立方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長を目指した新規プラズマプロセシング開発

立方氮化硼外延生长新型等离子体工艺的开发

基本信息

  • 批准号:
    03F03055
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.77万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2003 至 2004
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

時間制御バイアススパッタ法(TDBT)により結晶軸方向を制御されたturbostratic boron nitride(tBN)薄膜を合成し、ナノ構造に敏感な機械物性測定手法であるナノインデンテーション法を用いた微視的領域での機械特性の分析を行った。単層のtBN薄膜に対する微視硬度の測定においては、荷重-変位曲線に粘弾性的な挙動が生じることを見出した。具体的には、最大荷重を保持する時間に応じて変形が進行してゆき、それらは荷重の除去後、ゆるやかに回復することが確認された。これは従来のセラミックス体に対する材料力学では脱明できない特異的な挙動であるが、透過型電子顕微鏡(TEM)内での"その場"の圧縮試験においてtBNベーサルプレーンの屈曲が粘弾性の物理的起源であると推測された。他方、sp^3、sp^2両結合の混層からなる薄膜についての機械特性の測定も行った。算出された硬度はcubic相の割合が増えるほど増加する傾向にあり、96%の高純度薄膜において50GPaに達することが示された。また、荷重除去後の永久変形量においてcBN、tBNの両薄膜で大きな違いが確認された。ほぼ純粋なcBNがダイヤモンド短針の挿入深さと対応する変形を生じているのに対し、tBNは上述の回復現象を明確に再現していた。微細構造、特にナノ領域においての機械的挙動には量子力学的効果が強く働くことが予想されるが、B-N結合の差異による機械物性の変化についての理論的説明は今後の研究課題である。工学的にはこれらの構造をMEMSにおける衝撃緩和素子への応用することが可能であるものと考えられる。
我们合成了一种晶轴方向由时间控制偏压溅射(TDBT)控制的乱层氮化硼(tBN)薄膜,并使用纳米压痕(一种对纳米结构敏感的机械性能测量方法)在微观区域对其进行了分析。对材料进行了分析。在测量单层tBN薄膜的显微硬度时,我们发现载荷-位移曲线表现出粘弹性行为。具体而言,确认了变形随着最大载荷的维持时间而进展,并且在载荷去除后变形缓慢地恢复。这是一种奇特的行为,无法用陶瓷体的传统材料力学来解释,但在透射电子显微镜 (TEM) 的“原位”压缩测试中,由于粘弹性物理作用,观察到了 tBN 基面的弯曲。假设这就是起源。另一方面,我们还测量了由 sp^3 和 sp^2 键混合层组成的薄膜的机械性能。计算得到的硬度随着立方相比例的增加而呈增加趋势,结果表明,在96%纯度的薄膜中硬度达到了50 GPa。另外,在去除负载后的永久变形量方面,cBN和tBN薄膜之间确认了很大的差异。几乎纯的 cBN 会产生与金刚石短针插入深度相对应的变形,而 tBN 则清晰地再现了上述恢复现象。预计量子力学效应将强烈影响微观结构的机械行为,尤其是纳米尺度的机械行为,但对由于 B-N 键差异而导致的机械性能变化的理论解释是未来的研究课题。从工程角度来看,将这些结构应用于 MEMS 中的减震元件被认为是可能的。

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Mechanical properties of boron nitride films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
  • DOI:
    10.1016/j.surfcoat.2005.01.032
  • 发表时间:
    2005-10
  • 期刊:
  • 影响因子:
    5.4
  • 作者:
    Hangsheng Yang;T. Yoshida
  • 通讯作者:
    Hangsheng Yang;T. Yoshida
Peculiar deformation characteristics of turbostratic boron nitride thin films
乱层氮化硼薄膜的特殊变形特性
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吉田 豊信其他文献

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  • 通讯作者:
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新規プラズマスプレーによる遮熱ナノコーィング開発
使用新型等离子喷涂开发热障纳米涂层
  • 批准号:
    04F04105
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
立方晶窒化ホウ素のヘテロエピタキシャル成長を目指した新規プラズマプロセシング開発
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  • 批准号:
    03F00055
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    00F00086
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    10875125
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
核生成・成長過程独立制御による高品位cBNプラズマ合成
高质量 cBN 等离子体合成,独立控制成核和生长过程
  • 批准号:
    08405047
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
単一溶射粒子の変形・急冷凝固過程のその場計測
单喷射颗粒变形及快速凝固过程的原位测量
  • 批准号:
    07219206
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ハイブリッドプラズマ溶射法による高性能SOFCの要素開発と集積化
采用混合等离子喷涂方法的高性能SOFC的元件开发和集成
  • 批准号:
    07505020
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカルの役割と組織制御
自由基和结构控制在电感耦合高密度等离子体沉积过程中的作用
  • 批准号:
    07217205
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカルの役割と組織制御
自由基和结构控制在电感耦合高密度等离子体沉积过程中的作用
  • 批准号:
    06228209
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
単一溶射粒子の変形・急冷凝固過程の伝熱モデリングとその場計測
单个喷涂颗粒变形和快速凝固过程的传热建模和原位测量
  • 批准号:
    06230206
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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