架橋性D_3対称錯体を構築素子とする錯体分子強磁性体の設計

使用可交联D_3对称配合物作为建筑元件的复杂分子铁磁材料的设计

基本信息

批准号：
03640522
负责人：
大川尚士
金额：
$ 1.15万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03640522/
关键词：
強磁性体分子設計法ヘテロ金属集合体

项目摘要

我々の提案した三次元型磁性体の特徴を確立し、これまで報告された一次元型磁性体と比較して、本質的に優れた分子設計法であることを明らかにした。以下に、本年度に得られた研究成果を、列記する。(1)架橋性D_3対称錯体の構築素子と対となる二価金属イオンの組み合せを選ぶことにより、強磁性体,フェリ磁性体を作り分けることができた。(2)構成要素に相応するM(III)ーoxーM(II)の二核錯体を合成し、その磁化率測定結果を解析した。これより求まったヘテロ金属間の磁気的相互作用は、三次元磁性体の相転移温度をよく再現したこの結果は、構成要素の磁気的相互作用が直接的に相転移温度を支配していることを示しており、これまでの一次元磁性体の弱点を克服したことになる。(3) (1),(2)から、構成要素の適当な選択が、我々の三次元磁性体の性質を決定することが明らかになった。そこで構成要素として、Ru^<3+>ーoxーM^<2+>系,Fe^<3+>ーoxーM^<2+>系,Cr^<3+>ーdtoxーM^<2+>(dtox=ジチオオギザラト)の錯体を合成し、その磁気的挙動を詳細に調べた。(4)我々の磁性体は、これまで磁化率の温度変化,ヒステリシスの存在、弱磁場下での磁化測定等から、フェリ磁性体ではなく、強磁性体であろうと推定した。強磁場下での磁化測定がフェリかフェロかを決定することのできる測定法であり、この測定が待たれていた。本年度は、共同研究により8Tまでの磁化測定を実施し、フェロ磁性体であることを確認した。

我们确定了我们提出的三维磁性材料的特性，并表明与迄今为止报道的一维磁性材料相比，它是一种本质上优越的分子设计方法。现将今年取得的研究成果列举如下。 (1)通过选择二价金属离子与可交联D_3对称配合物的构建元素的组合，可以制备铁磁材料和亚铁磁材料。 (2)合成了与组成元素对应的M(III)-ox-M(II)双核配合物，并对磁化率测量结果进行了分析。该方法获得的异质金属之间的磁相互作用很好地再现了三维磁性材料的相变温度。这一结果表明，组成元素的磁相互作用直接控制相变温度，这意味着传统方法的弱点。三维磁性材料已被攻克。（3）从（1）和（2）可以清楚地看出，组成元素的正确选择决定了我们的三维磁性材料的性能。因此，构成元素为Ru^<3+>－ox－M^<2+>系、Fe^<3+>－ox－M^<2+>系、Cr^<3+>－dtox－M ^ 我们合成了 <2+>(dtox=dithioogizalate) 复合物并详细研究了其磁性行为。 (4) 根据磁化率的温度变化、磁滞的存在以及弱磁场下的磁化强度测量，我们的磁性材料被认为是铁磁材料，而不是亚铁磁材料。强磁场下磁化强度的测量是一种可以确定是铁还是铁的测量方法，这种测量方法人们期待已久。今年，通过联合研究，我们进行了高达8T的磁化强度测量，并确认它是一种铁磁材料。