Field-effect phase transitions in nanoscale oxides

纳米级氧化物中的场效应相变

• 批准号: 19340094
• 负责人: LIPPMAA Mikk
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19340094/
• 关键词: 電子デバイス・機器; ナノ材料; 表面・界面物性; 物性実験; マイクロ・デバイス; MBE,エピタキシャル

We have developed a process for fabricating micron-scale fully epitaxial top-gate oxide field-effect transistors that use an oxide channel, oxide source and drain electrodes and a wide-gap oxide gate insulator. We have studied charge accumulation at CaHfO_3/SrTiO_3, DyScO_3/SrTiO_3, and SrTiO_3/LaTiO_3 interfaces. As a way to confine carriers in a narrower layer at an interface, we are developing Ruddlesden-Popper-type two-dimensionalquantum wells

我们开发了一种制造微米级全外延顶栅氧化物场效应晶体管的工艺，该晶体管使用氧化物沟道、氧化物源极和漏极以及宽间隙氧化物栅极绝缘体。我们研究了CaHfO_3/SrTiO_3、DyScO_3/SrTiO_3和SrTiO_3/LaTiO_3界面上的电荷积累。作为将载流子限制在界面较窄层中的一种方法，我们正在开发 Ruddlesden-Popper 型二维量子阱

项目成果

単結晶SrTiO_3電界効果トランジスタに向けたエピタキシャルDyScO_3薄膜の作製

单晶SrTiO_3场效应晶体管外延DyScO_3薄膜的制备

• 发表时间: 2007
• 作者: 西尾和記;安部拓也;大西剛;山本剛久;Mikk Lippmaa
• 通讯作者: Mikk Lippmaa

Single Crystal SrTiO_3 (100) Field Effect Transistors with epitaxial DyScO_3 gate insulator

带外延 DyScO_3 栅极绝缘体的单晶 SrTiO_3 (100) 场效应晶体管

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Nishio;T. Abe;T. Ohnishi;M. Lippmaa
• 通讯作者: M. Lippmaa

パルスレーザー堆積法による低濃度キャリアドープされた高移動度n型SrTiO3薄膜の作製

脉冲激光沉积法制备低浓度载流子掺杂高迁移率n型SrTiO3薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: 菅野弦哉;原田尚之;大久保勇男;組頭広志;大西剛;松本祐司;Mikk Lippmaa;鯉沼秀臣;尾嶋正治;小塚裕介,大西剛,Mikk Lippmaa,疋田育之,Harold Hwang
• 通讯作者: 小塚裕介,大西剛,Mikk Lippmaa,疋田育之,Harold Hwang

Probing the electronic states in oxide heterostructures by field effect+J29+N67

通过场效应探测氧化物异质结构中的电子态 J29 N67

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Nishio;T. Abe;T. Ohnishi;M. Lippmaa;M.Lippmaa
• 通讯作者: M.Lippmaa

Pulsed Laser Deposition : 酸化物ターゲット中の酸素

脉冲激光沉积：氧化物靶材中的氧气

• 发表时间: 2007
• 作者: 大西剛;Mikk Lippmaa
• 通讯作者: Mikk Lippmaa