Amorphe SiC:H-Schichten aus Precursoren: Precursorsynthese, Schichtherstellung und -charakterisierung

来自前驱体的非晶 SiC:H 层：前驱体合成、层生产和表征

• 批准号: 5258552
• 负责人: Professor Dr. Eberhard Müller
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5258552?language=en
• 关键词: Amorphe; SiC; Schichten; aus; Precursoren

Durch Wasserstoffeinbau stabilisierte amorphe SiC-Schichten (a-SiC:H) werden aufgrund ihrer interessanten optoelektronischen Eigenschaften in zunehmendem Maße in der Literatur beschrieben. Die Herstellung solcher Schichten geschieht bisher ausnahmslos über zeitaufwendige Abscheideprozesse aus der Gasphase. Hier soll ein innovativer Weg zur Schichtherstellung aus Precursorpolymeren und deren Pyrolyse erschlossen werden, der eine höhere Effektivität und gegebenenfalls auch ein anderes Eigenschaftsspektrum verspricht. Ziel ist die Synthese von Polymeren, die sich in reine SiC-Schichten mit Halbleiterqualitäten überführen lassen. Um die für die Pyrolyse vorteilhaften vernetzten Si-Strukturen in den Precursoren zu erhalten, sollen Si-Gerüste synthetisiert werden, die Vinylgruppen in den Seitenketten aufweisen. Die Reinheit der Produkte wird durch einen Polymeraufbau ohne Metallkondensation über heterogen katalysierte Disproportionierung von Chlordisilanen gewährleistet. Die resultierenden niedrigviskosen Polymere sollen mittels Spin-Coating als dünne Schichten auf unterschiedlichen Substraten abgeschieden und unter definierten Atmosphären soweit pyrolysiert werden, daß eine amorphe H-stabilisierte Netzwerkstruktur resultiert. Der Einfluß von Synthese- und Pyrolysebedingungen sowie vom Substrat auf Ordnungsgrad, Zusammensetzung und Eigenschaften der Schichten soll untersucht werden. Daher ist insbesondere vorgesehen, die im Forschungsverbund präparierten a-SiC:H-Schichten mit einer breiten Palette von Verfahren auf ihre halbleiterphysikalischen Eigenschaften hin zu untersuchen, um Korrelationen zu Präparationsparametern aufstellen zu können. Dabei wird besonderer Wert auf die Bestimmung der primären den amorphen Halbleiter charakterisierenden Größen gelegt. Realisiert werden soll dies durch temperaturabhängige Leitfähigkeit und Photoleitung (auch Hochfrequenzphotoleitung) in Verbindung mit Präzisionsmessungen optischer Absorption, später durch Hinzunahme von Thermokraftmessungen. Mit Elektronenspinresonanz in Verbindung mit Elektronen-Kern-Doppelresonanz wird die Konzentration von Si und C "dangling bonds" separat gemessen, was mit den elektrischen und optischen Parametern korreliert werden soll. Außerdem erhält man damit Aussagen über das mikroskopische atomare Gefüge der Schichten.

WasSerstoffeinbau稳定剂SiC-Schichten（A-SIC：H）是Aufgrund互动的Optelektronischen，是ZunehmendemMaße在Derriantature Beschrieben中ZunehmendemMaße中特征的流行。 Die Herstellung Solcher Schichten Geschiehten Geschieht BisherAusnahmslosüberZeitaaufwendige Abscheideprozesse aus der Gasphase。 Hier Soll Ein Innovativer Weg Zur Schichtellung aus protymeren und deren pyrolyse erschlossen werden，dereineHöhoreherhereeffektivität和gegebenens und gegebenenfalls auch ein ein andereres eigenschaftsspektrum verspricht。 Ziel Ist Die Synthese von Polymeren，在Reine sic-Schichten MitHalbleiterqualithiterqualitätenüberführenLassen中模仿。 um diefürdie pylolyse vorteilhaften vernetzten si-strukturen in den protursoren zu erhalten，sollen sillen si-gerüstesynthetisiert werden，de vinylgruppen in den seitenketten in den seitenketten in den seitenketten in polymeremera in of Polymerafbauefaufbaufbaufbaufbaufbaufbaufbau ohuefbau ohueufbau ohuefbau ohuefbau ohuefbau ohuhufbau ohuhu ohueuf。 The Polymeranians' Polymeranians' Polymeranians' Polymeranians' Polymeranians' Polymeranians' Polymeranians' Spin-Coating, and Substrates the auf unterschiedlichen Substraters are also unter-definition, and the Pyrolysiert Werden, the H-stabilisierte The results of the Netzwerkstruktur are based on the synthesis- and pylosebedingungen sowie vom sudstrat auf ordnungsgrad，zusammensetzung und eigenschaften soll untersucht werden。 Daher是Insbesondere Vorgesen，为Forschungsverbund A-SIC而死：H-Schichten Mit Einer Breiten Palette Palette Von von von vorhren auf ihre halbleItherphysikalisikalischen eigenschen eigenschaften hin zu hin zu hin zu untersuchten，Um Korrelationen，Um Korrelationen，最新的趋势是保护世界的最新趋势。世界上最好的现实溶品是世界上最好的。在动词缓解，光学和光学的光学视图中，Photoleitung（Auch hochfreqhotoleitung）是吸收的光学，这是Halbleiter世界上最好的。 Mit The Elektronenspinresonanz in Verbindung mitigating Elektronen-Kern-Doppelresonanz in Si und C "dangling bonds" separat, and the like was mitigating the elektronen-Kern-Doppelresonanz in Verbindung mitigating Elektronen-Kern-Doppelresonanz in Si und C "dangling bonds" separat, and Elektronen-Kern-Doppelresonanz的参数得到了减轻。