磁性超伝導体HoNi_2Bi_2Cの異方的超伝導とその圧力効果

磁超导体HoNi_2Bi_2C的各向异性超导及其压力效应

基本信息

批准号：
07740305
负责人：
上床美也
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07740305/
关键词：
HoNi_2B_2C 磁性超伝導体圧力効果電気抵抗

项目摘要

HoNi_2Bi_2Cは、ThCr_2Si_2型の正方晶構造を示し、磁気秩序と超伝導という相反する性質が共存している興味深い物質である。本研究では高圧、高磁場下で電気抵抗、の測定をする事により、常圧で観測された異方的な超伝導特性が高圧下でどのように変化するかを調べ、超伝導と磁気秩序の競合及び異方的超伝導の発現機構がどのようなメカニズムで起こっているかを明らかにすることを目的として行った。測定は、結晶が正方晶であることを考慮して、試料を磁場に対してc軸並行方向にセットし、圧力(0<P<22kbar)、温度(4.2K<T<300K)、磁場(O<H<5T)の範囲で電気抵抗の温度依存性を調べた。その結果、反強磁性転移温度T_Nは、圧力と共にdT_N/dp=0.07K/kbarで増加し、超伝導転移温度T_Cは圧力と共にdT_C/dp=-0.05K/kbarで減少することがわかった。本研究の目的のひとつである異邦性の知見を得るため、現在c軸に磁場が垂直方向の電気抵抗の圧力依存強の測定を行っている。さらに本研究で行った、P=23kbarまでの圧力では超伝導転移温度が消失していない。本物質の本質を明らかにするためには、より強い圧力下での測定が望まれる。このため、ダイヤモンドアンビルを用いたP=100kbar以上での高圧下での電気抵抗測定を行えるよう準備中である。

HoNi_2Bi_2C是一种有趣的材料，它呈现出ThCr_2Si_2型四方结构，并具有磁序和超导的矛盾性质。在本研究中，通过测量高压和高磁场下的电阻，我们研究了在常压下观察到的各向异性超导特性在高压下如何变化，并研究了超导性和磁序。本研究的目的是阐明其背后的机制。竞争和各向异性超导。考虑到晶体为四方晶体，将样品设置为与磁场平行于c轴，压力（0<P<22kbar）、温度（4.2K<T<300K）和磁场（在O<H<5T范围内研究了电阻的温度依赖性）。结果发现，在dT_N/dp=0.07K/kbar时，反铁磁转变温度T_N随着压力而升高，而在dT_C/dp=-0.05K/kbar时，超导转变温度T_C随着压力而降低。为了获得异质性的知识，这是本研究的目的之一，我们目前正在测量垂直于 c 轴的磁场方向上电阻的强压力依赖性。此外，在本研究中进行的压力高达 P=23 kbar 时，超导转变温度不会消失。为了澄清这种物质的性质，需要在更强的压力下进行测量。为此，我们目前正准备使用金刚石砧在 P=100kbar 以上的高压下进行电阻测量。