AlP/GaP超格子中に導入した窒素等電子準位の解明と発光効率向上に関する研究

AlP/GaP超晶格中氮等电子能级的阐明及发光效率的提高研究

基本信息

批准号：
06750016
负责人：
若原昭浩
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750016/
关键词：
有機金属気相成長法有機アミン等電子不純物

项目摘要

本研究では、AlP/GaP超格子構造中で得られる励起子発光を積極的に利用した緑〜黄色波長領域での高輝度発光デバイスを実現するために、AlP/GaP超格子中への等電子不純物添加および超格子中の等電子不純物による発光について検討を行い、以下のような結果を得た。1.NH_3を窒素原料として用いた場合には、燐原料としてタ-シャリブチルホスフィン(TBP)を用いることにより、PH_3を用いた場合には困難とされていたGaP成長層中への窒素添加が容易に行える。2.NH_3を用いてAlP/GaP超格子中への窒素等電子不純物の導入時には、NH_3のメモリー効果によりトリメチルアルミニウムが不均一な反応を生じ、均一な超格子層は得られなかった。3.窒素原料として、タ-シャリブチルアミン(t-BNH_2)を用いることにより、AlGaP成長層への良好なN添加特性が得られることを明らかにした。4.AlGaP中のN等電子トラップからの発光を観測し、そのエネルギー準位がほぼGaP中のN等電子トラップのエネルギー準位と等しいことを明らかにした。以上の結果を踏まえて、タ-シャリブチルアミンを窒素原料として超格子中への窒素等電子不純物添加について研究を進めているところであり、励起子束縛中心の導入によりAlP/GaP超格子の発光効率の更なる向上を目指す。

在这项研究中，为了实现积极利用在AlP/GaP超晶格结构中获得的激子发射的绿色到黄色波长范围内的高亮度发光器件，我们将引入我们研究了由于杂质添加和等电子引起的发光超晶格中的杂质，并得到以下结果。 1.当使用NH_3作为氮源时，使用叔丁基膦(TBP)作为磷源，使得将氮添加到GaP生长层中成为可能，这在使用PH_3时很容易做到。 2.利用NH_3向AlP/GaP超晶格中引入氮等电子杂质时,由于NH_3的记忆效应,三甲基铝反应不均匀,无法获得均匀的超晶格层。 3.结果表明，使用叔丁胺(t-BNH_2)作为氮源可以获得良好的AlGaP生长层的氮添加特性。 4.我们观察了AlGaP中N等电子陷阱的发射，发现其能级几乎等于GaP中N等电子陷阱的能级。基于上述结果，我们目前正在进行以叔丁胺为氮原料向超晶格中添加氮等电子杂质的研究，旨在通过引入激子结合中心来提高AlP/GaP超晶格的发光效率。进一步改进。