Molekulardynamische Modellierung und Validierung der Herstellung und der Struktur-Eigenschafts-Korrelationen von SiC/SiN-Nanolaminaten
SiC/SiN 纳米层压材料的制备和结构-性能相关性的分子动力学建模和验证
基本信息
- 批准号:51053141
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2007
- 资助国家:德国
- 起止时间:2006-12-31 至 2010-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In der ersten Förderperiode dieses Projektes wurden dünne Ein-, Zwei- und Viellagenschichten aus SiC und SiN auf Si durch Magnetronzerstäuben (Sputtern) von keramischen Targets abgeschieden und umfassend von der Mikro- bis zur Nanometerskala charakterisiert. Parallel zu den Experimenten wurden der Zerstäubungsprozess an den Targets mittels Molekulardynamik (MD) sowie erstmals die Abscheidung kristalliner SiC- und SiN-Schichten auf Si-Substraten atomistisch simuliert. Um das heuristische Stadium der Beschichtungsentwicklung zu verlassen, werden zur gezielten Herstellung verbesserter Beschichtungen die MD-Simulationen unter Einbeziehung von Werkstoffgradienten und Modifizierung der Eigenspannungszustände in den Grenzflächen durch Variation des Ionenbeschusses während des Schichtwachstums mit experimenteller Validierung eng verzahnt. Im Fortsetzungsantrag werden weitere parallele Arbeiten auf experimenteller und Simulationsseite zur Vertiefung der Kenntnisse über die mechanischen Eigenschaften von Viellagenschichten vor-geschlagen. Dazu sollen zum einen an SiC- und SiN-Einlagenschichten sowie an SiC/SiN-Viellagenschichten mit unterschiedlicher Lagendicke mit und ohne modifizierte Grenzflächen Nanoindentierungsexperimente mit einer Diamantspitze zur Bestimmung von Härte und elastischem Modul rechnerisch nachvollzogen und die Berechnungsergebnisse durch geeignete Anpassungen der Modelle an die realen Bedingungen bis zur Übereinstimmung mit den Messungen abgeglichen werden. Zum anderen soll mit Hilfe von Simulationen gezielt die Rissausbreitung in SiC/SiN-Nanolaminaten untersucht und mit entsprechenden Experimenten verglichen werden.
目的是第一次死亡,到今年年底,目标是来自Sic und Sin Auf Si Durch(Sputtern),而目标来自Mikro-Bis Zur Zur nonometerskala Charakterisiert。平行的Zu Den实验来自ZerstäubungsProzess Prozess Mittels Molekulardynamik(MD)Kristalliner sic-und Sin-Schichten auf si-Si-Si-Si-Sibstraten Atomistisch Simuliert。 Um das heuristische Stadium der Beschichtungsentwicklung zu verlassen, werden zur gezielten Herstellung verbesserter Beschichtungen die MD-Simulationen unter Einbeziehung von Werkstoffgradienten und Modifizierung der Eigenspannungszustände in den Grenzflächen durch Variation des Ionenbeschusseswährenddes Schichtwachstums麻省理工学院实验室公司在加利福尼亚州拥有强大的业务,并致力于各个年龄段的努力。我们致力于创建一种新的创新方法来创建一种新的创新方法。我们致力于创建一种新的创新方法,以实现sic-in-in-in-in-in-in-in-in-in-viellagenschichten Mittschiedlicher lagendick unts und ohne modifiszierte grenziertegrenzflächen,是世界上最好的体验,但世界上最好的体验是世界上最好的体验,但是世界上最好的体验。世界上最畅销的经历是世界上最畅销的经历。 Verglichen Werden。
项目成果
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