active antenna is expected for the application to printed radio-frequency identification tag (RF-ID Tag).

为了实现短沟道长度，开发了一种新颖的结构，即阶梯边缘垂直沟道有机场效应晶体管（SVC-OFET）。 SVC-OFET 显示出出色的器件性能，具有高电流和约 1.5MHz 的高截止频率。我们提出了新型有源天线元件，其具有与 SVC-OFET 相结合的环形天线。通过选择SVC-OFET的结构和材料，可以控制有源天线的特性。有源天线有望应用于印刷射频识别标签(RF-ID Tag)。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

有機薄膜形成とデバイス応用展開

有机薄膜形成及器件应用开发

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
V.Singh;A.K. Thakur;S.S. Pandey;W. Takashima;K. Kaneto;藤井彰彦
通讯作者：
藤井彰彦

有機デバイスの進展と新構造トランジスタの開発

有机器件进展及新型结构晶体管的研制

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Sakai;H. Sakuma;Y. Ito;A. Saito;M. Nakamura;K. Kudo;M. Sakai;増田将太郎;中村雅一;H.Mizuno;K.Kudo;K. Kudo;M.Nakamura;高野智輝;増田将太郎;K.Kudo;K.Kudo;M.Sakai;工藤一浩;前田悠;高野智輝;高原知樹;工藤一浩;深川弘彦;渡邊康彦;工藤一浩;石黒雅人;工藤一浩;工藤一浩;工藤一浩;工藤一浩;工藤一浩;前田悠;H.Yamauchi;Y.Watanabe;酒井正俊;工藤;T. Takano;H. Iechi;工藤一浩
通讯作者：
工藤一浩

塗布型有機絶縁材料を用いたFETの作製

使用涂层有机绝缘材料制造 FET

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Morimoto;S. Khonton;Y. Ohishi;工藤一浩
通讯作者：
工藤一浩

Ferroelectriclike Dielectric Response and Metal-Insulator Transition in Organic Insulator-Gate Insulator Interface

有机绝缘体-栅极绝缘体界面中的类铁电介电响应和金属-绝缘体转变

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
J.Appl.Phys. 107
影响因子：
0
作者：
M. Sakai;Y. Ito;T. Takahara;M. Ishiguro;M. Nakamura;K. Kudo
通讯作者：
K. Kudo

有機TFTの最新研究動向

有机TFT的最新研究动态

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Semiconductor FPD World 9
影响因子：
0
作者：
M. Nakamura;H. Ohguri;N. Goto;H. Tomii;M. Xu;T. Miyamoto;R. Matsubara;N. Ohashi;M. Sakai;K. Kudo;T.Takano;F.Pu;工藤一浩;工藤一浩
通讯作者：
工藤一浩