窒化インジウムの貫通転位低減化に関する研究

减少氮化铟中穿透位错的研究

• 批准号: 06J03675
• 负责人: 武藤 大祐
• 金额: $ 1.79万
• 依托单位: Ritsumeikan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06J03675/
• 关键词: InN; GaN; RF-MBE; インターミキシング; 転位; InGaN; p型; Mgドーピング

GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシングの抑制に関する研究前年度にGaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシングについて報告した。GaNの堆積温度が高くなるに従い、形成されるInGaNのIn組成が高くなることが明らかとなった。今年度は、GaN/InN界面で起こるInとGaのインターミキシングの抑制方法について検討を行ったので報告する。始めに、GaN/InN界面におけるインターミキシングのメカニズムを調べるために、GaN/InNサンプルの熱的耐性について調べた。GaN/InNサンプルをRF-MBE法を用いて作製し、これらサンプルを窒素ラジカル照射しながらアニールした。その結果、アニール処理を行ったサンプルと、処理を行わなかったサンプルでは、InN上に形成されるInGaNの組成に変化がないことがわかった。この結果は、GaN堆積中にのみInとGaのインターミキシングが起こっていることを示している。このことから、GaN/InN界面におけるインターミキシングを抑制するにはGaN堆積条件が大きな鍵を握っていることがわかった。そこで次に、GaNの堆積速度変え、InN上に形成されるInGaNの組成を調べた。その結果、GaNの堆積レートを上げるに従い、インターミキシングによって形成されるInGaNのIn組成比が低くなることが明らかになった。この結果は、InとGaの拡散速度が堆積温度に依存しており、GaNの堆積時間を短くすることにより、GaN/InN界面で拡散するInとGaの量が少なくなったことに起因していると考えている。GaN/InN界面でのInとGaのインターミキシングを低く抑えるには、GaNの堆積温度を下げること、またGaNの堆積温度が高い場合においても、堆積レートを上げ堆積時間を短くすることにより可能であることがわかった。

据报道，关于上一年在GAN/INN界面上抑制IN和GA之间混合的研究，据报道，GAN/INN INN界面的IN和GA之间的混合。已经揭示了成型Ingan的组成随着沉积温度的增加而增加。今年，我们讨论了如何抑制GAN/INN界面上发生的IN和GA之间的混合，因此我们将对此进行报告。首先，为了研究GAN/INN界面上混合的机理，研究了GAN/INN样品的热电阻。使用RF-MBE方法制备GAN/INT样品，并在照射氮自由基时退火。结果，发现在Inn上形成的Ingan的组成并未改变退火样品和未处理的样品。该结果表明IN和GA的混合仅在GAN沉积过程中发生。这表明GAN沉积条件是抑制在GAN/INN界面上混合的主要关键。接下来，我们通过更改GAN的沉积速率来研究Inn在Inn形成的成分。结果，据揭示了随着GAN的沉积速率的增加，通过混合减少而形成的INGAN的组成比。该结果被认为是由于IN和GA的扩散速率取决于沉积温度的事实，并且通过缩短GAN的沉积时间来降低GAN/INN界面处的IN和GA的量。已经发现，通过降低GAN的沉积温度并增加沉积速率并缩短沉积时间，即使在GAN沉积温度较高时，可以将GA在GAN/INN界面保持在较低的GA/Inn界面中。

项目成果

Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3 (0001) templates

GaN/Al_2O_3 (0001) 模板上富 In 条件下的新型 InN 生长方法

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi
• 通讯作者: T. Yamaguchi

A面(11-20)InNに対するMgドーピングの効果

Mg掺杂对A面(11-20)InN的影响

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva;武藤大祐;山口智広;高木悠介;野沢浩一;Y. Nanishi;S. Kikuchi;T. Yamaguchi;D. Muto;武藤大祐;野田光彦
• 通讯作者: 野田光彦

LiAIO_2(100)基板上MgドープM面(10-10)InNの結晶成長

LiAIO_2(100)衬底上Mg掺杂M面(10-10) InN的晶体生长

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva;武藤大祐;山口智広;高木悠介
• 通讯作者: 高木悠介

低速陽電子ビームを用いたMgドープInNの点欠陥の検出

使用慢正电子束检测掺镁 InN 中的点缺陷

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva;武藤大祐;山口智広;高木悠介;野沢浩一;Y. Nanishi;S. Kikuchi;T. Yamaguchi;D. Muto;武藤大祐;野田光彦;野沢浩一;成田幸輝
• 通讯作者: 成田幸輝

Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications

InN及相关合金在器件应用中的潜力、成就和问题

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva;武藤大祐;山口智広;高木悠介;野沢浩一;Y. Nanishi
• 通讯作者: Y. Nanishi