極紫外域高エネルギ-光子を用いた安定構造非晶質シリコン系薄膜の形成

在极紫外区域利用高能光子形成稳定的非晶硅薄膜

基本信息

  • 批准号:
    01850061
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 6.02万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 1990
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は極紫外域の高エネルギ-光子により原料ガスを励起分解し、生成された活性種を利用して化学反応を誘起、促進させ、熱や光照射等により物性が劣化しない安定な構造を持つ高品位の非晶質シリコン系薄膜を形成することを目的とする。1.<安定構造非晶質シリコン薄膜の物性評価>___ー極紫外光誘起化学反応を用いて,熱、光照射等による物性劣化の少ない安定構造非晶質シリコン膜の形成を実現した。一定光電流法によりギャップ内準位密度を評価したところ2×15^<15>cm^<-3>という低い値をもつことがわかった。膜内水素量が5%以下と少ないことから、ダングリングボンドが効率よく低減されている。内部光電子放出法によって決定された移動度ギャップと光学的ギャップとの差は従来のグロ-放電法により製作された膜のそれよりも小さく、極紫外光CVD膜はバンド端付近の局在準位が少なく高品質な膜であることを示唆している。2.<多元系非晶質膜の形成>___ー原料ガスに炭化水素系ガス(アセチレン)を混合して導入することにより非晶質シリコンカ-ボン薄膜を形成した。原料流量比を変える事により炭素組成比を0〜0.6の間で変化させることができた。それにともない光学的禁制帯幅が1.7〜3.0eVの間で制御できる。光導電率、ならびに暗導電率は炭素組成の増加にしたがって減少するが、炭素組成比0.3、禁制帯幅2.3eVの膜でも3〜4桁の光/暗導電率比が得られ、電子素子へ適用可能な膜が形成できた。今後、光源の安定した高輝度化、原料ガス導入量増加により堆積速度向上を目指し、実用化プロセスへの適用が期待される。
这项研究旨在激发和分解高能光子在极端紫外线范围内的高能光子,并使用产生的活性物种诱导和促进化学反应,并形成具有高级无定形硅的薄膜,具有稳定的结构,该结构不会因热或光照射而导致的物理性质,从而使物理特性不构成物理性质。 1。<<评估稳定结构的物理性能无定形硅薄膜> ___--紫外线光诱导的化学反应用于形成一种稳定的结构无定形的无定形硅膜,由于热,光照射而导致的物理性能很少降低,因此,由于使用恒定的光量化方法,它在高度的水平上被评估了,因此,它的水平密度是在恒定的水平密度时,它发现了一个低估的方法,它发现了一个低估的价值,它的价值是有一个值得一提的。 2×15^<15> cm^<-3>。由于膜中的氢量很小,在5%或更低的情况下,悬挂键可以有效降低。通过内部光发射方法确定的迁移率差距和光学差距的差异小于传统的GLO释放方法制造的膜的差异,这表明超硫化膜CVD膜在带边缘附近的定位水平较少,并且是高质量的膜。 2。<通过将碳氢化合物(乙炔)混合到原材料气体中,形成了多基超晶膜> __-无形硅碳薄膜。通过改变原材料流量比,碳组成比可以在0到0.6之间更改。另外,可以在1.7和3.0 eV之间控制光学频带宽度。光电导率和深色电导率随碳组成的增加而降低,但是还获得了碳组成比为0.3且禁止带宽度为2.3 eV的膜,并形成了3-4个光/暗电导率比率的3-4个级,从而使膜可将膜应用于电子设备。将来,预计该产品将通过增加光源的亮度并增加引入的原材料气体量来应用于实际应用,以提高沉积速度。

