プロセス用プラズマのシース

过程等离子体鞘层

基本信息

批准号：
03302025
负责人：
板谷良平
金额：
$ 10.11万
依托单位：
Niihama National College of Technology (1993)Kyoto University (1991-1992)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至 1993
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究課題は半導体プロセスに不可欠の技術であるプラズマプロセシングに関して最も重要な働きをしているプラズマのシース,すなわち,プラズマと固体表面との間に存在するインターフェースについて組織的な研究を開始したものである。本年度は3か年計画の最終年度であり,2回の研究会を開き,研究成果のまとめを行った。本研究における成果の主なものは次の通りである。1.シースの構造について条件の異なるプラズマすなわち、RFプラズマ,電子ビームプラズマ,マグネトロンプラズマ,微粒子プラズマ、ならびに特性の異なる固体壁すなわち電子放出電極,導体壁、および絶縁体壁前面におけるシースやプリシースの構造,特性について知見を得た。2.シースのモデリングについて固体表面に構造を持つ場合を含むシースについての各種シミュレーション技法が開発され,その結果として,RFプラズマの場合にボーム条件が従来のものと異なること,微粒子を含む場合にはシースの構造が2段になること,壁が絶縁物の場合には,壁への熱流束はイオンによるものよりも電子によるものの方が遥かに大きくなること等が明らかになった。3.ラジカル、微粒子の生成と流束プラズマ中の各種ラジカルの振舞いに関する計測が進み、各種ラジカル,特にCH系ならびにCF系の電子衝突生成断面積、密度分布,シースを横切るラジカル束,固体表面に入射するイオンによるラジカル生成等が定量的に明らかにされた。シランプラズマ内の微粒子発生の時間的,空間的振舞が明らかになった。プラズマに関するパラメタ制御によるエッチング特性やCVDの膜特性の改善が得られ、プロセス用プラズマ改良の有効性が示された。

这项研究任务已经开始了对等离子体鞘的有组织研究，这在血浆加工中最重要，这对于半导体过程至关重要，即等离子体和固体表面之间的界面。今年是三年计划的最后一年，并举行了两个研究小组来总结研究结果。这项研究的主要结果如下。 1。关于鞘的结构，具有不同条件的血浆，RF等离子体，电子束等离子体，磁控棒等离子体，细颗粒等离子体以及不同的特性，电子释放电极，电子释放电极，导体壁以及护套和刺激性的结构在绝缘墙的前面，我了解了特征。 2。关于鞘的鞘的建模，包括在固体表面上具有结构的各种模拟技术，因此，当RF等离子体与常规部分不同时，它包含细粒子据透露，鞘的结构变成了两个步骤，如果壁是绝缘子，则由于电子而流向墙壁的热量要比离子大得多。 3。在血浆中进行各种自由基行为的自由基，尤其是基于CH和CF的各种自由基行为，尤其是基于CH和CF的电子碰撞横层，密度分布，跨鞘层的自由基捆绑。数量揭示了事故。细颗粒在shramprasma中的时间和空间行为已显示出来。通过与等离子体相关的参数控制，改善了蚀刻特性和CVD膜特性，表明血浆处理的有效性。