Amorphe SiC:H-Schichten aus Precursoren: Precursorsynthese, Schichtherstellung und -charakterisierung

来自前驱体的非晶 SiC:H 层：前驱体合成、层生产和表征

• 批准号: 5258552
• 负责人: Professor Dr. Eberhard Müller
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5258552?language=en
• 关键词: Amorphe; SiC; Schichten; aus; Precursoren

Durch Wasserstoffeinbau stabilisierte amorphe SiC-Schichten (a-SiC:H) werden aufgrund ihrer interessanten optoelektronischen Eigenschaften in zunehmendem Maße in der Literatur beschrieben. Die Herstellung solcher Schichten geschieht bisher ausnahmslos über zeitaufwendige Abscheideprozesse aus der Gasphase. Hier soll ein innovativer Weg zur Schichtherstellung aus Precursorpolymeren und deren Pyrolyse erschlossen werden, der eine höhere Effektivität und gegebenenfalls auch ein anderes Eigenschaftsspektrum verspricht. Ziel ist die Synthese von Polymeren, die sich in reine SiC-Schichten mit Halbleiterqualitäten überführen lassen. Um die für die Pyrolyse vorteilhaften vernetzten Si-Strukturen in den Precursoren zu erhalten, sollen Si-Gerüste synthetisiert werden, die Vinylgruppen in den Seitenketten aufweisen. Die Reinheit der Produkte wird durch einen Polymeraufbau ohne Metallkondensation über heterogen katalysierte Disproportionierung von Chlordisilanen gewährleistet. Die resultierenden niedrigviskosen Polymere sollen mittels Spin-Coating als dünne Schichten auf unterschiedlichen Substraten abgeschieden und unter definierten Atmosphären soweit pyrolysiert werden, daß eine amorphe H-stabilisierte Netzwerkstruktur resultiert. Der Einfluß von Synthese- und Pyrolysebedingungen sowie vom Substrat auf Ordnungsgrad, Zusammensetzung und Eigenschaften der Schichten soll untersucht werden. Daher ist insbesondere vorgesehen, die im Forschungsverbund präparierten a-SiC:H-Schichten mit einer breiten Palette von Verfahren auf ihre halbleiterphysikalischen Eigenschaften hin zu untersuchen, um Korrelationen zu Präparationsparametern aufstellen zu können. Dabei wird besonderer Wert auf die Bestimmung der primären den amorphen Halbleiter charakterisierenden Größen gelegt. Realisiert werden soll dies durch temperaturabhängige Leitfähigkeit und Photoleitung (auch Hochfrequenzphotoleitung) in Verbindung mit Präzisionsmessungen optischer Absorption, später durch Hinzunahme von Thermokraftmessungen. Mit Elektronenspinresonanz in Verbindung mit Elektronen-Kern-Doppelresonanz wird die Konzentration von Si und C "dangling bonds" separat gemessen, was mit den elektrischen und optischen Parametern korreliert werden soll. Außerdem erhält man damit Aussagen über das mikroskopische atomare Gefüge der Schichten.

Durch Wasserstoffeinbau stable amorphe SiC-Schichten (a-SiC:H) 是在文献中对光电子特征进行研究的。气相的吸收过程。聚合物的合成，是在 SiC-Schichten 和 Halbleiterqualitäten überführen lassen 中进行的。奥夫魏森。底物和未定义的大气在热解过程中，产生了非晶质 H 稳定性网络结构。 Schichten soll untersucht werden。 zu können。 Präzisionsmessungen optischer Absorbation，später durch Hinzunahme von Thermokraftmessungen。 Außerdem erhält man damit Aussagen über das mikroskopischeatomare Gefüge der Schichten。