分子性導体の新奇圧力誘起量子相転移の探索と高圧交流比熱法による精密圧力相図の決定

寻找分子导体中新颖的压力诱导量子相变，并使用高压交流比热法确定精确的压力相图

• 批准号: 18028009
• 负责人: 辺土 正人
• 金额: $ 2.43万
• 依托单位: University of the Ryukyus
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18028009/
• 关键词: 分子性導体; 超高圧; 高圧相図; 圧力誘起超伝; TMTTF塩; 高圧下電気抵抗; 圧力誘起超伝導; 有機導体

今回我々は、ダイヤモンドアンビルセル(DAC)による高圧・磁場中での測定を試みた。我々はDACを用いて、6GPa程度の超高圧下で(TMTTF)_2SbF_6のゼロ抵抗を観測することに成功した。この技術を用いて、各圧力で磁場方向を変えて磁場中電気抵抗を測定し、そのオンセットから上部臨界磁場を決定した。電流方向はすべてa軸(カラム方向)に流した。(TMTTF)_2PF_6に対しても同じ条件で行った。上部臨界磁場は、すべての軸方向で大きな異方性を示すことがわかった。一方、(TMTTF)_2PF_6ではH//a, b'方向ではほとんど同じ依存性を示した。これは、LeeらのTMTSF塩の報告とよく一致している。これらのP-T相図では、(TMTTF)_2SbF_6が非常に広い圧力範囲に超伝導相が存在し、(TMTTF)_2PF_6や(TMTTF)_2AsF_6ではTMTSF塩と同様に絶縁体相の消失点近傍の狭い範囲に存在していた。上部臨界磁場の異方性のこの違いは、P-T相図で違いの超伝導相の広がりのに対応している可能性がある。やはりここでも(TMTTF)_2SbF_6がこの系の中で特異な存在であることが明らかになった。今後さらにキュービックアンビル高圧装置の技術開発を進め、電気抵抗以外の物理量測定やさらなる小型化を進めることで低温磁場下での測定が可能になり、新奇な物性探索がより簡便に行える環境を整えることで、この分野に貢献していきたいと考えている。

这次，我们尝试使用金刚石砧室 (DAC) 在高压和磁场下进行测量。我们使用DAC成功观测到(TMTTF)_2SbF_6在约6GPa的超高压下的零电阻。使用这种技术，我们通过改变每个压力下的磁场方向来测量磁场中的电阻，并从一开始就确定了上临界磁场。所有电流均沿 a 轴（列方向）通过。 (TMTTF)_2PF_6也在相同条件下进行了测试。发现上临界磁场在所有轴向方向上表现出大的各向异性。另一方面，(TMTTF)_2PF_6 在 H//a 和 b' 方向上表现出几乎相同的依赖性。这与 Lee 等人关于 TMTSF 盐的报道非常吻合。在这些P-T相图中，(TMTTF)_2SbF_6在很宽的压力范围内具有超导相，(TMTTF)_2PF_6和(TMTTF)_2AsF_6在绝缘体相消失点附近的狭窄范围内具有超导相，类似于TMTSF盐存在于。上临界场各向异性的这种差异可能对应于P-T相图中不同的超导相展宽。再次表明，(TMTTF)_2SbF_6 在该系统中是唯一的。未来，我们将进一步发展立方砧高压装置的技术，测量电阻以外的物理量，并进一步小型化，使其能够在低温磁场下进行测量，创造一个环境我们可以更轻松地探索新的物理特性，我想为这个领域做出贡献。

项目成果

Anomalous Pressure Dependence of Superconductivity in Layered Organic Conductor, K-(BEDT-TTF)_4Hg_<2.89>Br_8

层状有机导体中超导性的反常压力依赖性，K-(BEDT-TTF)_4Hg_<2.89>Br_8

• 发表时间: 2007
• 期刊: Journal of the Physical Society of Japan 76
• 作者: H. Taniguchi;T. Okuhata;T. Nagai;K. Satoh;N. Mori;Y. Shimizu;M. Hedo;Y. Uwatoko
• 通讯作者: Y. Uwatoko

高圧技術ハンドブック

高压技术手册

• 发表时间: 2006
• 作者: M.Sakai et al.;鈴木敦士
• 通讯作者: 鈴木敦士