Cr_2O_3(0001)薄膜表面の構造と水素の吸着・拡散

Cr_2O_3(0001)薄膜表面结构与氢吸附/扩散

基本信息

  • 批准号:
    13750027
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.54万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2001
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2001 至 2002
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では,Cr(110)表面に膜厚を制御したCr203(0001)単結晶薄膜を作製し,その構造と物性を明らかにするとともに,薄膜中の水素の拡散係数を求め,Cr203(0001)表面と膜中での水素の動態を解明することを目的としている.本年度は,1.走査トンネル分光装置の整備,2.赤外吸収分光によるフォノンスペクトル測定,3.走査トンネル分光による電子状態測定,4.Cr2O3(0001)への水素吸着,の4項目について研究を行った.1では,新たに走査トンネル分光装置を整備し,このためのCr(110)試料を作製した.2では,昨年度に見出した光学縦モードフォノンの詳細な温度依存性を測定し,磁気的相転移について考察した.3では,走査トンネル分光を用いて電子状態の測定を行った.膜厚が1nmまでは金属的,1nmを越えると絶縁体的になることを明らかにした.赤外吸収分光およびオージェ電子分光の結果をあわせて考察すると,膜厚1nmの時は化学組成的にCr2O3が形成されているにもかかわらず金属的な電子状態を示し,膜厚が1nm以上で絶縁体に転移すると考えられる.1nm以下では金属との近接効果により金属的振る舞いを示すものと考えられる.4.では熱脱離分光法を用いて,Cr2O3(0001)への水素吸着の実験を行った.90K以上の温度では,平坦な表面には水素は吸着しないことを明らかにした.しかしながら欠陥サイトでは解離吸着する可能性があることを見出した.
在这项研究中,我们制造了CR203(0001)的单晶薄膜,在CR(110)表面和结构和物理性质上具有受控膜厚度,并确定膜中氢的扩散系数,并阐明膜中氢的动力学。在今年,我们对四个项目进行了研究:1。维持扫描隧道光谱,2。使用红外吸收光谱法测量语音光谱法,3。使用扫描隧道光谱法测量电子状态,使用4。在本文中,我们开发了一种新的扫描隧道光谱,并为此目的制造了CR(110)样品。在本文中,我们测量了去年发现的光学纵向模式声子的温度依赖性,并检查了磁相变。在本文中,我们测量了去年在去年发现的光学纵向模式声子的详细温度依赖性,并检查了磁相跃迁。在本文中,我们开发了新的扫描隧道光谱。 ,1 nm用于测量电子状态。尽管CR2O3具有化学成分,但红外吸收光谱和螺旋钻电子光谱的结果表明金属状态,当膜厚度为1 nm或更高时,被认为在1 nm的厚度为1 nm时被转移到绝缘体中,因此认为由于具有金属效果而表现出金属行为。 4。在热解呼谱中,对氢吸附到CR2O3(0001)进行了实验。据表明,在90 K以上的温度下,氢吸附到平坦的表面上。但是,发现有缺陷的位点有解离吸附。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Wilde, M.Matsumoto, K.Fukutani, T.Okano, Y.Mizuno, T.Homma: "Hydrogen sorption by Ti(0001) single crystal surfaces"J. Vac. Soc. Jpn.. 45. 458-462 (2002)
M.Wilde、M.Matsumoto、K.Fukutani、T.Okano、Y.Mizuno、T.Homma:“Ti(0001) 单晶表面的氢吸附”J。
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Itoyama, M.Wilde, M.Matsumoto, T.Okano, K.Fukutani: "Adsorption and photoexcitation of NO on Ag/Pt(111)"Surf. Sci. (2001). 493. 84-90 (2001)
Itoyama、M.Wilde、M.Matsumoto、T.Okano、K.Fukutani:“NO 在 Ag/Pt(111) 上的吸附和光激发”Surf。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Z.Liu, S.Fujieda, K.Terashima, M.Wilde, K.Fukutani: "Hydrogen Redistribution Induced by Negative-Bias-Temperature Stress in MOS Diodes"Appl. Phys. Lett.. 81. 2397 (2002)
Z.Liu、S.Fujieda、K.Terashima、M.Wilde、K.Fukutani:“MOS 二极管中负偏压温度应力引起的氢再分布”Appl。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Wilde, M.Matsumoto, K.Fukutani, Z.Liu, K.Ando, Y.Kawashima, S.Fujieda: "Influence of H$_2$-annealing on the hydrogen distribution near SiO$_2$/Si(100) interfaces revealed by in-situ Nuclear Reaction Analysis"J. Appl. Phys.. 92. 4320-4329 (2002)
M.Wilde、M.Matsumoto、K.Fukutani、Z.Liu、K.Ando、Y.Kawashima、S.Fujieda:“H$_2$-退火对 SiO$_2$/Si(100
  • DOI:
  • 发表时间:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Fukutahi, M.Wilde, M.Matsumoto: "Nuclear-reaction analysis of H at the Pb/S(i11) interface Monolayer depth distinction and interface structure,"Phys. Rev. B64. 245411 (2001)
K.Fukutahi、M.Wilde、M.Matsumoto:“Pb/S(i11) 界面上 H 的核反应分析 单层深度区别和界面结构,”Phys。
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