Atomic-scale investigation and its device application for GaN crystal growth

GaN晶体生长的原子尺度研究及其器件应用

基本信息

  • 批准号:
    11355002
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 22.53万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 2000
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In this project, we have studied on the following subjects as listed below; (1) establishing the general principles for the surface energy minimization and surface reconstruction of GaN surface by MBE-STM (2) understanding the atomistic process for the dopant incorporation and defect formation in GaN epitaxial layers. (3) clarifying the effect of dopant incorporation on the surface electronic properties (4) clarifying the atomistic process in dry etching and its application for the device fabrication. Based on those results, atomic interaction, growth dynamics, surface energetics, strain, and surface/film electronic properties, etc. which are the fundamental process for device fabrication, have been discussed.We have performed systematic investigations of surface reconstructions on Wurtzite GaN(0001) by MBE-STM. Various reconstructions on the GaN(0001) surface are studied and based on the comparison between the STM observations and first-principles total energy calculations, we propose an adatom scheme for the basic 2x2 and 4x4 structures, and others as well. Also, in order to understand atomistic process underlying dry etching processes of Wurtzite GaN, which is of great important for device application, we have carried out STM study of thermally activated dry etching of GaN surface by Cl_2 molecules. Our extensive studies show that at low temperature (〜650C) the dominated etching of Ga-rich GaN(0001) is anti-step-flow etching. On the other hand, at the higher temperature(〜700C), triangular etching pits on terraces start to form. Its single-step depth implies the bilayer-by-bilayer etching.
在这个项目中,我们研究了以下列出的以下主题:MBE-STM(2)理解掺杂剂掺入的原子过程。对于基于这些结果,原子相互作用,生长动力学,表面能量,应变和表面/膜电子性能,这是对设备的基本过程。 )MBE-STM。干燥等。我们已经通过Cl_2分子进行了热激活的F GAN表面的Wurtzite Gan的过程,我们的广泛研究表明,在温度(〜650c) (0001)是反步流等。另一方面,在较高温度(〜700C),三角形等处。Le-step的深度意味着逐比层的双层等。

项目成果

期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Q.Z.Xue: "Atomistic investigation of various GaN(0001) phases on the 6H-SiC(0001) surface"Phys. Rev. B.. 59. 12604-12611 (1999)
Q.Z.Xue:“6H-SiC(0001)表面上各种GaN(0001)相的原子研究”Phys。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Q.K.Xue: "Xue et al. reply"Phys. Rev. Lett.. 84. 4015 (2000)
Q.K.Xue:“Xue 等人回复”Phys.
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Q.Z.Xue: "Structures of GaN (0001) 2x2, 4x4 and 5x5 surface reconstructions"Phys. Rev. Lett.. 82. 3074-3077 (1999)
Q.Z.Xue:“GaN(0001)2x2、4x4和5x5表面重建的结构”Phys。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

SAKURAI Toshio其他文献

SAKURAI Toshio的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('SAKURAI Toshio', 18)}}的其他基金

Research on the Development from the Castle Lordship to the Local Administrative Organisation of Territory in the German Middle Ages
德国中世纪从城堡领主制到地方领土行政组织的发展研究
  • 批准号:
    23530007
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study in the chatellenie (Castle Dominion) of the German Feudal Society in the High Middle Ages
中世纪中期德国封建社会的城堡统治研究
  • 批准号:
    19530003
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
A BASIC STUDY ON THE PROCESS OF ESTABLISHMENT OF RAFTER-SYSTEM IN THE EDO PERIOD
江户时期椽制建立过程的基础研究
  • 批准号:
    19560654
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Property control of semiconductor nanostructure using surface strain as a new parameter
使用表面应变作为新参数的半导体纳米结构的性能控制
  • 批准号:
    18201015
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Research on the Castle D6minion or Chatellenie in the Constitutional and Legal History of Medieval Germany
中世纪德国宪法与法律史中的D6minion或Chatellenie城堡研究
  • 批准号:
    16530005
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
A BASIC STUDY ON THE CHARACTERISTICS AND Transition PROCESS OF TEMPLES OF THE HOKURIKU DISTRICT IN THE EDO PERIOD
江户时代北陆地区寺庙特征及变迁过程的基础研究
  • 批准号:
    16560569
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
HISTORICAL STUDY ON THE EXTERIOR SPACE OF TEMPLES AND SHRINES
寺庙和神社外部空间的历史研究
  • 批准号:
    14550642
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Atomic level characterization and property control of surface and interface in nitride semiconductor heterostructures
氮化物半导体异质结构表面和界面的原子级表征及性能控制
  • 批准号:
    14102010
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Study of style and design on temples and shrines in the momoyama-edo period
桃山江户时代寺庙和神社的风格和设计研究
  • 批准号:
    12650649
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Elemental Analysis for Scanning Tunneling Microscope by using X-ray Induced Tunneling Current (Development of Elemental Analysis STM)
利用X射线诱导隧道电流进行扫描隧道显微镜的元素分析(元素分析STM的开发)
  • 批准号:
    12305008
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

相似国自然基金

二维kagome晶格的外延生长和新奇量子态的扫描隧道显微镜/谱研究
  • 批准号:
    12174131
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    62 万元
  • 项目类别:
    面上项目
锡/硅等二维电子材料的分子束外延制备与扫描隧道显微镜研究
  • 批准号:
    62074092
  • 批准年份:
    2020
  • 资助金额:
    63 万元
  • 项目类别:
    面上项目
镓烯在Si(111)表面的制备与物性研究
  • 批准号:
    11804282
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    25.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
二维铋的外延生长和拓扑性质的研究
  • 批准号:
    11874427
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    64.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
二维过渡金属硫族化合物薄膜及其异质结的外延生长和电子掺杂效应调控
  • 批准号:
    11774105
  • 批准年份:
    2017
  • 资助金额:
    69.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

Investigation of electronic properties of novel two-dimensional materials
新型二维材料的电子特性研究
  • 批准号:
    18K14191
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
太陽電池用狭ギャップ窒化物半導体ヘテロ構造の開発
用于太阳能电池的窄带隙氮化物半导体异质结构的开发
  • 批准号:
    15760214
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Atomic level characterization and property control of surface and interface in nitride semiconductor heterostructures
氮化物半导体异质结构表面和界面的原子级表征及性能控制
  • 批准号:
    14102010
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Realization of dislocation-free epitaxy using nanochannel epitaxy
利用纳米通道外延实现无位错外延
  • 批准号:
    14350172
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Thin Film Growth around Misfit Dislocations
错位位错周围的薄膜生长
  • 批准号:
    11450005
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 22.53万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了