项目成果

期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Matsunami: "aーSi:H Films by direct photoーCVD and Doping Characteristics" Proceeding of the Intnernational PVSECー4. 289-293 (1989)
H.Matsunami:“直接光 CVD 和掺杂特性的 a-Si:H 薄膜”国际 PVSEC-4 会议记录 289-293 (1989)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Shirafuji: "Low HydrogenーConcentration a Si:H Deposited by Direct PhotoーCVD" Technical digest of the International PVSECー5. 31-34 (1990)
T.Shirafuji:“直接光 CVD 沉积的低氢浓度 Si:H”国际 PVSEC-5 技术文摘 (1990)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Matsunami: "a-Si:H Films by Direct Photo-CVD and Doping Characteristics" Proceedings of the 4th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,Sydney. 1. 289-293 (1989)
H.Matsunami:“a-Si:H Films by Direct Photo-CVD and Doping Features”第四届国际光伏科学与工程会议论文集,悉尼。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
白藤立: "真空紫外光を用いた直接光CVD法によるaーsi:H膜の製作と物性評価" 電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会技術研究報告. SDM89ー144. 7-11 (1989)
Tatsu Shirafuji:“使用真空紫外光的直接光学 CVD 方法制造和评估 asi:H 薄膜的物理性能”IEICE 硅材料和器件研究组技术研究报告 SDM89-144 (1989)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Matsunami: "aーSi:H Deposited by Direct PhotoーCVD Using a MicrowaveーExcited Xe Lamp" Proceeding of 1990 Spring Meeting of Materials Research Society,USA. Symp.O. (1990)
H.Matsunami:“使用微波激发 Xe 灯通过直接光 CVD 沉积 a-Si:H”美国材料研究学会 1990 年春季会议论文集 (1990)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

冬木 隆其他文献

SHULAI HUANG, ZIWU JI, LEI ZHANG, MINGSHENG XU, SHUANG QU, XIANGANG XU, QIXIN GUO
黄树来、季子武、张雷、徐明胜、曲爽、徐先刚、郭启鑫
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    畑山 智亮;田村 哲也;矢野 裕司;冬木 隆;星 陽一・小林信一・内田孝幸・清水英彦;Effect of reactor pressure upon photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layer
  • 通讯作者:
    Effect of reactor pressure upon photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layer
Irrigation Control of Paddy Field to Reduce Pollutant Outflow
控制稻田灌溉减少污染物外流
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山下一郎;芝 清隆;河村秀樹;三浦篤志;金丸周司;鈴木治和;臼井健悟;林崎良英;岩場健治;安部 聡;上野隆史;小林未明;塚本里加子;杉本健二;柏木健司;佐野健一;梅津光央;芹澤 武;松野寿生;松浦和則;高谷 光;磯崎勝弘;芳賀祐輔;上杉 隆;中谷昭彦;直田 健;村田 智;齊藤博英;井上 丹;佐々木善浩;田 文杰;菊池純一;浦岡行治;桐村浩哉;冬木 隆;熊谷慎也;吉井重雄;寒川誠二;鈴木直毅;安立京一;李 奉局;川合知二;一木隆範;マニッシュ・ビヤニ;根本直人;松尾保孝;居城邦治;田畑 仁;松井 宏;松村幸;Ogawa AIKO
  • 通讯作者:
    Ogawa AIKO
Measurement of Acoustic Property for Signal Recovery in PEA method
PEA 方法中信号恢复的声学特性测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    畑山 智亮;堀 良太;田村 哲也;矢野 裕司;冬木 隆;Masumi Fukuma 他5名
  • 通讯作者:
    Masumi Fukuma 他5名
バイオナノプロセスー溶液中でナノ構造を作るウェット・ナノテクノロジーの薦めー
Bionanoprocess - 推荐使用湿纳米技术在溶液中创建纳米结构 -
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山下一郎;芝 清隆;河村秀樹;三浦篤志;金丸周司;鈴木治和;臼井健悟;林崎良英;岩場健治;安部 聡;上野隆史;小林未明;塚本里加子;杉本健二;柏木健司;佐野健一;梅津光央;芹澤 武;松野寿生;松浦和則;高谷 光;磯崎勝弘;芳賀祐輔;上杉 隆;中谷昭彦;直田 健;村田 智;齊藤博英;井上 丹;佐々木善浩;田 文杰;菊池純一;浦岡行治;桐村浩哉;冬木 隆;熊谷慎也;吉井重雄;寒川誠二;鈴木直毅;安立京一;李 奉局;川合知二;一木隆範;マニッシュ・ビヤニ;根本直人;松尾保孝;居城邦治;田畑 仁;松井 宏;松村幸
  • 通讯作者:
    松村幸
フッ素系および塩素ガスを用いた炭化ケイ素の熱エッチング
使用氟和氯气热蚀刻碳化硅
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    畑山 智亮;堀 良太;田村 哲也;矢野 裕司;冬木 隆
  • 通讯作者:
    冬木 隆

