Development of high performance large-area X-lay imaging detectors with energy discrimination capabilities

开发具有能量辨别能力的高性能大面积X射线成像探测器

• 批准号: 22240062
• 负责人: YASUDA Kazuhito
• 金额: $ 26.29万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22240062/
• 关键词: 検査; 診断システム; 放射線・X線; エピタキシャル成長; 電子デバイス; 結晶成長; 医療診断

Improvement of performance of p-like CdTe/n-CdTe/n+-Si heterojunction diode type radiation detectors has been studied. The diode type detectors were fabricated with CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. 8x8 2-dimensional imaging detector arrays were also fabricated by integrating the diode type detectors. Energy discriminated X-ray images were obtained with these arrays. 2-dimensional detector arrays with large substrates size of 24.5x24.5 mm2 and high integration density of 20x20 were also realized.

对p型CdTe/n-CdTe/n+-Si异质结二极管型辐射探测器的性能改进进行了研究。二极管型探测器是用有机金属气相外延法在硅衬底上生长的 CdTe 层制成的。还通过集成二极管型探测器制造了 8x8 二维成像探测器阵列。利用这些阵列获得了能量辨别的 X 射线图像。还实现了具有24.5x24.5 mm2大基板尺寸和20x20高集成密度的二维探测器阵列。

项目成果

中日新聞2011年11月4日掲載

发表于 中日新闻 2011年11月4日

Dark-current characteristics ofradiation detector arrays developedusing MOVPE grown thick CdTe layers onSi substrates

使用硅衬底上 MOVPE 生长的厚 CdTe 层开发的辐射探测器阵列的暗电流特性

• DOI: 10.1007/s11664-012-2121-7
• 发表时间: 2012
• 期刊: J. Electron. Mater.
• 作者: K.Yasuda;M. Niraula;N. Fujimura
• 通讯作者: N. Fujimura

MOVPE法による大面積CdTe X線γ線画像検出器に関する研究 CdZnTe層成長と特性評価

MOVPE法大面积CdTe X射线伽马射线图像探测器研究CdZnTe层生长及特性评估

• 发表时间: 2012
• 作者: 難波秀平;安田和人;他
• 通讯作者: 他

MOVPE法による大面積CdTe X線γ線画像検出器に関する研究（XIII)

MOVPE法大面积CdTe X射线伽马射线图像探测器研究（十三）

• 发表时间: 2013
• 作者: 山下隼、安田和人;他
• 通讯作者: 他

Post growth annaling of CdTe layers grown on Si substartes by metalorganic vapor phase epitaxy

通过金属有机气相外延在 Si 基底上生长的 CdTe 层的后生长退火

• DOI: 10.1007/s11664-013-2680-2
• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Electron. Mater.
• 作者: K.Yasuda;M.Niraula;S.Namba;et al.
• 通讯作者: et al.