触媒CVD法により作られるアモルファス半導体膜特性の触媒体依存性.

催化 CVD 产生的非晶半导体薄膜特性对催化剂的依赖性。

基本信息

批准号：
63550236
负责人：
松村英樹
金额：
--
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-63550236/
关键词：
薄膜堆積技術アモルファス-シリコン触媒CVD法 CVD法

项目摘要

熱触媒反応を用いて原料ガスを分解することにより、プラズマも光励起も用いることなく、300℃以下の低温で薄膜堆積のできる「触媒CVD法」と名付けた新しい方法により、アモルファス・シリコン(a-Si)、シリコン・ナイトライド(SiNx)の成膜を試み、特に、触媒体材料と膜質の関係に関し検討加えた。その結果、1)a-Si堆積時には、原料ガスのシランを触媒体に吹き付けた直後に、その触媒体表面はシリサイドへと変質し、約30分の膜堆積の後には、それはほとんどシリコンへと変わること、また、この触媒体表面の変質に応じて、触媒体温度の逆数と成膜速度の関係から求まる活性化エネルギーは変化し、この触媒体上での原料ガスの分解反応が単なる熱反応でないことも確認できた。また、2)a-Siの膜質の触媒体材料への依存性は小さいが、触媒体表面が単なるシリコンに変質した際に作られるa-Siの電子共鳴スピン密度は1×10^<16>cm^<-3>まで低下し、低欠陥の膜が作られていること、さらに、3)触媒体上では表面移動度が大きく、不活性なSiH_3などの種が大量に作られ、これが良質な膜を形成するための鍵となっていることを明らかにした。表面移動度の大きな種を用いて薄膜を形成すると、集積回路などの微細な凸凹に沿って膜が堆積することが知られていたので、結果3)に基づき、この触媒CVD法を集積回路の層間絶縁薄膜の堆積に適用することを試みた。その結果、4)触媒CVD法により、SiNxなどの層間絶縁膜用薄膜が容易に堆積できることを確認した。

通过使用热催化反应将原材料气体分解，我们尝试使用一种称为“催化CVD方法”的新方法沉积无粒硅（A-SI）和硝酸硅（Sinx）膜（SINX）膜，允许薄膜沉积在300°C或下面的低温下，不使用plasma或Flimex Wasticate，以及尤其是在不使用型号的情况下，并及其构建质量，并及时构建了相互质量的质量。结果，1）在A-SI沉积过程中，将原始气体的硅烷喷涂到催化剂体上后，催化剂体的表面立即在催化剂体上，然后经过大约30分钟的膜沉积，它几乎转化为硅。此外，已经证实，取决于催化剂体温逆与膜形成速率之间的关系确定的活化能取决于催化剂体的表面，而原材料气体在催化剂体上的分解反应不仅仅是热反应。此外，2）A-SI的膜质量很小，依赖于催化剂材料，但是当催化剂的表面转化为简单的硅时，A-SI的电子共振旋转密度已产生，该密度已降低到1×10^<16> cm^<-3>，创造了较大的表面效果，并且体现了较大的猫态，并且体现了一个较大的猫态和3），并且是3），并且是3）的效果，并且是3）的体现，并且是3）的体现，并且是3）的效果SIH_3是生产的，这是形成高质量电影的关键。众所周知，当使用具有高表面迁移率的物种形成薄膜时，膜将沿诸如集成电路等细度的薄膜沉积，因此基于结果3），我们试图应用这种催化剂CVD方法来沉积层间绝缘层，使集成电路的薄膜薄膜。结果，已经证实4）催化CVD方法可以轻松地沉积层间绝缘膜薄膜，例如Sinx。