カーボンナノチューブを用いたトランジスタの製作・評価に関する研究
使用碳纳米管的晶体管的制造和评估研究
基本信息
- 批准号:12875066
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:2000
- 资助国家:日本
- 起止时间:2000 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
カーボンナノチューブ(CNT)を用いた電界効果トランジスタの製作は、Si酸化膜上に電極を形成した後、この上にCNT分散液を滴下することで可能であることを明らかにした。CNT分散液の滴下に当たっては、事前に分散液を遠心分離にかけることにより炭素微粒子が有効に除去できることを示した。なお用いるCNTとしてはCVD法で製作したものの方がアーク放電法よりも純度が高く適している。ゲート電極としては基板裏面に電極を形成しこれをバックゲートとして用いることによりドレイン電流の制御が可能であることを示した。ドレイン電流はゲート電圧を負の方向に増加させると増加することを明らかにした。これはCNT内部を流れる電流が正孔によって担われていることを示している。ドレイン電流を完全にピンチオフさせることはできず、なんらかのリーク電流成分が存在すること、リーク電流の原因としては多層CNTの内側CNTでの伝導、多数本CNTが束になったバンドルにおけるリーク等が考えられるが、この解明には単層のCNTを用いる必要がある。
已经揭示了可以通过在Si氧化物膜上形成电极,然后将CNT分散液丢弃到电极上来实现现场效应晶体管的制造。当添加CNT分散液时,可以通过事先离心分散液有效去除碳细颗粒。至于使用的CNT,通过CVD方法制造的CNT比ARC放电方法更纯度,并且更合适。已经表明,可以通过在基板的背面形成电极并将其用作后门来控制排水电流。发现当栅极电压在负方向上增加时,漏极电流会增加。这表明CNT内部流动的电流由孔携带。排水管无法完全捏合,并且存在某种泄漏电流组件,并且泄漏电流的原因是多层CNT的内部CNT处的传导,在许多CNT等的捆绑中泄漏,但是有必要使用单层CNT来理解这一点。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

暂无数据
数据更新时间:2024-06-01
水谷 孝其他文献
窒化物半導体電子デバイスにおけるおける輸送特性
氮化物半导体电子器件的传输特性
- DOI:
- 发表时间:20042004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Kuroki;S.Sakamoto;T.Kikkawa;水谷 孝S.Kuroki;S.Sakamoto;T.Kikkawa;水谷 孝
- 通讯作者:水谷 孝水谷 孝
吸引圧刺激による触覚生成法
利用抽吸压力刺激的触觉产生方法
- DOI:
- 发表时间:20062006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Kuroki;S.Sakamoto;T.Kikkawa;水谷 孝;J.Noh et al.;牧野泰才S.Kuroki;S.Sakamoto;T.Kikkawa;水谷 孝;J.Noh et al.;牧野泰才
- 通讯作者:牧野泰才牧野泰才
Relationship between Impurity (B or P) and Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment
热处理制备的SiGe(C)外延薄膜中杂质(B或P)与载流子浓度的关系
- DOI:
- 发表时间:20042004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Kuroki;S.Sakamoto;T.Kikkawa;水谷 孝;J.Noh et al.S.Kuroki;S.Sakamoto;T.Kikkawa;水谷 孝;J.Noh et al.
- 通讯作者:J.Noh et al.J.Noh et al.
共 3 条
- 1
水谷 孝的其他基金
走査型プローブ顕微鏡を用いた単電子素子の製作および単電子トンネルの制御・検出
使用扫描探针显微镜制造单电子器件并控制/检测单电子隧道
- 批准号:1012721510127215
- 财政年份:1998
- 资助金额:$ 1.47万$ 1.47万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
共鳴トンネル現象を利用した電子・光融合デバイスの研究
利用谐振隧道现象的电光融合器件研究
- 批准号:0987508709875087
- 财政年份:1997
- 资助金额:$ 1.47万$ 1.47万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory ResearchGrant-in-Aid for Exploratory Research
量子井戸構造を用いた共鳴トンネル論理デバイスの応答速度の研究
采用量子阱结构的谐振隧道逻辑器件响应速度研究
- 批准号:0821721108217211
- 财政年份:1996
- 资助金额:$ 1.47万$ 1.47万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority AreasGrant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
相似海外基金
Exploration of quantum transport in 2DHG diamond Nano-Fin structure and its FET application
2DHG金刚石纳米鳍结构中的量子输运探索及其FET应用
- 批准号:19K1503019K15030
- 财政年份:2019
- 资助金额:$ 1.47万$ 1.47万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career ScientistsGrant-in-Aid for Early-Career Scientists
Chain Dynamics and Photo-carrier Properties for Semiconducting Polymers at Interfaces
界面处半导体聚合物的链动力学和光载流子特性
- 批准号:17H0311817H03118
- 财政年份:2017
- 资助金额:$ 1.47万$ 1.47万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of new diamond electron device using huge polarization charge
利用巨大极化电荷开发新型金刚石电子器件
- 批准号:2524905425249054
- 财政年份:2013
- 资助金额:$ 1.47万$ 1.47万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Molecular structure and carrier dynamics at the interface betweenorganic semiconductor and insulator
有机半导体与绝缘体界面的分子结构和载流子动力学
- 批准号:2224500122245001
- 财政年份:2010
- 资助金额:$ 1.47万$ 1.47万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of high performance organic thin film devices by utilizing the junction between graphene and organic semiconductor
利用石墨烯和有机半导体之间的结开发高性能有机薄膜器件
- 批准号:2256000222560002
- 财政年份:2010
- 资助金额:$ 1.47万$ 1.47万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)