ELECTRONIC STATES OF (GaP)m(AlP)n SHORT PERIOD SUPERLATTICES AND MULTI-QUANTUM WELL STRUCTURES AND THE MECHANISM OF PHOTOLUMINESCENCE

(GaP)m(AlP)n短周期超晶格和多量子阱结构的电子态及光致发光机制

基本信息

  • 批准号:
    08454086
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.99万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 1998
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This three-year research project started on April of 1996 and has been conducted successfully. The aim of this project was twofold : One was to elucidate the origin of the unusual behavior of photoluminescence (PL) observed in (GaP)n(AJIP)n short period superlattices, in which the PL intensity decreases with increasing a magnetic field in the strong field regime in the Faraday configuration. In the present research we have clarified that a bound exciton trapped at a pseudo-dot type defect at the interface is responsible for the above unusual behavior. The present result was appreciated in the field of semiconductors and we have given a talk in international conferences. Another aim was to clarify a many-body electronic structures of underdoped cuprates. By using the multi-configuration self-consistent field variational method for a single CuO_5 pyramid embedded in YBCO7 with Tc=90K and then by introducing the transfer interactions between CuO_5 pyramids, unusual electronic states were clarified. That is, the dopant holes move coherently by taking the Zhang-Rice spin singlet and Hund's coupling triplet alternately in the apin correlated region of anti-ferromagnetic ordering due to Cu localized spins, without destroying the anti-ferromagnetic order.
这个为期三年的研究项目始于1996年4月,并已成功进行。该项目的目的是双重的:一个是阐明在(gap)n(ajip)n短期超晶格中观察到的光致发光(PL)的异常行为的起源,其中PL强度随着在磁场中增加磁场而降低。法拉第配置中的强场式。在本研究中,我们澄清说,在界面处被困在伪点类型缺陷处的绑定激子负责上述异常行为。目前的结果在半导体领域得到了赞赏,我们在国际会议上进行了演讲。另一个目的是阐明不足的铜层的多体电子结构。通过使用嵌入YBCO7中的单个CUO_5金字塔的多种构型自洽场变异方法,其TC = 90K,然后通过引入CUO_5金字塔之间的传递相互作用,阐明了不寻常的电子状态。也就是说,掺杂孔通过Zhang-rice旋转单线和Hund的耦合三重态在Apin相关区域中通过CU局部旋转而交替地移动,而不会破坏反铁磁性序列。

项目成果

期刊论文数量(38)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
小林由則,上村洸: "Band structures,optical transition strengths and their pressure dependence of (GaP)_n (AlP)_n short-period superlattices with n=3 to 10" Solid State Communications. 98. 957-960 (1996)
Yoshinori Kobayashi、Ko Uemura:“n=3 至 10 的 (GaP)_n (AlP)_n 短周期超晶格的能带结构、光学跃迁强度及其压力依赖性”固态通信。 98. 957-960 (1996)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
上村洸,松野俊一,諏訪雄二,潮秀樹: "Occurrence of d-wave pairing in the phonon-mediated mechanism of high temperature superconductivity in cuprates" Physical Review Letters. 77. 723-726 (1996)
Ko Uemura、Shunichi Matsuno、Yuji Suwa、Hideki Ushio:“铜酸盐高温超导声子介导机制中 d 波配对的出现”物理评论快报 77. 723-726 (1996)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林由則, 神津和磨, 上村洸: "Photoluminescence from Bound Exciton States in GaP/AlP Short Period Superlattices in a Strong Magnetic Field" Solid State Commun.109. 583-588 (1999)
Yoshinori Kobayashi、Kazuma Kozu、Ko Uemura:“强磁场中 GaP/AlP 短周期超晶格中束缚激子态的光致发光”Solid State Commun.109 (1999)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
上村洸, 小林由則, 神津和磨: "Mechanism of the Unusual Photoluminescence of GaP/AlP Short Period Superlattices in a Strong Magnetic Field" Proceedings of the 24th International Conference on the Physics of Semiconductors. in press
Ko Uemura、Yoshinori Kobayashi、Kazuma Kozu:“强磁场中 GaP/AlP 短周期超晶格的异常光致发光机制”第 24 届国际半导体物理会议论文集正在出版。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Kamimura, S.Matsuno, Y.Suwa and H.Ushio: "A New Theory of Superconducting Copper Oxides From Electronic Structures to the Mechanism-(Invited)" J.Mat.Sci.Eng.B41. 10-15 (1996)
H.Kamimura、S.Matsuno、Y.Suwa 和 H.Ushio:“从电子结构到机理的超导铜氧化物新理论——(特邀)”J.Mat.Sci.Eng.B41。
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