中性子線用イメ-ジインテシファイヤの開発

中子束像增强器的开发

• 批准号: 02650293
• 负责人: 高橋 幸郎
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Saitama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02650293/
• 关键词: 中性子ラジオグラフィ; イメ-ジインテシファイヤ; 非破壊検査

中性子ラジオグラフィのための高解像力のイメ-ジインテンシファイア(以下I.I.と略)の開発のために、I.I.の構造、製造法に関して種々の検討を行ない、試作したI.I.についてその光電特性を評価した。具体的にはI.I.の構造として、大口径で画像歪みの少ない近接型又は電磁収束型とした。この結果光電面を平面にでき、入射側の面板製作が容易なものとなった。また入力側は中性子コンバ-タ膜であるGd_2O_3/ZnSと光電膜であるSb蒸着膜の二層構造とし、出力側はZnS蛍光膜を使用した。I.I.の製法として従来とは異なる方法を開発した。即ち真空排気装置に、光電面側の面板部分と真空キャップの付いた排気チップと蛍光面板および仮焼成した低融点ガラスをシ-ル面に塗布した本体部分を分離して装着する。Sbを所定の厚さに光電面側の面板に蒸着した後、両者を加熱して接触し低融点ガラスで真空封着を行なう。次に別の高真空排気装置にこのI.I.を排気チップを用いて取り付け、装置を真空に引いた状態で排気チップよりキャップを除去し、I.I.全体をベ-キングを行なう。この排気チップよりアルカリ蒸気を送りこみ、光電面の活性化を行なった後、排気チップを封じ切る。この方法により蒸着したSbを大気に曝すことなく活性化処理が行なえるため感度が低下せず、またI.I.内部がアルカリ金属で被覆されるため、ゲッタ効果により放出ガスによる感度低下が少ない利点がある。更にこの方法は近接型、電磁収束型の両者に適用でき、また合金化のための温度制御が容易である。今後試作したI.I.を中性子ラジオグラフィ照射場において動作させ、中性子/光変換増倍感度、解像力、ガンマ線効果、感度の経時変化などの特性評価を行なう。

为了开发用于中子射线照相的高分辨率图像增强器（以下简称I.I.），我们对I.I.的结构和制造方法进行了各种研究，并对原型I.I.的光电性能进行了评估。具体来说，I.I.结构是近距离型或电磁聚焦型，孔径大，图像畸变小。结果，可以使光电阴极变得平坦，并且可以容易地制造入射侧的面板。另外，输入侧具有作为中子转换膜的Gd_2O_3/ZnS和作为光电膜的Sb蒸镀膜的两层结构，输出侧使用ZnS荧光膜。我们开发了一种与传统方法不同的 I.I. 制造方法。即，光电阴极侧的面板部、带真空盖的排气芯片、荧光屏板、以及密封面涂有预烧结低熔点玻璃的主体部分别贴附在真空抽气装置上。设备。在光电阴极侧的面板上以规定的厚度蒸镀Sb后，将两者加热并接触，利用低熔点玻璃进行真空密封。接下来，使用抽真空尖端将该I.I.连接至另一个高真空抽真空装置，在对装置进行抽真空的同时将盖子从抽真空尖端移除，并且对整个I.I.进行烘烤。碱性蒸气通过排气端送入以激活光电阴极，然后密封排气端。该方法可以在不将沉积的Sb暴露于大气的情况下进行活化处理，因此灵敏度不会降低，并且由于I.I的内部被碱金属覆盖，因此具有灵敏度降低很少的优点。由于吸气剂效应而释放气体。此外，该方法可以应用于接近型和电磁会聚型，并且合金化的温度控制也容易。未来，我们将在中子射线照相照射场中操作原型 I.I.，并评估中子/光转换倍增灵敏度、分辨率、伽马射线效应以及灵敏度随时间的变化等特性。