Field-effect phase transitions in nanoscale oxides

纳米级氧化物中的场效应相变

• 批准号: 19340094
• 负责人: LIPPMAA Mikk
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19340094/
• 关键词: 電子デバイス・機器; ナノ材料; 表面・界面物性; 物性実験; マイクロ・デバイス; MBE,エピタキシャル; 電子デバイス・機器; ナノ材料; 表面・界面物性; 物性実験; マイクロ・デバイス; MBE,エピタキシャル

We have developed a process for fabricating micron-scale fully epitaxial top-gate oxide field-effect transistors that use an oxide channel, oxide source and drain electrodes and a wide-gap oxide gate insulator. We have studied charge accumulation at CaHfO_3/SrTiO_3, DyScO_3/SrTiO_3, and SrTiO_3/LaTiO_3 interfaces. As a way to confine carriers in a narrower layer at an interface, we are developing Ruddlesden-Popper-type two-dimensionalquantum wells

我们已经开发了一个工艺，用于制造微米尺度的完全外延顶部氧化物氧化物现场效应晶体管，该晶体管使用氧化物通道，氧化物源和排水电极以及宽间隙氧化物栅极绝缘子。我们已经在CAHFO_3/SRTIO_3，DYSCO_3/SRTIO_3和SRTIO_3/LATIO_3接口上研究了电荷积累。作为将载体限制在界面处较窄层中的一种方式，我们正在开发Ruddlesden-Popper型二维井井