Research of "vacancy epitaxy"

“空位外延”研究

• 批准号: 12650006
• 负责人: UENO Keiji
• 金额: $ 2.3万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12650006/
• 关键词: 空孔; 空孔規則配列; Ga_2Se_3; エピタキシャル成長; C_<60>; bilayer-GaSe終端Si(111); 多孔性物質; フォトルミネッセンス; Ga2Se3; C60

(1) I tried to grow Ga vacancy-ordered Ga_2Se_3 epitaxial films on Si (100) substrates. In order to obtain a single-domain epitaxial film I used a vicinal Si (001) substrare, whose clean surface has the 2×1 single-domain reconstruction. In addition, the lattice constant of the Si is almost same with that of Ga_2Se_3. It has been found that Ga vacancy-ordered single-domain Ga_2Se_3 films can be grown on the vicinal Si (001) substrates with the growth condisions ; substrate temperature = 480℃, VI/III ratio > 100. At the substrate temperature higher than 500℃, no Ga vacancy ordering was observed. At lower substrate temperature than 420 ℃, polycrystalline growth occurred. At the VI/III ratio of 10, no Ga vacancy-ordering was found, too. Photoluminescence spectra taken at 6.5K showed very btoad luminescence peak around 650 〜 1000 nm. No polarized photoluminescence was observed from the Ga vacancy-ordered Ga2Se3 film, which suggests that the grown film on the vicinal Si (001) substrate has the monoclinic crystal structure.

(1)我尝试在Si(100)衬底上生长Ga空位有序的Ga_2Se_3外延薄膜为了获得单畴外延薄膜，我使用了邻位Si(001)衬底，其干净的表面具有2×1的单畴。此外，Si的晶格常数与Ga_2Se_3的晶格常数几乎相同。生长条件为：衬底温度=480℃，VI/III比值>100，可以在邻位Si（001）衬底上生长单畴Ga_2Se_3薄膜。当衬底温度高于500℃时，没有观察到Ga空位有序化。在低于420℃的衬底温度下，发生多晶生长，当VI/III比为10时，没有发现Ga空位有序化。在 6.5K 处拍摄的光致发光光谱也显示出在 650 至 1000 nm 附近的非常稳定的发光峰，在 Ga 空位有序的 Ga2Se3 薄膜中没有观察到偏振光致发光，这表明在邻位 Si (001) 上生长的薄膜具有单斜晶系衬底。晶体结构。

项目成果

上野啓司, 小間 篤: "表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成"日本結晶成長学会誌. 第28巻. 46-55 (2001)

Keiji Ueno，Atsushi Koma：“使用表面非活性基质形成有机和无机纳米结构”日本晶体生长学会杂志第 28 卷 46-55（2001 年）。

K.Ueno et al.: "Highly-stable passivation of a Si (111) surface using bilayer-GaSe"Appl. Surf. Sci.. (印刷中). (2002)

K. Ueno 等人：“使用双层 GaSe 实现 Si (111) 表面的高度稳定钝化”Sci.（出版中）。

K.Ueno et al.: "Fabrication of GaAs Quantum Dots on a Bilayer-GaSe Terminated Si (111) substrate"Japanese Journal of Applied Physics. (印刷中). (2001)

K.Ueno 等人：“在双层 GaSe 端接的 Si (111) 基板上制备 GaAs 量子点”，日本应用物理学杂志（2001 年出版）。

T.Shimada et al.: "Epitaxial growth and electronic structure of a C_<60> derivative prepared by using a solution spray technique"J. Appl. Phys.. 90. 209-212 (2002)

T.Shimada等：“使用溶液喷雾技术制备的C_<60>衍生物的外延生长和电子结构”J。

T. Shimada, et al: ""Epitaxial growth and electronic structure of a C_<(x)> derivative prepared by using a solution spray technique ""J. Apple. Phys. 90. 209-212 (2001)

T. Shimada等人：“使用溶液喷雾技术制备的C_(x)>衍生物的外延生长和电子结构”J。