Anomalous Plasticity in MoSi_2 Single Crystals and its utilization

MoSi_2单晶的反常塑性及其利用

基本信息

  • 批准号:
    07405031
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 22.02万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 1997
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

IN 1995 we first reported that plastic flow is possible even at temperatures as low as room temperature for single crystals of MoSi_2 wirh orientations away from[001], while single crystals with orientations near [001] can be plastically deformed on a macroscopic scale only at temperatures above 1300゚C.In this study, we first examined whether such anomalous plasticity oberved in MoSi_2 single crystals with orientations away from [001] is observed in other transition metal disilisides with the C11_b structure such as WSi_2 and (Mo, W) Si_2, those with the C40 structure such as Mo(Al, Si)_2, VSi_2, NbSi_2, TaSi_2 and CrSi_2, TiSi_2 with the C54 structure. Secondly, we investigated possible ways to utilize the anomalous plasticity for structural spplications of MoSi_2.Deformation experiments of four different C40 disilicides result in the following findings : (1) plastic flow of VSi_2, NbSi_2 and TaSi_2 is possible only when slip along <1210> on (0001) is operative and no other slip systems are observed in the whole temperature range investigates, (2) basal slip in VSi_2, NbSi_2 and TaSi_2 occurs in a conventional manner unlike in CrSi_2 and Mo (Si, Al)_2 in which the corresponding slip occurs through a synchroshear mechanism, (3) while the onset temperature for plastic flow in NbSi_2 is 500゚C for as-grown crystals, it is lowered by 300゚C when the crystal is prestrained at 1400゚C and then re-deformed at low temperatures, (4) the critical resolved shear stress (CRSS) for basal slip in NbSi_2 decreases with increasing temperature, but exhibits a moderate peak around 1300゚C.One way to utilize the anomalous plasticity of MoSi_2 is to form MoSi_2-base composites with NbSi_2 and TaSi_2 forming interfaces perpendicular to cleavage planes in MoSi_2.
1995年,我们首次报道,远离[001]取向的MoSi_2单晶即使在低至室温的温度下也可能发生塑性流动,而接近[001]取向的单晶只能在宏观尺度上发生塑性变形。温度高于1300°C。在这项研究中,我们首先检查了在取向远离的MoSi_2单晶中是否观察到这种反常塑性。 [001] 观察到其他具有C11_b结构的过渡金属二硅化物如WSi_2和(Mo,W)Si_2,具有C40结构的如Mo(Al,Si)_2、VSi_2、NbSi_2、TaSi_2和CrSi_2、TiSi_2其次,我们研究了利用异常可塑性进行结构应用的可能方法。 MoSi_2.四种不同C40二硅化物的变形实验得出以下结果:(1)只有当沿(0001)上的<1210>滑移起作用并且在该区域中没有观察到其他滑移系统时,VSi_2、NbSi_2和TaSi_2的塑性流动才可能发生。在整个温度范围内进行研究,(2)VSi_2、NbSi_2和TaSi_2中的基底滑移以常规方式发生,这与CrSi_2和Mo不同(Si, Al)_2,其中相应的滑移通过同步剪切机制发生,(3) NbSi_2 中生长晶体的塑性流动起始温度为 500°C,而当晶体生长时,塑性流动起始温度降低了 300°C。在1400°C预应变,然后在低温下重新变形,(4)NbSi_2基底滑移的临界分辨剪切应力(CRSS)降低随着温度的升高,在1300℃左右出现一个中等峰值。利用MoSi_2的反常塑性的一种方法是形成MoSi_2基复合材料,其中NbSi_2和TaSi_2形成垂直于MoSi_2解理面的界面。

项目成果

期刊论文数量(38)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Yamaguchi et al.: "Plastic deformation of MoSi2 and WSi2 single crystals and directionally solidified MoSi_2-base alloys" Intermetallics. S119-S131 (1996)
M.Yamaguchi 等人:“MoSi2 和 WSi2 单晶和定向凝固 MoSi_2 基合金的塑性变形”金属间化合物。
  • DOI:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Yamaguchi et al.: "Plastic deformation of single crystals of transition metal disilicides" Mater.Sci.Eng.A. 2331-2. 33-34 (1997)
M.Yamaguchi 等人:“过渡金属二硅化物单晶的塑性变形”Mater.Sci.Eng.A。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Yamaguchi et al.: "Electron microscopy of defects and their properties in ReSi_2" Phil.Mag.A. (発表予定).
M.Yamaguchi 等人:“ReSi_2 中的缺陷及其特性的电子显微镜”Phil.Mag.A(待提交)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K. Ito: "Plastic deformation of MoSi2 single crystals" Philosophical Magazine A. 72. 1075-1097 (1995)
K. Ito:“MoSi2 单晶的塑性变形”哲学杂志 A. 72. 1075-1097 (1995)
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  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Yamaguchi et al.: "Vacancies and their clusters in MoSi_2 studied by positron life time spectrometry" Intermetallics. (in press). (1998)
M.Yamaguchi 等人:“通过正电子寿命光谱法研究 MoSi_2 中的空位及其簇”金属间化合物。
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