金属酸化物人工格子による強相関電子デバイスの創成

使用金属氧化物人造晶格创建强相关电子器件

基本信息

批准号：
13750012
负责人：
田中秀和
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

強磁性・超巨大磁気抵抗を示すMn酸化物をベースとした強相関電子系半導体と光学半導体酸化物をナノスケールで組み合わせたp-n接合・人工格子を作製し、界面を通じて電子の動きを制御する事により光・電場で強磁性/非磁性、金属状態/絶縁状態、超巨大磁気抵抗等の強相関電子物性を室温においてスイッチできる材料を創成する。◆p型伝導-室温強磁性・超巨大磁気抵抗酸化物-(La_<1-x>Ba_x)MnO_3、n型伝導-光学半導体酸化物--(Sr_<1-y>La_y)TiO_3、n型伝導-室温強磁性酸化物-(Ti_<1-x_Co_x)O_2、強誘電体酸化物Pb(Zr,Ti)O_3等の良質な単結晶薄膜を作製した。各種物質において、薄膜化した際に良好な結晶性、表面・界面平坦性・最適キャリア濃度、電気輸送特性、磁性を示す条件を、PO_2(酸化雰囲気)-T_s(基板温度)相図を作成し明らかにした。上記の条件を基に◆良好な整流特性を示す全薄膜p型強磁性-(La_<1-x>Ba_x)MnO_3/n型非磁性-(Sr_<1-y>La_y)TiO_3接合の形成に成功した。(Appl.Phys.Lett.,発表済み)。◆良好な整流特性示し且つ室温でn型、p型とも強磁性を示す組み合わせからなる全薄膜p-(La_<1-x>Ba_x)MnO_3/n-(Ti,Co)O_2接合の形成に成功した。(J.Appl.Phys投稿中)◆Pb(Zr,Ti)O_3/-(La_<1-x>Ba_x)MnO_3による強誘電体電界効果トランジスタを作製し、室温(282K)での電界による(強磁性)転移温度の変調(変調幅2.5K)を達成した。

P-N连接和人工晶格，该晶格结合了基于MN氧化物的强相关电子半导体和光学半导体氧化物与纳米级的光学氧化物，表明铁磁和巨大的磁性电阻可以在室温下进行切换，例如铁磁/非磁性/非磁性特性，金属状态，金属状态，金属状态，金属状态，金属状态/绝缘状态和在光和电场处的超巨大磁性电阻。 ◆P型传导室温度磁磁性，超巨型磁性电阻 - （LA__ <1-x> ba_x）MNO_3，N型传导 - 光学 - 光学半导体氧化物 - 氧化物（SR_ <1-y> y> la_y> la_y）tio_3，n类型。导体 - 室温强磁氧化物（Ti_ <1-x_co_x）O_2，形成了高质量的单晶薄膜，例如Pb（Zr，Ti）O_3等。在各种物质中，在各种物质中产生了良好的结晶度，表面 /界面平坦 /最佳载体浓度，电动传输特性和磁性。基于上述条件，◆所有薄膜P类型可致密的，表明很好的整流器特征 - （LA__ <1-x> ba_x）mno_3/n类型非磁性属性 - （SR_ <1-y> la_y）以形成tio_3的形成。（Appl.phys.lett。，宣布）。 ◆良好的校正特性和在室温下N型的组合以及P和P型，所有薄膜P-（LA____ <1-x> ba_x）mno_3/n-（ti，co）O_2 O_2 O_2成功形成。做过。（j.appl.phys发布）◆Pb（Zr，Ti）O_3/ - （LA__ <1-X> BA_X）由MNO_3制造了晶体管，生产了晶体管，并且由于室温（282K）的电场，获得了A转移的调制（修饰宽度为2.5k）。