分子性導体の新奇圧力誘起量子相転移の探索と高圧交流比熱法による精密圧力相図の決定

寻找分子导体中新颖的压力诱导量子相变，并使用高压交流比热法确定精确的压力相图

• 批准号: 18028009
• 负责人: 辺土 正人
• 金额: $ 2.43万
• 依托单位: University of the Ryukyus
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18028009/
• 关键词: 分子性導体; 超高圧; 高圧相図; 圧力誘起超伝; TMTTF塩; 高圧下電気抵抗; 圧力誘起超伝導; 有機導体

今回我々は、ダイヤモンドアンビルセル(DAC)による高圧・磁場中での測定を試みた。我々はDACを用いて、6GPa程度の超高圧下で(TMTTF)_2SbF_6のゼロ抵抗を観測することに成功した。この技術を用いて、各圧力で磁場方向を変えて磁場中電気抵抗を測定し、そのオンセットから上部臨界磁場を決定した。電流方向はすべてa軸(カラム方向)に流した。(TMTTF)_2PF_6に対しても同じ条件で行った。上部臨界磁場は、すべての軸方向で大きな異方性を示すことがわかった。一方、(TMTTF)_2PF_6ではH//a, b'方向ではほとんど同じ依存性を示した。これは、LeeらのTMTSF塩の報告とよく一致している。これらのP-T相図では、(TMTTF)_2SbF_6が非常に広い圧力範囲に超伝導相が存在し、(TMTTF)_2PF_6や(TMTTF)_2AsF_6ではTMTSF塩と同様に絶縁体相の消失点近傍の狭い範囲に存在していた。上部臨界磁場の異方性のこの違いは、P-T相図で違いの超伝導相の広がりのに対応している可能性がある。やはりここでも(TMTTF)_2SbF_6がこの系の中で特異な存在であることが明らかになった。今後さらにキュービックアンビル高圧装置の技術開発を進め、電気抵抗以外の物理量測定やさらなる小型化を進めることで低温磁場下での測定が可能になり、新奇な物性探索がより簡便に行える環境を整えることで、この分野に貢献していきたいと考えている。

这次，我们试图在高压和磁场下使用钻石砧（DAC）测量。我们已经成功地观察到（TMTTF）_2SBF_6在使用DAC的超高压下（TMTTF）_2SBF_6的零电阻。使用此技术，在每个压力下更改磁场方向以测量磁场中的电阻，并从其发作中确定上临界场。所有当前方向沿A轴（列方向）流动。 （TMTTF）_2PF_6也在相同的条件下进行。发现上部临界场在所有轴向方向上表现出大型各向异性。另一方面，（TMTTF）_2PF_6在H // A和B'方向上显示几乎相同的依赖关系。这与Lee等人的TMTSF盐报告非常吻合。在这些P-T相图中，（TMTTF）_2SBF_6在非常宽的压力范围内具有超导相位，并且（TMTTF）_2PF_6和（TMTTTF）_2ASF_6在狭窄的范围内存在于绝缘剂阶段消失的范围附近，就像Tmtsf Salts salls salls salls salls salls salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salts salls salts salts salts salts salts salls上很高。上临界场各向异性的这种差异可能对应于P-T相图中不同超导相的扩散。已经揭示了（TMTTF）_2SBF_6也是该系统中的独特存在。将来，我们将继续开发用于高压立方砧座设备的技术，并且通过进一步增加电阻以外的物理量的大小，将可以在低温磁场下进行测量，并通过创建一个可以更轻松地搜索新颖的物理特性的环境，我们希望为这一领域做出贡献。

项目成果

Anomalous Pressure Dependence of Superconductivity in Layered Organic Conductor, K-(BEDT-TTF)_4Hg_<2.89>Br_8

层状有机导体中超导性的反常压力依赖性，K-(BEDT-TTF)_4Hg_<2.89>Br_8

• 发表时间: 2007
• 期刊: Journal of the Physical Society of Japan 76
• 作者: H. Taniguchi;T. Okuhata;T. Nagai;K. Satoh;N. Mori;Y. Shimizu;M. Hedo;Y. Uwatoko
• 通讯作者: Y. Uwatoko

高圧技術ハンドブック

高压技术手册

• 发表时间: 2006
• 作者: M.Sakai et al.;鈴木敦士
• 通讯作者: 鈴木敦士