コンビナトリアル手法を用いた酸化亜鉛の価電子制御

利用组合方法控制氧化锌的价态

基本信息

  • 批准号:
    02J06710
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.11万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2002
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2002 至 2004
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

前年度までに、価電子制御を行うための無添加酸化亜鉛の電子濃度低減を行い、n型伝導性制御について確認できた。本年度は、p型伝導性制御に向けた研究に尽力した。効果的に窒素ドーピングを行うために反復温度変調法を提案し、適用した。この手法についての条件最適化を行うことにより、p型伝導性を発現する窒素ドーピング酸化亜鉛薄膜を再現性良く作製できる成長条件を見出すことに成功した。これは、一度の実験から窒素濃度や高温熱処理温度の異なる試料群を作製、評価できる、コンビナトリアル手法(成長温度変調法)の賜物と言える。さらに、窒素濃度の異なる試料の光学特性評価を行うことで、アクセプタ束縛励起子発光やドナーアクセプタ対発光における系統的な変化が観測された。この結果は現在投稿準備中である。Hall効果測定の温度依存性から正孔伝導であることを確認し、アクセプタ準位を見積もった。室温における正孔濃度は2x10^<16>cm^<-3>であった。これまで困難とされてきたp型化を実現できた要因は、反復温度変調法によって高濃度窒素ドーピング薄膜の結晶品質が向上したためと考えられる。このp型酸化亜鉛をn型酸化亜鉛薄膜上に堆積し、pn接合を作製した。電流電圧特性の評価において非線形性を示した。その際、電流注入による発光が観測された。これらの結果は[Nature Materials,4,42(2005).]に掲載された。さらに、デバイス構造の改善を行い、より鮮鋭な青色発光を観測した。酸化亜鉛を用いたpn接合からの電流注入青色発光は、これまでに例がなく、今後の実用化への扉を開く結果と考えている。
到前一年,我们已经降低了无添加剂氧化锌的电子浓度以控制价电子,并且能够确认n型导电性的控制。今年,我们致力于研究控制p型电导率。提出并应用迭代温度调制方法来有效地进行氮掺杂。通过优化该方法的条件,我们成功地找到了能够以良好的再现性生产具有 p 型导电性的氮掺杂氧化锌薄膜的生长条件。这可以说是组合方法(生长温度调节方法)的结果,它使我们能够在一次实验中制备和评估具有不同氮浓度和高温热处理温度的样品组。此外,通过评估不同氮浓度样品的光学性质,观察到受体结合激子发射和供体-受体对发射的系统变化。目前正在准备发布结果。我们根据霍尔效应测量的温度依赖性确认了这是空穴传导,并估计了受主能级。室温下的空穴浓度为2×10^16cm^-3。我们之所以能够实现迄今为止被认为很困难的p型转换,被认为是因为重复的温度调制方法提高了高氮掺杂薄膜的晶体质量。这种 p 型氧化锌沉积在 n 型氧化锌薄膜上以形成 pn 结。电流-电压特性的评价显示出非线性。此时,观察到由于电流注入而发光。这些结果发表在[Nature Materials, 4, 42 (2005).]上。此外,器件结构得到改进,观察到更清晰的蓝光发射。使用氧化锌的 pn 结发出电流注入蓝光是以前从未见过的,我们相信这一结果将为未来的实际应用打开大门。

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A.Tsukazaki et al.: "Layer-by-layer growth of high-optical-quality ZnO film on atomically smooth and lattice relaxed ZnO buffer layer."Applied Physics Letters. 83. 2784 (2003)
A.Tsukazaki 等人:“在原子级光滑且晶格弛豫的 ZnO 缓冲层上逐层生长高光学质量 ZnO 薄膜。”《应用物理快报》。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
A.Tsukazaki et al.: "Emission from the higher-order excitons in ZnO films grown by laser molecular-beam epitaxy."Applied Physics Letters. (in press). (2004)
A.Tsukazaki 等人:“通过激光分子束外延生长的 ZnO 薄膜中高阶激子的发射。”应用物理快报。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Sumiya: "Quantitative control and detection of heterovalent impurities in ZnO thin films grown by pulse laser deposition"Journal of Applied Physics. 93. 2562-2569 (2003)
M.Sumiya:“脉冲激光沉积生长的 ZnO 薄膜中异价杂质的定量控制和检测”应用物理学杂志。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Tamura etal.: "Donor-acceptor luminescence in nitrogen-doped ZnO films grown on lattice-matched ScAlMgO_4(0001) substrates."Solid State Communications. 127. 265 (2003)
K.Tamura 等人:“在晶格匹配的 ScAlMgO_4(0001) 衬底上生长的氮掺杂 ZnO 薄膜中的供体-受体发光。”固态通信。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Gallium concentration dependence of room-temperature near-band-edge lumine scence in n-tyne ZnO:Ga.
n 型 ZnO:Ga 中室温近带边发光场景的镓浓度依赖性。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A.Tsukazaki et al.;F.Makino et al.
  • 通讯作者:
    F.Makino et al.
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