パノスコピック形態制御された希土類系発光材料の高次設計と高効率蛍光体の開発

全景形貌调控稀土发光材料高阶设计及高效荧光粉开发

基本信息

批准号：
16080218
负责人：
山元明
金额：
$ 22.85万
依托单位：
Tokyo University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

1.白色発光ダイオード(LED)用に適した黄色発光蛍光体MSi_2O_2N_2:Eu^<2+>(M=Sr,Ba)の粒形制御。層状結晶構造を反映してこの物質の粒子は板状で、破砕による小粒子が生成する。板状粒子は下地の青色LED上への均一塗布が難しい。また、小粒子は発光効率の低下を招く恐れがある。そこで、合成に用いるフラックス材料を検討し、K_2B_4O_7などのホウ酸アルカリにより球状に近い粒形を実現した。しかし、これらのフラックスにより一部酸化反応が起こり、不純物相として効率の低いM_3Si_6O_2N_9:Eu^<2+>が副生し、発光効率が低下した。2.新たな橙色長残光蛍光体Ca_2Si_5N_8:Eu^<2+>,Tm^<3+>の開発と合成法の検討。(1)還元雰囲気下焼成においても酸素を含むCaSi_2O_2N_2:Eu^<2+>が副生し、Siに対してCaが目的式量以上に消費される。そこで、原料のCa_3N_2を過剰に加えることにより残光強度の高い試料が得られた。初期値の1%に減衰する時間は10分、0.1%は約1時間で、Y_2O_2S:Eu^<3+>系の既知赤色長残光蛍光体を凌ぐ特性が得られた。(2)Tm^<3+>の添加により新たな熱発光ピークが320K付近に生じ、これが長残光の原因となる。Eu^<2+>の局在励起(4f-5d遷移)により強い残光と熱発光が認められることから、Eu^<2+>とTm^<3+>が互いに近くにある場合に、残光を生じる有効な電子トラップを形成すると考えられる。3.電界放射ディスプレイ用青色蛍光体Y_2SiO_5:Ce^<3+>や窒化物など多数の物質について、電子線照射による化学結合の切断の結果発生するイオンの分析を試みた。電子線加速電圧25kV、最大電流0.5mAで照射したが、吸着ガスが検出されるのみであるため、基板を熱伝導性の低いものに変えるなど条件を厳しくしてさらに検討している。

1。黄光 - 发射荧光体MSI_2O_2N_2：EU^<2 +>（M = SR，BA）适用于白光发射二极管（LED）。反映层形的晶体结构，该物质的颗粒形状形状，产生由压碎引起的小颗粒。板颗粒很难在底座的蓝色LED上均匀涂抹。另外，小颗粒可能导致光发射效率降低。因此，检查了用于合成的通量材料，并通过二叶剂的碱（例如K_2B_4O_7）实现了接近球形形状的花岗岩。但是，其中一些通量引起了一些氧化反应，而M_3SI_6O_2N_9：EU^<2+>，作为相位相位效率低，降低了光发射效率。 2。一种新的橙色长，长荧光的身体CA_2SI_5N_8：EU^<2+>，TM^<3+>开发和复合方法。（1）烘烤燃烧时的气氛减少，casi_2o_2n_2：eu^<2+>是侧中出生，而CA的消耗量超过SI的目标公式。因此，通过过度添加原材料CA_3N_2获得具有较高残余强度的样品。对初始值的1％的衰减为10分钟，0.1％的衰减约为1小时，并且通过超过未知的红色长雷尼特光荧光来获得y_2o_2s：eu^<3+>系统的特征。（2）添加TM^<3+>在320k左右引起一个新的峰值，在突出显示时引起高峰。由于Eu^<2+>由于局部激发（4F-5D过渡）而具有强烈的残留照明和热照明，因此，如果EU^<2+>和TM^<3+>彼此近，则认为它被认为是形成有效的电子陷阱，产生残留光。 3。电场辐射显示Y_2SIO_5的蓝色荧光：我们试图分析因电子线辐照的化学键而发生的离子，例如CE^<3+>。由于电子线加速度电压的最大电流为0.5 mA，最大电流为0.5 mA，因此仅检测到吸附气体，因此严格检查了条件，例如将基板更改为低传导性。