磁場によるナノ配位空間の制御とナノ空間への分子磁気吸着

磁场控制纳米配位空间和分子磁吸附到纳米空间

基本信息

批准号：
18033018
负责人：
尾関寿美男
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2008
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18033018/
关键词：
集積型金属錯体磁場吸着酸素磁気吸着

项目摘要

Cu^<2+>以外の金属イオンを用いたCPL-1系や他の集積型金属錯体生成への磁場効果を試みたが,著しい結晶成長や形態変化はみられたものの,構造(組成)変化は得られなかった。ゲート錯体LPCも磁場中調製によってモルフォロジーは不規則形状から滑らかな表面を持つ四角柱へと大きく変化したが,構造は変化せず,窒素吸着等温線も変わらなかった。磁気的に興味深い多孔性集積型金属錯体への磁気吸着を検討するために,定圧で吸着の磁場応答を検出できる圧力フィードバック式吸着量測定装置を開発した。ガス流入量を一定にして,吸・脱着に伴う圧力変化を打ち消すように排出量を調節した。磁気吸着による圧力変化ΔPはΔ〓Δ_XH^2P_0(Δ_X,吸着に伴う磁化率変化;H,磁場強度;P_0,全圧)で与えられる。CPL-1への酸素の磁気吸着の例を示した。ノイズが大きいが,酸素流入量と排出量の差から見積もった磁気吸着量を相対圧に対してプロットした。ΔPは圧力の1.2乗に依存した。常磁性の酸素ばかりでなく,反磁性の水素も磁気吸着したことから,吸着に伴って吸着分子とCPL-1の間で電子移動が起こっていると推定され,吸着状態の分子の磁性あるいは固体細孔内の局所磁場が大きな役割を果たしており,磁場による圧力応答が表面磁性に極めて敏感であることを示唆している。LPCのゲート圧への磁場効果は得られていないが,ゲート圧のシフトが得られれば,磁場による顕著な吸着量制御が可能になると期待される。

我们尝试利用磁场效应对使用Cu^<2+>以外的金属离子形成CPL-1体系和其他集成金属配合物进行研究，但虽然观察到显着的晶体生长和形态变化，但结构（组成）没有变化。获得。在磁场中制备时，门配合物LPC的形貌也发生了显着变化，从不规则形状变为表面光滑的长方体，但结构保持不变，氮吸附等温线没有改变。为了研究磁性多孔集成金属配合物的磁吸附，我们开发了压力反馈型吸附测量装置，可以检测恒压下吸附的磁场响应。气体流入速率保持恒定，并调节排气速率以抵消由于吸附和解吸引起的压力变化。由于磁引力而引起的压力变化ΔP由Δ〓Δ_XH^2P_0(Δ_X，由于引力而引起的磁化率变化；H，磁场强度；P_0，总压力)给出。显示了 CPL-1 磁力吸附氧气的示例。尽管噪音很大，但根据氧气流入量和氧气流出量之间的差异估算出的磁吸附量相对于相对压力进行了绘制。 ΔP 取决于压力的 1.2 次方。由于不仅顺磁性氧而且反磁性氢也被磁性吸附，因此推测在吸附过程中吸附分子和CPL-1之间发生电子转移，并且吸附分子或固体的磁性这表明吸附分子内的局部磁场孔隙起着主要作用，磁场引起的压力响应对表面磁性极其敏感。尽管尚未获得磁场对LPC浇口压力的影响，但预计如果获得浇口压力的变化，则可以利用磁场显着控制吸附量。