冬木 隆的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('冬木 隆', 18)}}的其他基金

レーザ励起による表面反応ダイナミクスの究明とエピタキシャル成長の原子層レベル制御
激光激发表面反应动力学研究和外延生长原子层控制
  • 批准号:
    06239236
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
広禁制帯幅半導体との複合による極限高効率シリコン太陽電池の開発
与宽带隙半导体结合开发极高效率硅太阳能电池
  • 批准号:
    06558069
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
表面制御原子層エピタキシー法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御
表面控制原子层外延法制备纯SiC晶体并控制光学性能
  • 批准号:
    04205069
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化
使用晶格匹配复合材料最大限度地提高硅太阳能电池的效率
  • 批准号:
    04203220
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化
使用晶格匹配复合材料的硅太阳能电池具有极高的效率
  • 批准号:
    03203237
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
表面制御原子層エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御
表面控制原子层外延法制备纯SiC晶体并控制光学性能
  • 批准号:
    03205064
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化
使用晶格匹配复合材料的硅太阳能电池具有极高的效率
  • 批准号:
    02203233
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
表面制御エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御
表面控制外延法制备纯SiC晶体并控制光学性能
  • 批准号:
    02205061
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
表面超格子を用いた単結晶シリコンカ-バイドの原子層制御エピタキシ-
利用表面超晶格的单晶碳化硅原子层控制外延
  • 批准号:
    01550013
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

相似国自然基金

(xZrC-yHfC-zSiC)/SiC多层交替涂层的多相共沉积机理及其一步CVD法制备研究
  • 批准号:
    52302071
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30.00 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于气象环境数据与机器学习集成的东北地区CVD健康风险管理优化研究
  • 批准号:
    72304273
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30.00 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
CVD石墨烯作为模板制备高质量sp2碳共轭2D COFs薄膜
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于低缺陷CVD单晶金刚石的高电荷收集效率电离辐射探测器的基础研究
  • 批准号:
    52261135545
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    105.00 万元
  • 项目类别:
    国际(地区)合作与交流项目
CVD石墨烯作为模板制备高质量sp2碳共轭2D COFs薄膜
  • 批准号:
    22205149
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30.00 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

CVDグラフェンの高移動度化に向けた擬似サスペンド構造の開発
开发伪悬浮结构以提高 CVD 石墨烯的迁移率
  • 批准号:
    23K22804
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
非Pb系ペロブスカイト太陽電池製造のためのCVDプロセスの開発
开发用于制造非铅钙钛矿太阳能电池的CVD工艺
  • 批准号:
    23K23127
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
大気圧プラズマCVD法によるシリカ膜のサブナノ細孔構造制御と超薄膜製膜技術の確立
常压等离子体CVD法二氧化硅膜亚纳米孔结构控制及超薄膜形成技术的建立
  • 批准号:
    23K23119
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
CVD-SiC材料の高能率・超精密加工とその加工現象解明の研究
CVD-SiC材料高效超精密加工研究及加工现象阐明
  • 批准号:
    24K07262
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
従来ない鋼へのダイヤモンド直接コーティングを目的とした新しい低温CVD法
一种在钢上直接涂覆金刚石的新型低温 CVD 方法
  • 批准号:
    24K17186
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 6.02万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了