窒化インジウムの貫通転位低減化に関する研究

减少氮化铟中穿透位错的研究

基本信息

批准号：
06J03675
负责人：
武藤大祐
金额：
$ 1.79万
依托单位：
Ritsumeikan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2008
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06J03675/
关键词：
InN GaN RF-MBE インターミキシング転位 InGaN p型 Mgドーピング

项目摘要

GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシングの抑制に関する研究前年度にGaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシングについて報告した。GaNの堆積温度が高くなるに従い、形成されるInGaNのIn組成が高くなることが明らかとなった。今年度は、GaN/InN界面で起こるInとGaのインターミキシングの抑制方法について検討を行ったので報告する。始めに、GaN/InN界面におけるインターミキシングのメカニズムを調べるために、GaN/InNサンプルの熱的耐性について調べた。GaN/InNサンプルをRF-MBE法を用いて作製し、これらサンプルを窒素ラジカル照射しながらアニールした。その結果、アニール処理を行ったサンプルと、処理を行わなかったサンプルでは、InN上に形成されるInGaNの組成に変化がないことがわかった。この結果は、GaN堆積中にのみInとGaのインターミキシングが起こっていることを示している。このことから、GaN/InN界面におけるインターミキシングを抑制するにはGaN堆積条件が大きな鍵を握っていることがわかった。そこで次に、GaNの堆積速度変え、InN上に形成されるInGaNの組成を調べた。その結果、GaNの堆積レートを上げるに従い、インターミキシングによって形成されるInGaNのIn組成比が低くなることが明らかになった。この結果は、InとGaの拡散速度が堆積温度に依存しており、GaNの堆積時間を短くすることにより、GaN/InN界面で拡散するInとGaの量が少なくなったことに起因していると考えている。GaN/InN界面でのInとGaのインターミキシングを低く抑えるには、GaNの堆積温度を下げること、またGaNの堆積温度が高い場合においても、堆積レートを上げ堆積時間を短くすることにより可能であることがわかった。

抑制GaN/InN界面处In和Ga混合的研究去年，我们报道了GaN/InN界面处In和Ga混合的研究。已经清楚的是，随着GaN沉积温度升高，所形成的InGaN的In成分增加。今年，我们将报告如何抑制 GaN/InN 界面处发生的 In 和 Ga 混合的研究。首先，我们研究了 GaN/InN 样品的热阻，以研究 GaN/InN 界面处的混合机制。使用RF-MBE方法制备GaN/InN样品，并在用氮自由基照射的同时对这些样品进行退火。结果发现，在经过退火处理的样品和未经过处理的样品之间，在InN上形成的InGaN的组成没有变化。该结果表明In和Ga的混合仅在GaN沉积期间发生。这表明GaN沉积条件是抑制GaN/InN界面处混合的关键因素。接下来，我们通过改变 GaN 沉积速率研究了在 InN 上形成的 InGaN 的成分。结果表明，随着GaN沉积速率的增加，通过混合形成的InGaN的In组成比降低。这个结果是由于In和Ga的扩散速率取决于沉积温度，并且通过缩短GaN沉积时间，在GaN/InN界面处扩散的In和Ga的量减少。通过降低GaN沉积温度，可以抑制In和Ga在GaN/InN界面处的混合，并且即使当GaN沉积温度较高时，也可以通过提高沉积速率和缩短沉积时间来抑制。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3 (0001) templates

GaN/Al_2O_3 (0001) 模板上富 In 条件下的新型 InN 生长方法

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi
通讯作者：
T. Yamaguchi

A面(11-20)InNに対するMgドーピングの効果

Mg掺杂对A面(11-20)InN的影响

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva;武藤大祐;山口智広;高木悠介;野沢浩一;Y. Nanishi;S. Kikuchi;T. Yamaguchi;D. Muto;武藤大祐;野田光彦
通讯作者：
野田光彦

LiAIO_2(100)基板上MgドープM面(10-10)InNの結晶成長

LiAIO_2(100)衬底上Mg掺杂M面(10-10) InN的晶体生长

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva;武藤大祐;山口智広;高木悠介
通讯作者：
高木悠介

低速陽電子ビームを用いたMgドープInNの点欠陥の検出

使用慢正电子束检测掺镁 InN 中的点缺陷

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva;武藤大祐;山口智広;高木悠介;野沢浩一;Y. Nanishi;S. Kikuchi;T. Yamaguchi;D. Muto;武藤大祐;野田光彦;野沢浩一;成田幸輝
通讯作者：
成田幸輝

Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications

InN及相关合金在器件应用中的潜力、成就和问题

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi;H. Nozawa;V. Darakchieva;武藤大祐;山口智広;高木悠介;野沢浩一;Y. Nanishi
通讯作者：
Y. Nanishi