パノスコピック形態制御された希土類系発光材料の高次設計と高効率蛍光体の開発

全景形貌调控稀土发光材料高阶设计及高效荧光粉开发

基本信息

批准号：
16080218
负责人：
山元明
金额：
$ 22.85万
依托单位：
Tokyo University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

1.白色発光ダイオード(LED)用に適した黄色発光蛍光体MSi_2O_2N_2:Eu^<2+>(M=Sr,Ba)の粒形制御。層状結晶構造を反映してこの物質の粒子は板状で、破砕による小粒子が生成する。板状粒子は下地の青色LED上への均一塗布が難しい。また、小粒子は発光効率の低下を招く恐れがある。そこで、合成に用いるフラックス材料を検討し、K_2B_4O_7などのホウ酸アルカリにより球状に近い粒形を実現した。しかし、これらのフラックスにより一部酸化反応が起こり、不純物相として効率の低いM_3Si_6O_2N_9:Eu^<2+>が副生し、発光効率が低下した。2.新たな橙色長残光蛍光体Ca_2Si_5N_8:Eu^<2+>,Tm^<3+>の開発と合成法の検討。(1)還元雰囲気下焼成においても酸素を含むCaSi_2O_2N_2:Eu^<2+>が副生し、Siに対してCaが目的式量以上に消費される。そこで、原料のCa_3N_2を過剰に加えることにより残光強度の高い試料が得られた。初期値の1%に減衰する時間は10分、0.1%は約1時間で、Y_2O_2S:Eu^<3+>系の既知赤色長残光蛍光体を凌ぐ特性が得られた。(2)Tm^<3+>の添加により新たな熱発光ピークが320K付近に生じ、これが長残光の原因となる。Eu^<2+>の局在励起(4f-5d遷移)により強い残光と熱発光が認められることから、Eu^<2+>とTm^<3+>が互いに近くにある場合に、残光を生じる有効な電子トラップを形成すると考えられる。3.電界放射ディスプレイ用青色蛍光体Y_2SiO_5:Ce^<3+>や窒化物など多数の物質について、電子線照射による化学結合の切断の結果発生するイオンの分析を試みた。電子線加速電圧25kV、最大電流0.5mAで照射したが、吸着ガスが検出されるのみであるため、基板を熱伝導性の低いものに変えるなど条件を厳しくしてさらに検討している。

1。发出黄色发射磷光器MSI_2O_2N_2的晶粒形状控制：EU^<2+>（M = SR，BA），适用于白色发光二极管（LED）。反映分层的晶体结构，该材料的颗粒是板状的，小颗粒是通过压碎产生的。很难将表格晶粒均匀地涂在底层底物的蓝色LED上。此外，小颗粒可能导致发光效率降低。因此，研究了用于合成的通量材料，并通过碱硼酸盐（例如K_2B_4O_7）实现了接近球形形状的晶粒形状。然而，这些通量导致部分氧化反应，M_3SI_6O_2N_9：EU^<2+>（低效率低）作为杂质阶段产生，导致副产品，从而导致发光效率下降。 2。开发和合成新的橙色余辉磷磷脂Ca_2si_5n_8：eu^<2+>，tm^<3+>。（1）即使在减少的大气下，casi_2o_2n_2：eu^<2+>也通过生产产生含氧，而Ca的消耗量超过SI所需的公式。因此，过度添加原材料CA_3N_2给出了一个余热强度高的样品。初始值的1％的衰减为10分钟，0.1％的时间约为1小时，导致属性超过了Y_2O_2S的已知红长次数磷光体：EU^<3+>系统。（2）添加TM^<3+>导致320k左右的新热发射峰，从而导致余辉。由于由于EU^<2+>（4F-5D跃迁）的局部激发而观察到强劲的余辉和热发射，因此人们认为，当Eu^<2+>>和TM^<3+>彼此接近时，有效的电子陷阱会形成产生的余星。 3。我们试图分析由于电子束照射破坏了许多物质的化学键而产生的离子，例如蓝色磷Y_2SIO_5：CE^<3+>和氮化物，用于现场发射显示。尽管辐照是在电子束加速电压为25kV的加速电压和0.5mA的最大电流的情况下进行的，但由于仅检测到吸附的气体，还进一步考虑了进一步的考虑，例如将基板更改为导热率较低的底物。