Research of "vacancy epitaxy"

“空位外延”研究

基本信息

  • 批准号:
    12650006
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2000 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

(1) I tried to grow Ga vacancy-ordered Ga_2Se_3 epitaxial films on Si (100) substrates. In order to obtain a single-domain epitaxial film I used a vicinal Si (001) substrare, whose clean surface has the 2×1 single-domain reconstruction. In addition, the lattice constant of the Si is almost same with that of Ga_2Se_3. It has been found that Ga vacancy-ordered single-domain Ga_2Se_3 films can be grown on the vicinal Si (001) substrates with the growth condisions ; substrate temperature = 480℃, VI/III ratio > 100. At the substrate temperature higher than 500℃, no Ga vacancy ordering was observed. At lower substrate temperature than 420 ℃, polycrystalline growth occurred. At the VI/III ratio of 10, no Ga vacancy-ordering was found, too. Photoluminescence spectra taken at 6.5K showed very btoad luminescence peak around 650 〜 1000 nm. No polarized photoluminescence was observed from the Ga vacancy-ordered Ga2Se3 film, which suggests that the grown film on the vicinal Si (001) substrate has the monoclinic crystal structure.
(1)我试图在SI(100)底物上生长出GA空位订购的GA_2SE_3外延膜。为了获得单域外延膜,我使用了典型的Si(001)底物,其清洁表面具有2×1的单域重建。另外,SI的晶格常数与GA_2SE_3的晶格常数几乎相同。已经发现,可以在带有生长凝乳的囊泡Si(001)底物上生长的GA空置单域GA_2SE_3膜可以生长。底物温度= 480℃,VI/III比> 100。在底物温度高于500℃的情况下,未观察到GA空位排序。在低于420℃的较低的底物温度下,发生了多晶的生长。在VI/III比为10的情况下,也未发现GA空位顺序。光致发光光谱在6.5K处显示,在650至1000 nm左右,非常BTOAD发光峰。从GA空位订购的GA2SE3膜中没有观察到极化的光子性,这表明在囊泡Si(001)底物上生长的膜具有单斜晶体结构。

项目成果

期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
上野啓司, 小間 篤: "表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成"日本結晶成長学会誌. 第28巻. 46-55 (2001)
Keiji Ueno,Atsushi Koma:“使用表面非活性基质形成有机和无机纳米结构”日本晶体生长学会杂志第 28 卷 46-55(2001 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Ueno et al.: "Fabrication of GaAs Quantum Dots on a Bilayer-GaSe Terminated Si (111) substrate"Japanese Journal of Applied Physics. (印刷中). (2001)
K.Ueno 等人:“在双层 GaSe 端接的 Si (111) 基板上制备 GaAs 量子点”,日本应用物理学杂志(2001 年出版)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Ueno et al.: "Highly-stable passivation of a Si (111) surface using bilayer-GaSe"Appl. Surf. Sci.. (印刷中). (2002)
K. Ueno 等人:“使用双层 GaSe 实现 Si (111) 表面的高度稳定钝化”Sci.(出版中)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Shimada et al.: "Epitaxial growth and electronic structure of a C_<60> derivative prepared by using a solution spray technique"J. Appl. Phys.. 90. 209-212 (2002)
T.Shimada等:“使用溶液喷雾技术制备的C_<60>衍生物的外延生长和电子结构”J。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T. Shimada, et al: ""Epitaxial growth and electronic structure of a C_<(x)> derivative prepared by using a solution spray technique ""J. Apple. Phys. 90. 209-212 (2001)
T. Shimada等人:“使用溶液喷雾技术制备的C_(x)>衍生物的外延生长和电子结构”J。
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  • 发表时间:
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