主鎖・側鎖にヘテロ元素を有する非炭素骨格高分子の電子物性

主链和侧链含有异质元素的非碳骨架聚合物的电子性能

基本信息

批准号：
11120229
负责人：
田川精一
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

主鎖に、σ結合による共役系を持つ高分子:ポリシランについて、本研究ではこれまで用いられなかった側鎖基グループ、特に窒素原子を含む有機置換基の導入が、主鎖共役系に与える影響について検討した。側鎖にピロリル基を有するポリシランにおいては、シリコン主鎖のσ共役系と窒素原子の非共有電子対の電子的な相互作用を示唆する分光特性を示すことが、明らかになる一方で、骨格構造の支配要因はこれまでのポリシラン材料と大きく異なり、主鎖共役系の成長を阻害する傾向が極めて強い。従って、(1)長鎖アルキル基の導入、(2)他の複素共役環の導入により、発達したσ共役系を有する新規ケイ素骨格高分子を合成し、σ共役系(骨格構造)-複素共役環間の相互作用を定量的に議論するために、各種分光法・過渡分光法の適用を行った。本研究で得られたPyrrolyl置換型ポリシランは、その光学特性において理論計算結果と良い一致を示し、主鎖σ共役系と側鎖基間にσ-n、σ-π mixingを起こし得ることが明らかとなった。ポリシラン主鎖電子構造の有機置換基による制御法として極めて有効であると考えられる。

对于聚硅烷这种主链上因σ键而具有共轭体系的聚合物，本研究中引入了迄今为止尚未使用过的侧链基团，特别是含有氮原子的有机取代基，对主链产生了影响。我们考虑了这一点。已经清楚的是，侧链带有吡咯基的聚硅烷表现出的光谱特性表明硅主链的σ-共轭体系与孤对氮原子之间的电子相互作用，其控制因素与传统聚硅烷的控制因素显着不同；材料，并且有极强的抑制主链共轭体系生长的倾向。因此，通过（1）引入一个长链烷基和（2）引入另一个杂共轭环，合成了一种具有发达的σ-共轭体系的新型硅骨架聚合物，并将σ-共轭体系（骨架结构）-杂共轭In为了定量讨论环之间的相互作用，应用了各种光谱学和瞬态光谱学。本研究得到的吡咯基取代聚硅烷的光学性质与理论计算结果吻合较好，表明主链σ共轭体系与侧链基团之间可以发生σ-n和σ-π混合就成了。该方法被认为作为使用有机取代基控制聚硅烷主链的电子结构的方法是极其有效的。

项目成果

期刊论文数量（6）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

K. Mochida, N. Kuwano, H. Nagao, S. Seki, S. Tagawa: "Radical cation of octaisopropylcyclotetragermane generated by pulse radiolysis"Inorg. Chem. Commun.. 2. 238-240 (1999)

K. Mochida、N. Kuwano、H. Nagao、S. Seki、S. Takawa：“脉冲放射分解产生的八异丙基环四锗烷的自由基阳离子”Inorg。

DOI：
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影响因子：
0
作者：
通讯作者：

S. Seki et al.: "Radical Stability of Aryl Substituted Polysilanes with Linear and Planar Silicon Skeleton"J. Phys. Chem.. B102. 8367-8371 (1998)

S. Seki 等人：“具有线性和平面硅骨架的芳基取代聚硅烷的自由基稳定性”J。

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Y. Kunimi, S. Seki, S. Tagawa: "Investigation on Hole Drift Mobility in Poly (n-hexylphenylsilane)"Solid State Commun.. (2000)

Y. Kunimi、S. Seki、S. Takawa：“聚（正己基苯基硅烷）中的空穴漂移迁移率研究”固态通讯..（2000）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

S. Seki et al.: "Effects of Structural Defects on Hole Drift Mobility in Aryl-substituted Polysilanes"Phil. Mag. B79. 1631-1646 (1999)

S. Seki 等人：“结构缺陷对芳基取代聚硅烷中空穴漂移迁移率的影响”Phil。

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